公开(公告)号：CN118522704A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410753865.9

申请日：2024-06-12

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 周卓 ,  杨军 ,  简青青 ,  潘雄 ,  陈嘉嘉 ,  严银菓 ,  杨若抵 ,  代骞 ,  方明洪

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/488 ,  H01L23/14 ,  H01L23/24 ,  H01L23/04 ,  H01L21/50 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种集成散热器封装的功率模块及其制造方法，包括散热器、陶瓷覆铜板、电极端子和半导体功率芯片；将若干个所述半导体功率芯片与散热器集成为一体结构，所述陶瓷覆铜板和电极端子设置在散热器上。本发明将散热器、陶瓷覆铜板、电极端子和半导体功率芯片烧结连接，将散热器和功率模块集成一体化，大大降低了功率模块和散热器间的热阻，提高了功率模块的散热能力，解决现有技术中功率模块与散热器间热阻较大，芯片结温高，热量难以及时散出的问题；区别于常规功率模块和散热器分别生产后组装的方法，去掉了导热硅脂涂覆工序，极大地提升了功率模块安装效率。

公开(公告)号：CN118729871A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410956445.0

申请日：2024-07-17

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 王海锐 ,  袁强 ,  王博 ,  郑超 ,  王智 ,  谭爽 ,  赵冲冲 ,  冉龙玄 ,  吴俊德 ,  潘雄

IPC: F42B3/13

Abstract: 一种沟槽型半导体桥芯片及其制备方法，属于火工品技术领域。包括N型硅衬底、二氧化硅层、正面图形多晶硅层、正面图形金属电极层。二氧化硅层的厚度为2000埃~20000埃，正面图形多晶硅层的厚度为10000埃~50000埃，正面图形金属电极层的厚度为10000埃~50000埃。在桥区的两侧边制作尖角形边缘缺口，在桥区两侧边除尖角形边缘缺口外的区域制作成蜂窝沟槽结构，通电后尖角形边缘缺口处及蜂窝沟槽结构的电流密度大大提高，快速形成焦耳热，快速形成等离子体放电。解决了半导体桥火工品发火时间及发火能量很难进一步降低，难以提升半导体桥火工品系统精确性、迅速性的问题。广泛于SCB火工品半导体桥芯片技术领域。

公开(公告)号：CN115201652A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210847309.9

申请日：2022-07-19

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 杨军 ,  吴双彪 ,  姚良智 ,  潘雄 ,  王智 ,  代骞 ,  简青青

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/04

Abstract: 一种半导体功率器件测试系统，属于半导体器件测试领域。包括主机架装置、测试电路装置、测试装置。所述主机架装置包括电控装置、夹具装置、夹具升降装置和加热装置；测试电路装置设有带探针的电气连接件、用于连接半导体功率器件电极的测试探针、用于高度补偿的高度补偿装置；测试电路装置经过道轨插槽插入主机架装置内，测试电路装置与主机架装置采用探针连接；电控装置分别与夹具升降装置、测试电路装置、加热装置连接；测试装置与测试电路装置连接；测试电路装置与半导体功率器件电极为测试探针接触连接。解决了现有技术中半导体功率器件测试装置兼容性差，一种产品型号需要一个专用测试夹具的问题。可广泛应用于半导体分立器件的测试领域。

公开(公告)号：CN217820513U

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202221856379.2

申请日：2022-07-19

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 杨军 ,  吴双彪 ,  姚良智 ,  潘雄 ,  王智 ,  代骞 ,  简青青

IPC: G01R1/04 ,  G01R31/26

Abstract: 一种半导体功率器件测试装置，属于半导体器件测试领域。包括主机架装置、测试板装置。所述主机架装置设有带测试板装置道轨插槽的滑块、带动滑块上下移动的升降装置、探针孔的电气转接板、可加热测试底座；测试板装置设有带探针的电气连接件、用于连接半导体功率器件电极的测试探针、用于高度补偿的高度补偿装置；测试板装置经过道轨插槽插入主机架装置内，测试板装置与主机架装置的电气连接采用探针与探针孔进行可脱离接触连接；测试板装置经过测试探针与半导体功率器件电极进行可脱离接触连接。解决了现有技术中半导体功率器件测试装置兼容性差，一种产品型号需要一个专用测试夹具的问题。可广泛应用于半导体分立器件的测试领域。

公开(公告)号：CN222690670U

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202421332181.3

申请日：2024-06-12

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 周卓 ,  杨军 ,  简青青 ,  潘雄 ,  陈嘉嘉 ,  严银菓 ,  杨若抵 ,  代骞 ,  方明洪

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/488 ,  H01L23/14 ,  H01L23/24 ,  H01L23/04 ,  H01L21/50 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本实用新型公开了一种集成散热器封装的功率模块，包括散热器、陶瓷覆铜板、电极端子和半导体功率芯片；将若干个所述半导体功率芯片与散热器集成为一体结构，所述陶瓷覆铜板和电极端子设置在散热器上。本实用新型将散热器、陶瓷覆铜板、电极端子和半导体功率芯片烧结连接，将散热器和功率模块集成一体化，大大降低了功率模块和散热器间的热阻，提高了功率模块的散热能力，解决现有技术中功率模块与散热器间热阻较大，芯片结温高，热量难以及时散出的问题；区别于常规功率模块和散热器分别生产后组装的方法，去掉了导热硅脂涂覆工序，极大地提升了功率模块安装效率。

公开(公告)号：CN220106484U

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202321580144.X

申请日：2023-06-20

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 潘雄 ,  杨若柢 ,  李佳豪 ,  周卓 ,  彭楷芝 ,  代骞 ,  方明洪 ,  简青青

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/324

Abstract: 本实用新型提供一种电子芯片与层状封装体的烧结夹具，包括底板、垫板和盖板，底板表面设有限位槽，垫板和盖板表面均设有限位孔，层状封装体包括基台和承台，承台表面设有容置槽，盖板、垫板和底板自上而下依序叠装在一起，并且使基台容纳于限位槽内，承台贯穿限位孔，垫板厚度与限位槽深度之和大于基台高度。采用本实用新型的技术方案，在底板与盖板之间还夹塞有垫板，在烧结工序中，使基台表面与盖板底面之间预留有足够的间隙，飞溅的焊接材料、助焊剂难以使垫板与盖板、垫板与底板粘接固化在一起，使操作者在拆卸夹具时，便于对垫板与盖板、垫板与底板进行分离，提高了该夹具的装卸效率，为提高该夹具的重复利用率奠定了基础。

公开(公告)号：CN222865750U

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202421689168.3

申请日：2024-07-17

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 王海锐 ,  袁强 ,  王博 ,  郑超 ,  王智 ,  谭爽 ,  赵冲冲 ,  冉龙玄 ,  吴俊德 ,  潘雄

IPC: F42B3/13

Abstract: 一种沟槽型半导体桥芯片，属于火工品技术领域。所述半导体桥芯片包括N型硅衬底、二氧化硅层、正面图形多晶硅层、正面图形金属电极层。二氧化硅层位于N型硅衬底的上表面，正面图形多晶硅层位于二氧化硅层的上表面，正面图形金属电极层位于正面图形多晶硅层的上表面，多晶硅桥区两侧边制作有V形缺口，在桥区两侧边除V形缺口外区域制作有蜂窝沟槽结构。通电后V形缺口处及蜂窝沟槽结构的电流密度大大提高，快速形成焦耳热，快速形成等离子体放电。解决了半导体桥火工品发火时间及发火能量很难进一步降低，难以提升半导体桥火工品系统精确性、迅速性的问题。广泛于SCB火工品半导体桥芯片技术领域。