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公开(公告)号：CN118729871A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410956445.0
申请日：2024-07-17
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: F42B3/13
Abstract: 一种沟槽型半导体桥芯片及其制备方法，属于火工品技术领域。包括N型硅衬底、二氧化硅层、正面图形多晶硅层、正面图形金属电极层。二氧化硅层的厚度为2000埃~20000埃，正面图形多晶硅层的厚度为10000埃~50000埃，正面图形金属电极层的厚度为10000埃~50000埃。在桥区的两侧边制作尖角形边缘缺口，在桥区两侧边除尖角形边缘缺口外的区域制作成蜂窝沟槽结构，通电后尖角形边缘缺口处及蜂窝沟槽结构的电流密度大大提高，快速形成焦耳热，快速形成等离子体放电。解决了半导体桥火工品发火时间及发火能量很难进一步降低，难以提升半导体桥火工品系统精确性、迅速性的问题。广泛于SCB火工品半导体桥芯片技术领域。
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公开(公告)号：CN116825738A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310824392.2
申请日：2023-07-06
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/48 , H01L23/552 , H01L23/31 , H01L23/535 , H01L23/16 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供的一种开关功率器件的叠层式封装结构，包括：功率电极，功率电极之间呈叠层式排布，相邻层之间通过连接板连接；芯片，若干芯片安装在底部或中部的功率电极上，芯片的侧面有信号电极安装在功率电极上；所述芯片与功率电极之间通过功率导线连接，所述芯片与信号电极之间通过信号导线连接。DC+相、交流相、DC‑相竖直排布，电流路径较短，使得杂散电感、引线电阻等寄生参数较小，系统电性能更好；并且使得整个结构更加紧凑，尺寸更小；信号端子和功率端子由两侧引出，互不干扰；交流相夹在平行的两块大板DC+和DC‑之间，也有利于信号的抗干扰，系统具有更好的的抗干扰性能。
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公开(公告)号：CN118712189A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410858685.7
申请日：2024-06-28
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L25/18 , H01L23/498 , H02M1/00 , H02M1/32 , H02H9/04
Abstract: 本发明提供的一种能够承载超大电流的IGBT模块；包括陶瓷覆铜板,陶瓷覆铜板设有多块相互独立的铜板；桥臂，每个桥臂均包含一个上桥臂和一个下桥臂，每个上桥臂和下桥臂分别通过三颗IGBT芯片和三颗FRD芯片组成；外壳，外壳相对的两侧设有若干功率端子；金属底板,金属底板的边缘交错加工有若干安装孔和外壳安装孔；每个桥臂分别单独设在一个陶瓷覆铜板上，上桥臂和下桥臂分别设在陶瓷覆铜板的两端，三个陶瓷覆铜板竖向并排固定在金属底板中部，外壳固定在金属底板的边缘将三个陶瓷覆铜板包围。模块的三个桥臂均通过三组IGBT芯片和FRD芯片并联而成，使模块能够承载更大的电流，并且在模块内设置了压敏电阻，使模块具有过压保护功能。
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公开(公告)号：CN116487337A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310634150.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/14 , H01L23/18 , H01L23/498 , H01L23/49 , H01L23/10 , H01L25/065 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供的一种三相全桥IGBT模块及其制作方法，包括底板,所述底板为方形板；塑料框架，所述塑料框架固定在底板上将底板分为三个四周被包围的方槽；芯片陶瓷覆铜板，三块芯片陶瓷覆铜板呈条直线且间隔一定间距设在每个方槽内；IGBT管芯和FRD管芯，同一方槽内的IGBT管芯和FRD管芯组合为一个单相半桥。本发明通过使用集成封装的六单元全桥IGBT模块代替三个并排安装的半桥模块投入使用，降低由于模块公差或装配误差导致的散热不稳定性；安装使用时可以使用单一的控制线路板进行控制，降低了系统复杂度；保证模块中的管芯的一致性，降低了管芯批次性不一致而造成的失效风险。
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公开(公告)号：CN118825008A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411034884.2
申请日：2024-07-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L25/18 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极性晶体管模块，多个印制板平行安装在底板上，多个桥臂分别单独安装在一个印制板上，功率输入端子连接在上桥臂和下桥臂之间，第一功率输出端子和第二功率输出端子分别连接在桥臂的两端，G极控制端子、E极信号端子、C极信号端子分别与桥臂G极并联后的线路、E极并联后的线路、C极并联后的线路连接，所述上桥臂G极信号端子和下桥臂G极信号端子分别与上桥臂G极并联后的线路、下桥臂G极并联后的线路连接。本发明通过将多芯片并联实现多个设备的集中控制，并且使模块的额定电流大大增加。
