-
公开(公告)号：CN113192902A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110462103.X
申请日：2021-04-27
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/31 , H01L23/49 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种高温冶金键合玻璃钝化实体封装表贴二极管及制造方法，该二极管包括芯片，所述芯片两端通过蒸铝层焊接有钼柱，钼柱与芯片均封装在钝化玻璃内，钼柱远离芯片的一端设有直径大于钼柱的电耦合面，电耦合面的端面为平面，电耦合面伸出钝化玻璃。采用本发明，芯片与钼电极引线通过芯片两面的蒸铝层直接烧焊在一起，包封玻璃粉，电连接可靠，不易发生开路失效；钼与玻璃的热膨胀系数都在4～5之间，比玻璃与铜包钢引线的热膨胀系数更接近，提高了结构材料的匹配度，减小了钼电极与钝化玻璃之间交界面的应力，提高了使用可靠性，减小了开路时效的几率。
-
公开(公告)号：CN112186044B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202011060738.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/861 , H01L23/488 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/329 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种玻璃钝化实体封装低压二极管及其制造方法，属于二极管技术领域。该二极管包括硅片A和两个电极引线，所述硅片A位于两个所述电极引线之间，其中一个电极引线通过焊接金属A与硅片A连接，另一个电极引线通过焊接金属B与硅片A连接，所述硅片A、焊接金属A、焊接金属B和两电极引线均设于钝化玻璃内，且电极引线的一端延伸到钝化玻璃外。二极管的核心PN结是在电极引线与管芯的烧焊过程中同步获得的，避免了PN结因高温工艺进行了重新分布，最终导致二极管电压大幅提高的问题，避免了传统二极管因管芯PN结结深太浅，烧焊时焊接金属穿越PN结，导致PN结短路的问题，可以制造6V以下的玻璃钝化实体封装二极管。
-
公开(公告)号：CN115980534A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211614492.4
申请日：2022-12-15
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
Abstract: 一种带极性转换装置老化板设计方法及其结构，本发明属于半导体器件领域。所述方法为根据半导体器件的极性，在老化板上设置多个与半导体器件电极电气连接的换向插座；根据老化电路结构，设置与换向插座匹配的换向插板；通过换向插板与换向插座电气连接组合，实现极性转换。所述结构包括老化板主板、采样换向装置、加载换向装置；采样换向装置由转向装置插座、采样换向装置插板组成，加载换向装置由转向装置插座、加载换向装置插板组成，安装在老化板主板上，通过采样换向装置插板、加载换向装置插板插入不同的转向装置插座，实现电源极性的转向。解决了现有半导体器件功率老炼时极性换向的问题。广泛应用于多极性或多电源半导体器件老化技术领域。
-
公开(公告)号：CN104576458A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410831710.9
申请日：2014-12-26
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67 , H01L29/6609
Abstract: 本发明提供了一种多功能酸碱腐蚀盘，包括提杆和插盘；所述提杆为T字型，T型上端为提部，T型下端与插盘固定；所述插盘为任意形状的盘状，插盘上设置有多个插孔，插孔开口位置为倒角结构。本发明使得机涂玻璃粉成为可能，提高了玻钝稳压管产品的外观一致性，提升了生产效率，为自动化生产提供了有力保障；产品碱腐蚀的腐蚀过程更加均匀可控，同时，也为后续产品碱腐蚀后的清洗到位提供保障；打破了稳压二极管只能打弯碱腐蚀、手工涂粉的工艺瓶颈，将打弯碱腐蚀法改进为插盘碱腐蚀法。
-
公开(公告)号：CN116666374A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310793564.4
申请日：2023-06-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
Abstract: 本发明提供的一种IGBT高抗振性能的封装，包括陶瓷覆铜板,陶瓷覆铜板上印刷有三个图案相同的焊接区；其特征在于：底板,底板贴合固定在陶瓷覆铜板下端；塑料框架,塑料框架固定在底板上从侧面将盖板包围；功率端子和信号端子,多个功率端子和多个信号端子设在塑料框架的边缘上。本发明通过使用集成封装的六单元全桥IGBT模块代替三个并排安装的半桥模块投入使用，降低由于模块公差或装配误差导致的散热不稳定性；每个功率端子背面都有底板完全支撑，背面螺钉均匀分布，外界引起的振动很快可以传导到底板上，而底板是刚性的金属材料，抗振性能极佳，提高模块的抗振性能和可靠性提高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116469917A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310616319.6
