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公开(公告)号：CN116445741A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310256663.9
申请日：2023-03-16
Applicant: 中南大学
IPC: C22B30/04
Abstract: 本发明提供了一种砷提纯的方法，将粗砷、铋粉和含碘调质剂封闭在密闭容器内的第一端，密闭容器内为真空或惰性气氛；其中，密闭容器包括相对设置的第一端和第二端；对密闭容器进行第一阶段加热，包括对第一端在第一温度下进行加热和对第二端在第二温度下进行加热，且第一温度大于第二温度，第二温度大于纯砷的沸点；对进行第一阶段加热后的密闭容器进行第二阶段加热，包括对第一端在第三温度下进行加热和对第二端在第四温度下进行加热，得到金属砷；第三温度大于第四温度，第三温度小于纯砷的沸点。解决了现有技术原料为剧毒物质，不利于安全生产；工艺流程冗长；难以获得高纯度金属砷等问题。
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公开(公告)号：CN116288711A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310165884.5
申请日：2023-02-08
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种黑磷砷材料的制备方法，包括：保护性气氛或真空的密闭容器中，将灰砷、红磷和添加剂混合后置于高温区域进行反应，并同步于低温区域结晶沉积，得到黑磷砷材料；其中，所述添加剂包括碘化碲；所述高温区域的温度不低于550℃，所述低温区域的温度为450～530℃；所述黑磷砷材料为黑磷砷单晶。本发明实现了片状黑磷砷单晶的可控合成，且在半导体器件中具有优异的应用性。
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公开(公告)号：CN115831760B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310083670.3
申请日：2023-02-08
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管，该方法包括步骤：S1.将层状纳米片转移至衬底材料，形成基底物；其中，层状纳米片的厚度为5nm~1μm，衬底材料包括沿衬底材料的厚度方向层叠设置的栅电极和介电层，层状纳米片位于介电层远离栅电极的一侧；S2.将孔状片体覆盖于基底物之上，在孔状片体上喷镀导电金属，以使层状纳米片上对应孔状片的孔洞位置处形成导电金属层，得场效应晶体管，导电金属层的数量至少为两个；其中，孔状片体中孔洞的外径为205~210μm。本发明操作简单、效果显著，值得推广。
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公开(公告)号：CN115831760A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202310083670.3
申请日：2023-02-08
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管，该方法包括步骤：S1.将层状纳米片转移至衬底材料，形成基底物；其中，层状纳米片的厚度为5nm~1μm，衬底材料包括沿衬底材料的厚度方向层叠设置的栅电极和介电层，层状纳米片位于介电层远离栅电极的一侧；S2.将孔状片体覆盖于基底物之上，在孔状片体上喷镀导电金属，以使层状纳米片上对应孔状片的孔洞位置处形成导电金属层，得场效应晶体管，导电金属层的数量至少为两个；其中，孔状片体中孔洞的外径为205~210μm。本发明操作简单、效果显著，值得推广。
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公开(公告)号：CN111996383B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010864430.3
申请日：2020-08-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种搭配高砷物料分离铜渣中砷的方法，以黄铁矿和硫化砷渣的混合物料作为脱砷剂，与铜渣混匀后，于惰性气氛下按1‑5℃/min的升温速率至1100‑1300℃下焙烧，得到含氧化砷和硫化砷的混合气体，然后向混合气体中通入空气，在800‑900℃下反应，氧化生成三氧化二砷和二氧化硫，最后经冷凝得到三氧化二砷产品。本发明以黄铁矿和硫化砷渣混合物料作为脱砷剂，可破坏铜渣中化学稳定性较高的含砷玻璃体结构，砷被还原为氧化砷和硫化砷释放，解决实际生产上高砷铜渣中砷与铜渣分离难的问题，实现砷的高效挥发以及定向收集，并达到以废治废的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113481598A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110768899.1
申请日：2021-07-07
Applicant: 中南大学
IPC: C30B29/10 , C30B1/10 , C30B1/02 , B22F9/04 , H01L31/032 , H01L31/036
