公开(公告)号：CN118866825A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411193007.X

申请日：2024-08-28

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 王智 ,  吴俊德 ,  袁强 ,  冉龙玄 ,  谭爽 ,  刘荣炳 ,  王博 ,  赵冲冲 ,  古进 ,  周嵘

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供的一种双面散热气密性封装结构及其制作工艺，包括芯片、漏极电极、栅极电极、源极电极；所述芯片固定在导电盖板内顶部，所述漏极电极固定在陶瓷框架的底端边缘，漏极电极和栅极电极固定在陶瓷框架底端且分别与栅极连接柱和源极连接柱连接，通过将盖板作为漏极电极的连接件，使芯片上下两面都直接与导电导热良好的材料接触，由两面电极向外散热，加快了芯片的散热效率；而所有电极则全部位于底部，方便贴片使用；底部各电极之间采用陶瓷隔开，而陶瓷框架相比塑料框架具有更高的可靠性；上盖纵向顶部与底部电极通过软焊料连接，并使得整个内部具有很好的空间密封性能。

公开(公告)号：CN118748177A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202411032198.1

申请日：2024-07-30

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 王智 ,  吴俊德 ,  袁强 ,  冉龙玄 ,  谭爽 ,  王博 ,  张亮 ,  陈健 ,  古进 ,  周嵘

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供了一种顶部散热的陶瓷表贴封装结构，包括陶瓷顶板；所述陶瓷顶板的下端面一端设有金属层,金属层上安装有芯片，另一端设有源极引出电极、栅极引出电极和源极外电极、栅极外电极，所述源极引出电极和源极外电极及栅极引出电极和栅极外电极之间通过源极电极板连接。本发明将陶瓷板作为封装的顶部，并在仅芯片的每极电极引到盖板及盖板旁，使得用户在使用时可以不改变使用习惯，继续使用底部电极与PCB贴片焊接的方式使用封装后的芯片；并且因为芯片贴合在封装的顶部，实现了电连接与散热路径的分离，并且缩短了散热路径，降低了热阻；散热主路径不经过PCB，不会导致PCB的温升，进而不会因功率器件发热而导致PCB上其他器件的温升。

公开(公告)号：CN113193050A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110460679.2

申请日：2021-04-27

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 刘德军 ,  古进 ,  石文坤 ,  杨春梅 ,  肖摇 ,  齐胜伟

IPC: H01L29/861 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/329 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种表贴封装二极管及其制造方法，该表贴二极管包括管芯，所述管芯的上端面设有上电极片，管芯的下端面设有下电极片，管芯与上电极片、下电极片之间通过蒸铝层烧焊在一起，管芯、上电极片、下电极片的侧面包覆有钝化玻璃，下电极片的下端凸出钝化玻璃，上电极片的上端设有变形电极片。本发明安装使用时，管芯、上电极片、下电极片与安装PCB板面平行，加大管芯与电极片尺寸即可加大产品的功率，其高度不会增加；下电极片整个面直接与散热器或PCB板接触，散热效果得到了大大改善；根据需要，器件结构可设为圆柱形、方形等任意形状，且径向尺寸小；安装适应性好。

公开(公告)号：CN104795335A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510193603.2

申请日：2015-04-22

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 古进 ,  杨艳 ,  杨辉 ,  迟鸿燕 ,  杨彦闻

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开了一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法,包括以下步骤：a、将若干个管芯采用台面成型机吹砂成型规定尺寸的圆片，b、将所述管芯分极处理后，采用石墨模具叠片烧结的方式将所述管芯进行烧结形成芯片，c、将含有钨电极的电极引线焊接在所述芯片的两端，d、采用混合酸对所述芯片的台面进行腐蚀，腐蚀两次，每次3分钟，然后用大量去离子水冲洗干净，e、在所述芯片的台面上涂覆钝化封装玻璃粉浆，在链式炉下高温成型，完成封装成型。本发明采用钨电极引线制造高压硅堆，提高了产品的抗浪涌电流能力，同时采用钨电极引线制造的高压硅堆可靠性明显提高。

公开(公告)号：CN118825003A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202411057244.3

申请日：2024-08-02

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 吴俊德 ,  袁强 ,  王智 ,  冉龙玄 ,  谭爽 ,  王博 ,  郑超 ,  何治一 ,  古进 ,  周嵘

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: 一种氮化镓半桥表贴封装结构及工艺，包括上桥芯片、下桥芯片、输出电极、输入正电极、输入负电极、上桥栅极控制电极、下桥栅极控制电极和基板，下桥芯片下方与基板固定连接，所述下桥芯片上方通过下桥锡珠分别与输出电极、下桥栅极控制电极、输入负电极相连，所述上桥芯片下方通过上桥锡珠分别与电极输出电极、上桥栅极控制电极、输入正电极相连。通过将芯片放置为上下结构，输入正负极设置为叠层结构，使整体的封装结构更加紧凑，以及杂散电感、分布电阻更小，电性能的稳定性及封装稳定性高。