申请日：2023-05-29
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供的一种IGBT芯片及其制备方法，包括漂移区；漂移区的正面中部加工有元胞组，元胞组的端面通过正面电极覆盖，漂移区的边缘加工有P+ring区,P+ring区的端面通过依次堆叠有场氧化层、SIN钝化层、PI钝化层，所述漂移区的背面依次加工有场截止区、P+背集电区、背部电极。本发明芯片背面的高能质子H+会形成具有电活性的杂质，结合芯片正面的低掺杂的Pbase和多晶硅栅、边缘的P+ring区，在不影响芯片静态参数的情况下，能有效减少载流子寿命，降低反向关断时间，缩短拖尾电流时间，降低器件关断损耗，从而提高芯片的高频开关表现。
-
公开(公告)号：CN115377070A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210552207.4
申请日：2022-05-20
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) , 中国振华电子集团有限公司
Abstract: 本发明提供的一种低反向导通压降了SiC MOSFET器件，包括其元胞；元胞包括N型耐压层、与N型耐压层的背面接触的N型缓冲、与N型缓冲的背面接触的衬底、与衬底的背面接触的漏极金属层，所述N型耐压层的正面与基区接触；所述元胞的正面还加工有n个深槽将基区分割，所述深槽内的源极金属与源极金属层接触。本发明屏蔽区与连通区连接形成接地的电气接触，从而避免了需要采用终端区接地带来的问题；并且可以调节沟槽数目来调节沟道密度，灵活地调节器件的反向导通压降和比导通电阻。
-
公开(公告)号：CN116682732A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310678076.9
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) , 中国振华电子集团有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/329 , H01L29/872 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/07 , H01L21/82
Abstract: 本发明属于碳化硅功率半导体技术领域，具体涉及一种集成反并联JBS的SiC槽栅MOSFET的制造方法，本方法提供一种高击穿电压、高栅氧可靠性、低比导通电阻以及低反向导通压降的SiC槽栅MOSFET。成功将不兼容的SiC MOSFET以及JBS制作工艺结合在一起，降低制造成本，并且实现了栅氧化层以及肖特基结的P型电场屏蔽层单元胞内接地，提高了接地效果。通过集成JBS，避免了功率SiC MOSFET器件寄生体PN结的导通，降低了反向导通压降以及抑制了双极性退化效应。
-
公开(公告)号：CN116487337A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310634150.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/14 , H01L23/18 , H01L23/498 , H01L23/49 , H01L23/10 , H01L25/065 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供的一种三相全桥IGBT模块及其制作方法，包括底板,所述底板为方形板；塑料框架，所述塑料框架固定在底板上将底板分为三个四周被包围的方槽；芯片陶瓷覆铜板，三块芯片陶瓷覆铜板呈条直线且间隔一定间距设在每个方槽内；IGBT管芯和FRD管芯，同一方槽内的IGBT管芯和FRD管芯组合为一个单相半桥。本发明通过使用集成封装的六单元全桥IGBT模块代替三个并排安装的半桥模块投入使用，降低由于模块公差或装配误差导致的散热不稳定性；安装使用时可以使用单一的控制线路板进行控制，降低了系统复杂度；保证模块中的管芯的一致性，降低了管芯批次性不一致而造成的失效风险。
-
公开(公告)号：CN109599330A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811452396.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明涉及电力电子技术领域，具体为一种用于半导体薄片加工的背面工艺。该工艺的具体实施方法为在减薄晶圆背面表面覆盖一层涂有光刻胶的膜，将膜、光刻胶、减薄晶圆三者贴紧后，使光刻胶均匀的涂在晶圆背面的表面上。该工艺相对于传统的半导体薄片晶圆背面工艺而言，不会由于背面涂胶的不均匀性而导致部分减薄晶圆面积的浪费，从而进一步的降低器件的生产成本，提高器件的良率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.051 seconds)
