公开(公告)号：CN109659281B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201910087278.X

申请日：2019-01-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 李军辉 ,  金忠 ,  韩江 ,  何虎 ,  田青 ,  陈卓 ,  刘小鹤 ,  刘湛 ,  朱文辉

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/373 ,  B22F1/02 ,  B22F9/22 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供了一种高导热电子封装复合材料及其制备方法，所述复合材料由绝缘纳米颗粒和聚合物组成，所述绝缘纳米颗粒与聚合物的体积比为0.1‑0.3；所述绝缘纳米颗粒为包覆有二氧化硅绝缘层的纳米铜颗粒，所述二氧化硅绝缘层的厚度为10‑100nm，所述纳米铜颗粒的粒径为50‑500nm。所述制备方法包括先用制备出绝缘纳米铜颗粒，再将绝缘纳米铜颗粒与聚合物混合制成高导热电子封装复合材料。本发明提供的复合材料在满足封装绝缘的同时还能封装填充对导热性和流动性的要求，将其进行纳米复合填充能显著提高器件的散热性能、降低热膨胀系数、提高玻璃化温度，大幅提升电迁移失效时间。

公开(公告)号：CN110918111A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201811091607.X

申请日：2018-09-19

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘小鹤 ,  韩江 ,  陈根

IPC: B01J27/24

Abstract: 本发明公开了晶粒可控的Co3FeNx嵌于碳基底的制备方法。本发明所提供的制备晶粒可控的Co3FeNx嵌于碳基底的方法，是将预先合成AQS2(蒽醌-2-磺酸钠)插层的钴铁层状双金属氢氧化物于氨气气氛下热解，通过调节反应保温时间来调控Co3FeNx的晶粒大小，并且能够完整保持钴铁层状双金属氢氧化物的花状形貌。本发明方法工艺流程简单，适用性广，所合成的产品质量稳定。克服合成路线的复杂，制备得到的颗粒尺寸微小且均匀、样品形貌完整。通过本发明所获得的Co3FeNx嵌于碳基底样品用于电催化产氧反应表现出优异的催化性能，为探索非贵金属基电催化剂拓宽了视野，为设计和制备更高效的电催化剂提供了新思路。

公开(公告)号：CN109659281A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201910087278.X

申请日：2019-01-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 李军辉 ,  金忠 ,  韩江 ,  何虎 ,  田青 ,  陈卓 ,  刘小鹤 ,  刘湛 ,  朱文辉

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/373 ,  B22F1/02 ,  B22F9/22 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供了一种高导热电子封装复合材料及其制备方法，所述复合材料由绝缘纳米颗粒和聚合物组成，所述绝缘纳米颗粒与聚合物的体积比为0.1-0.3；所述绝缘纳米颗粒为包覆有二氧化硅绝缘层的纳米铜颗粒，所述二氧化硅绝缘层的厚度为10-100nm，所述纳米铜颗粒的粒径为50-500nm。所述制备方法包括先用制备出绝缘纳米铜颗粒，再将绝缘纳米铜颗粒与聚合物混合制成高导热电子封装复合材料。本发明提供的复合材料在满足封装绝缘的同时还能封装填充对导热性和流动性的要求，将其进行纳米复合填充能显著提高器件的散热性能、降低热膨胀系数、提高玻璃化温度，大幅提升电迁移失效时间。