公开(公告)号：CN113960438B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202111000558.6

申请日：2021-08-30

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 吴王进 ,  古进 ,  王军 ,  龚昌明 ,  蒋兴彪 ,  蒋娜

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种PN结反向特性曲线合格判别测试系统及其测试方法，包括：计算机、本地数据库、显示操作装置、程控电压电流源、测试模块装置、测试夹具装置、待测件、测试控制系统、参数测试装置、数据采集系统、测试线缆等；计算机安装有控制系统程序模块、算法程序模块、设置与判别程序模块、数据采集程序模块；测试控制系统主要由测试控制系统程序模块、仪器控制、测试设置、数据读取、数据拟合、曲线显示、数据处理与存储等功能模块组成。解决了现有PN结反向特性曲线测试仅靠人工观察定性判别、重复性和一致性差、批量化差、易造成热击穿现象的问题。广泛应用于半导体器件PN结的反向特性曲线合格判别测试，特别是电压调整二极管领域。

公开(公告)号：CN115980534A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211614492.4

申请日：2022-12-15

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 吴王进 ,  石文坤 ,  古进 ,  龚昌明 ,  王军 ,  廖从勇 ,  黄玉恒

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/04

Abstract: 一种带极性转换装置老化板设计方法及其结构，本发明属于半导体器件领域。所述方法为根据半导体器件的极性，在老化板上设置多个与半导体器件电极电气连接的换向插座；根据老化电路结构，设置与换向插座匹配的换向插板；通过换向插板与换向插座电气连接组合，实现极性转换。所述结构包括老化板主板、采样换向装置、加载换向装置；采样换向装置由转向装置插座、采样换向装置插板组成，加载换向装置由转向装置插座、加载换向装置插板组成，安装在老化板主板上，通过采样换向装置插板、加载换向装置插板插入不同的转向装置插座，实现电源极性的转向。解决了现有半导体器件功率老炼时极性换向的问题。广泛应用于多极性或多电源半导体器件老化技术领域。

公开(公告)号：CN113314413A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110731903.7

申请日：2021-06-29

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 吴王进 ,  古进 ,  龚昌明 ,  杨波 ,  陈海 ,  何燕杰 ,  唐志甫

IPC: H01L21/329

Abstract: 本发明提供的一种超快恢复整流二极管芯片的制造方法，通过硅片键合→气体携带源扩散→磨片→硼扩散→喷砂→铂扩散→金属化的步骤制作二极管芯片，本发明通过高低掺杂硅片的键合，达到最大限度降低器件体电阻的要求，从而保证器件具有较小的正向压降。

公开(公告)号：CN113270503A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110491421.9

申请日：2021-05-06

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 袁强 ,  古进 ,  王博 ,  贺晓金 ,  陆超 ,  姚秋原

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种二极管元胞结构，包括N+衬底，N+衬底的背面设有背金属层，N+衬底的正面依次设有N‑外延区、栅氧层、多晶硅、金属化层；所述N‑外延区的正面中部嵌入有P型基区，金属化层的背面设有凸起部，凸起部嵌入P型基区，凸起部周围设有N+区，N+区和P型基区的正面均被栅氧层覆盖。采用本发明的二极管元胞结构的二极管芯片，相比于PN结结构，具备导通电压更低、反向恢复时间更短等优点；相比于肖特基二极管，具有高温特性好、漏电小、正温度系数等优点；另外，本发明导通压降小，能耗低，产热量小，耐用性强。

公开(公告)号：CN108231909A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711406703.4

申请日：2017-12-22

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 古进 ,  迟鸿燕 ,  张丽 ,  杨春梅 ,  龚昌明 ,  蔡美晨

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/43 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种高可靠超小型玻璃钝化复合二极管及其制备方法和应用，属于二极管制造技术领域；其包括管体、引线和保护层；其中所述的管体由两根电极和芯片A、芯片B组成，管体外围由保护层包裹保护；所述的电极和引线高温烧结后，焊成一个整体的电极引线，电极引线和管体高温下熔焊键和，即得。本发明二极管尺寸极小，管体直径小于Φ1.5mm，管体长度小于1.8mm，器件同时具备了瞬态电压抑制功能和高压保护功能，可以提升线圈反向电动势的吸收速率，大大简化了在线圈保护电路中的安装方式，该复合二极管能应用于超小型继电器的续流电路中，具有较好的市场推广价值。