Abstract: 本发明公开了一种Zn‑P‑As晶体材料及其制备方法和应用，所述Zn‑P‑As晶体材料中Zn、P、As的原子比为3：5：2.6，正交晶系，空间群为Cmcm，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，保护性气氛或真空环境下，将单质As、单质P以及单质Zn球磨混合，升温至620℃～820℃下保温反应不低于6h即得。本发明所载的Zn‑P‑As晶体材料，其光学带隙约为1.2eV，与单晶Si(Eg:1.1～1.3eV)的带隙接近，作为半导体材料，在新型电子器件领域以及光伏领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN113362469B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110907450.9
申请日：2021-08-09
Applicant: 长沙市轨道交通三号线建设发展有限公司 , 中南大学
IPC: G06T17/20 , G06T5/50 , G06K9/00 , G06F30/13 , G06F30/23 , G06Q10/06 , G06Q50/08 , G01C11/04 , E21D9/00
Abstract: 本发明提供了综合城市建筑信息和地层结构的盾构隧道施工预警方法：采集地表图像数据，生成点云模型；采集现场的钻孔数据导入建模软件，形成第二控制点；生成不同岩层实体，形成岩层轮廓模型；突出重点岩层；采集盾构隧道轮廓标准断面与隧道中线坐标，生成隧道实体；建立地质模型横剖面，观察隧道与重点岩层、地面建筑相对位置关系；在盾构隧道穿越重点岩层及地面高层建筑下方时预警，根据监控量测数据观察地表沉降、建筑物沉降、管片沉降数值，制定多指标分级预警方案保证施工安全。本发明观察盾构隧道里程断面与危险岩层及高层建筑相对位置关系，制定分级预警方案，结合各断面实际监控量测情况与精细化的地质模型，制定相应施工控制措施。
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公开(公告)号：CN119824272A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411916834.7
申请日：2024-12-24
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明属于铜合金材料领域，公开了一种高强导电易切削弹性铜合金，包括：Ni：0.5wt%‑3wt%，Pb：0.1wt%‑2wt%，P：0.1wt%‑0.3wt%，Si：0.01wt%‑0.5wt%，余量为Cu。其制备方法：将纯铜、纯镍、纯硅、纯铅以及铜磷中间合金按质量比例称量后，放入加热炉中熔化，然后将合金熔体铸造成铸锭，然后依次进行均匀化处理、第一次冷变形处理、第一次时效处理、第二次冷变形处理、第二次时效处理、第三次冷变形处理、退火处理，得到高强导电弹性铜合金。本发明在合金的成分中加入了Si元素，Si元素的加入可以加快Ni5P4相粒子的析出，并抑制粒子粗化，使得铜合金的强度和性能更加优异。
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公开(公告)号：CN118755991A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410855522.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 中南大学
IPC: C22C9/00 , C22C32/00 , C22C1/05 , C22C1/059 , B22F3/14 , B22F3/105 , B22F3/18 , B22F3/24 , C22F1/02 , C22F1/08 , B22F9/04 , H01B1/02 , H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于界面扩散的TiC颗粒增强CuCr复合材料的制备方法：将CuCr合金基体粉体和TiCx粉末进行球磨，得到混合粉体；然后将混合粉体依次进行烧结处理、真空热扩散处理、室温轧制变形处理和时效处理，得到基于界面扩散的TiC颗粒增强CuCr复合材料。本发明通过球磨处理使原料粉体充分混合均匀，通过烧结处理使复合材料充分致密，通过扩散热处理使Ti原子充分扩散形成界面过渡层，TiCx颗粒完全转变为TiC颗粒，通过轧制处理配合时效处理促进Cr的析出进而提高复合材料的力学性能和导电性能，上述工艺的整体组合，保证制备的复合材料具备优异的高温稳定性、优异的界面结合、高强度和高导电率等性能。
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公开(公告)号：CN115321552B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211035869.0
申请日：2022-08-27
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种机械力化学法合成的砷化硼纳米晶体及其制备方法与应用。通过该方法可获得颗粒尺寸在100‑200nm的纳米晶体。所述的方法为，在室温条件下，将As粉，硼氧化合物粉，镁颗粒和少量氯化钠按照比例配合后，装入球磨罐中，进行机械力化学反应一定时间后，取出混合粉末，经过加热过程进行砷回收，产物净化除杂后即可获得纳米晶体粉末。获得的纳米粉末是一种中带隙的半导体材料(Eg:～3.0‑3.3eV)，具有丰富的硼二十面体结构，在核辐射防护和光电材料领域具有潜在的应用前景。
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