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公开(公告)号：CN116952745A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310556141.0
申请日：2023-05-17
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
Abstract: 本发明提供的一种大尺寸芯片烧焊质量检验装置，包括底座、安装板、夹具、折弯组件；所述安装板固定在底座上，夹具固定在安装板上，折弯组件铰接在夹具上，所述夹具包括装夹块,装夹块内加工有装夹槽,装夹槽内安装有推板,推板与螺纹推杆垂直连接，螺纹推杆通过螺纹装配在装夹块上，所述折弯组件包括连杆,连杆的一端通过转轴铰接在装夹块上，转轴上安装有第二滚筒,连杆上相邻于第二滚筒处安装有第一滚筒。本发明通过两个滚筒对芯片进行完全，使芯片在完全过程中均匀受力，所以能够对大于10mm2的芯片进行测试；通过推板可以调节芯片的高度，可以调节覆铜板的弯曲度和弯曲起始点，使装置能够适应多种规格的芯片。
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公开(公告)号：CN116666374A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310793564.4
申请日：2023-06-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
Abstract: 本发明提供的一种IGBT高抗振性能的封装，包括陶瓷覆铜板,陶瓷覆铜板上印刷有三个图案相同的焊接区；其特征在于：底板,底板贴合固定在陶瓷覆铜板下端；塑料框架,塑料框架固定在底板上从侧面将盖板包围；功率端子和信号端子,多个功率端子和多个信号端子设在塑料框架的边缘上。本发明通过使用集成封装的六单元全桥IGBT模块代替三个并排安装的半桥模块投入使用，降低由于模块公差或装配误差导致的散热不稳定性；每个功率端子背面都有底板完全支撑，背面螺钉均匀分布，外界引起的振动很快可以传导到底板上，而底板是刚性的金属材料，抗振性能极佳，提高模块的抗振性能和可靠性提高。
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公开(公告)号：CN116469917A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310616319.6
申请日：2023-05-29
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供的一种IGBT芯片及其制备方法，包括漂移区；漂移区的正面中部加工有元胞组，元胞组的端面通过正面电极覆盖，漂移区的边缘加工有P+ring区,P+ring区的端面通过依次堆叠有场氧化层、SIN钝化层、PI钝化层，所述漂移区的背面依次加工有场截止区、P+背集电区、背部电极。本发明芯片背面的高能质子H+会形成具有电活性的杂质，结合芯片正面的低掺杂的Pbase和多晶硅栅、边缘的P+ring区，在不影响芯片静态参数的情况下，能有效减少载流子寿命，降低反向关断时间，缩短拖尾电流时间，降低器件关断损耗，从而提高芯片的高频开关表现。
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公开(公告)号：CN117316944A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310901971.2
申请日：2023-07-21
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
Abstract: 本发明提供的一种IGBT模块MJ封装结构及其封装工艺，包括陶瓷覆铜板，陶瓷覆铜板上设有电路；桥臂，多个桥臂纵向布置，每个桥臂包含上桥臂和下桥臂，上桥臂和下桥臂分别通过一颗IGBT芯片和FRD芯片组成；金属底板，金属底板边缘设有信号端子；所述桥臂焊接在陶瓷覆铜板上，所述陶瓷覆铜板固定在金属底板中部，桥臂通过键合导线与信号端子连接；本发明通过采用贴片电阻，贴片电阻能够直接焊接在覆铜板上，不但简化了工艺还提高了产品的可靠性；并且IGBT芯片上的键合点的为“Z”字型排布，减少该模块内部杂散电感，提高开关特性，降低模块的开关损耗，并使模块避免了由于受内部杂散电感影响而产生开通或者关断的损坏现象。
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公开(公告)号：CN118866825A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411193007.X
申请日：2024-08-28
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/10 , H01L23/367 , H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供的一种双面散热气密性封装结构及其制作工艺，包括芯片、漏极电极、栅极电极、源极电极；所述芯片固定在导电盖板内顶部，所述漏极电极固定在陶瓷框架的底端边缘，漏极电极和栅极电极固定在陶瓷框架底端且分别与栅极连接柱和源极连接柱连接，通过将盖板作为漏极电极的连接件，使芯片上下两面都直接与导电导热良好的材料接触，由两面电极向外散热，加快了芯片的散热效率；而所有电极则全部位于底部，方便贴片使用；底部各电极之间采用陶瓷隔开，而陶瓷框架相比塑料框架具有更高的可靠性；上盖纵向顶部与底部电极通过软焊料连接，并使得整个内部具有很好的空间密封性能。
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