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公开(公告)号:CN106024911B
公开(公告)日:2019-07-09
申请号:CN201610584367.1
申请日:2016-07-23
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/861 , H01L23/29 , H01L23/488 , H01L21/329 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供的一种玻璃钝化二极管U型封装方法;包括电极,电极中部设置有管芯,电极的外部烧结有玻璃,电极的两端设置有电极,电极片穿过电极引线并通过焊片焊接在电极上。本发明采用新的工艺方法和焊接技术在很大程度上提高了产品电极片的烧焊强度和产品的耐焊接热能力,实现了玻璃钝化二极管的高可靠U型封装,解决了轴向玻璃钝化二极管U型设计的问题;在整机线路的设计中,U型玻璃钝化封装的半导体器件具有占用空间小、安装方便、可靠性高的优点,此问题的解决为整机设计提供了更优的半导体器件。贴片式器件在线路设计中的比例逐年增加,此问题的解决为公司开拓了新的经济增长点。
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公开(公告)号:CN104576458A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201410831710.9
申请日:2014-12-26
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67 , H01L29/6609
Abstract: 本发明提供了一种多功能酸碱腐蚀盘,包括提杆和插盘;所述提杆为T字型,T型上端为提部,T型下端与插盘固定;所述插盘为任意形状的盘状,插盘上设置有多个插孔,插孔开口位置为倒角结构。本发明使得机涂玻璃粉成为可能,提高了玻钝稳压管产品的外观一致性,提升了生产效率,为自动化生产提供了有力保障;产品碱腐蚀的腐蚀过程更加均匀可控,同时,也为后续产品碱腐蚀后的清洗到位提供保障;打破了稳压二极管只能打弯碱腐蚀、手工涂粉的工艺瓶颈,将打弯碱腐蚀法改进为插盘碱腐蚀法。
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公开(公告)号:CN107301949A
公开(公告)日:2017-10-27
申请号:CN201710581084.6
申请日:2017-07-17
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L21/329 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/6609 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供的一种采用钨电极制造高可靠瞬态电压抑制二极管的制造方法,包括管芯的制备、电极焊接、处理封装,采用了钨电极作为电极引线制造玻璃钝化瞬态电压抑制二极管,大大提升了器件的瞬态峰值功率,相同封装外形尺寸可以提升80%以上的瞬态峰值功率。
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公开(公告)号:CN106024911A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610584367.1
申请日:2016-07-23
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/861 , H01L23/29 , H01L23/488 , H01L21/329 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC classification number: H01L29/861 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/291 , H01L23/488 , H01L29/6609
Abstract: 本发明提供的一种玻璃钝化二极管U型封装结构;包括电极,电极中部设置有管芯,电极的外部烧结有玻璃,电极的两端设置有电极,电极片穿过电极引线并通过焊片焊接在电极上。本发明采用新的工艺方法和焊接技术在很大程度上提高了产品电极片的烧焊强度和产品的耐焊接热能力,实现了玻璃钝化二极管的高可靠U型封装,解决了轴向玻璃钝化二极管U型设计的问题;在整机线路的设计中,U型玻璃钝化封装的半导体器件具有占用空间小、安装方便、可靠性高的优点,此问题的解决为整机设计提供了更优的半导体器件。贴片式器件在线路设计中的比例逐年增加,此问题的解决为公司开拓了新的经济增长点。
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公开(公告)号:CN207774816U
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201720770923.4
申请日:2017-06-28
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: C01B33/03
Abstract: 本实用新型提供了一种四氯化硅源恒温蒸发瓶,包括储液室、蒸发室、进气管、出气室;所述蒸发室安装在储液室的下端通过联络管道连接导通,所述出气室设置在蒸发室的上端中部,所述进气管设置在出气室内且其下端伸入蒸发室内。本实用新型通过进气管使氢气进出蒸发室,进气管和出气管形成同轴心双层结构,氢气从顶部通过该结构进入底部蒸发室携带出蒸发源并流出石英瓶。该蒸发瓶可满足工艺要求的四氯化硅0℃恒温蒸发,并由氢气携带进入外延生长系统进行生产作业,提高了外延工艺稳定性。
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