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公开(公告)号：CN118866825A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411193007.X
申请日：2024-08-28
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/10 , H01L23/367 , H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供的一种双面散热气密性封装结构及其制作工艺，包括芯片、漏极电极、栅极电极、源极电极；所述芯片固定在导电盖板内顶部，所述漏极电极固定在陶瓷框架的底端边缘，漏极电极和栅极电极固定在陶瓷框架底端且分别与栅极连接柱和源极连接柱连接，通过将盖板作为漏极电极的连接件，使芯片上下两面都直接与导电导热良好的材料接触，由两面电极向外散热，加快了芯片的散热效率；而所有电极则全部位于底部，方便贴片使用；底部各电极之间采用陶瓷隔开，而陶瓷框架相比塑料框架具有更高的可靠性；上盖纵向顶部与底部电极通过软焊料连接，并使得整个内部具有很好的空间密封性能。
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公开(公告)号：CN118748177A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202411032198.1
申请日：2024-07-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/367 , H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种顶部散热的陶瓷表贴封装结构，包括陶瓷顶板；所述陶瓷顶板的下端面一端设有金属层,金属层上安装有芯片，另一端设有源极引出电极、栅极引出电极和源极外电极、栅极外电极，所述源极引出电极和源极外电极及栅极引出电极和栅极外电极之间通过源极电极板连接。本发明将陶瓷板作为封装的顶部，并在仅芯片的每极电极引到盖板及盖板旁，使得用户在使用时可以不改变使用习惯，继续使用底部电极与PCB贴片焊接的方式使用封装后的芯片；并且因为芯片贴合在封装的顶部，实现了电连接与散热路径的分离，并且缩短了散热路径，降低了热阻；散热主路径不经过PCB，不会导致PCB的温升，进而不会因功率器件发热而导致PCB上其他器件的温升。
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公开(公告)号：CN118676082A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410951374.5
申请日：2024-07-16
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供了一种双面散热式功率模块，包括散热底板；所述散热底板上两侧及其中部通过陶瓷覆铜板加工有基岛，散热底板中部及其一侧的基岛上安装有若干芯片，每个芯片旁均安装有一个功率端子，另一侧的基岛上安装有功率端子和信号端子，信号端子通过连接铜排分别与散热底板中部的基岛连接，所述芯片通过连接铜排与散热底板两侧的基岛连接，所述芯片顶部还安装有水冷板。本发明合理的对空间进行布局，使功率模块内部结构紧凑，并通过在芯片上部增加水冷板直接冷却芯片正面，实现双面散热的效果。
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公开(公告)号：CN117316880A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310634140.3
申请日：2023-05-31
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/14 , H01L23/498 , H01L23/04 , H01L23/18 , H01L25/065 , H01L21/48 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供的一种IGBT模块及其制作工艺；通过采用DBC设计、零件设计、线路布局和功率端子直接引出的方式，无需通过PCB引线，直接简化模块结构和生产工艺的同时提升了产品的可靠性和生产工序，本专利通过芯片并联均流仿真设计，降低模块每个并联支路流通量差异，避免了由于受每个并联支路流通量差异大影响而产生芯片损坏现象；在栅极并联的电阻，不但可以通过额外的键合线把并联的IGBT和二极管连接起来，这样可使得并联IGBT的开关行为更对称，可以防止高频率振荡。
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公开(公告)号：CN116860062A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311055184.7
申请日：2023-08-22
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: G05F1/569
Abstract: 一种可调线性稳压集成电路，属于半导体集成电路领域。包括开启偏置电路模块、放大补偿输出电路模块、温度保护模块、安全工作区保护电路模块、静电保护模块。启动偏置电路模块正端与电源端连接，负端与输出端连接；温度保护模块、安全工作区保护电路模块的负端与基准端连接，安全工作区保护电路模块的电压取样端通过输出电压可调取样网络与输出端连接；偏置电流输出端分别与各电路模块对应的偏置电流输入端连接；温度保护模块、电流保护电路模块的输出端与放大补偿输出电路模块相应的端口连接，放大补偿输出电路模块的基准电压输出端通过可调取样网络接地。解决了现有稳压电路体积大、结构复杂、元器件种类数量繁多的问题。广泛应用于复杂环境中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115985934A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211326589.5
申请日：2022-10-27
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供的一种碳化硅非均匀混合P+结构的肖特基结势垒二极管及其制作方法，包括依次叠层设置的金属化阴极、N+衬底、外延区；多个P+ring区和多个P+区设置在外延区的上层，多个P+区的上端通过金属化阳极覆盖，多个P+ring区的顶部及P+区相邻于P+ring区的部分顶部被氧化硅层覆盖，氧化硅层的上端面覆盖有聚酰亚胺层。本发明通过在器件的P+区采用非均匀混合P+离子注入区结构改善了电流量在器件内的分布，提高器件的抗浪涌能力，在不减小正向导通电阻的前提，减小反向漏电流；在器件正向导通时，使更多的电流通过散热能力较强的器件四周区域，更少的电流通过散热能力较差的中间区域，从而避免热量在散热能力较差的的区域集中而损伤器件。
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公开(公告)号：CN114725189A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210504538.0
申请日：2022-05-10
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种沟槽碳化硅MPS二极管结构及制备方法，包括：碳化硅欧姆接触金属，碳化硅欧姆接触金属位于P+沟槽区上，碳化硅欧姆接触金属与沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属，碳化硅肖特基接触金属位于碳化硅外延层及碳化硅欧姆接触金属上方并沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属与碳化硅外延层界面肖特基接触区的沟槽配合结构能够有效增大肖特基接触区的面积，从而有效进一步降低器件的正向导通压降，增大器件的电流密度；而P+沟槽区与碳化硅欧姆接触金属界面欧姆接触区的沟槽沟槽配合结构增加了欧姆接触区域的面积，能够使器件在浪涌模式时可以通过更大的电流，从而使器件的抗浪涌性能得到进一步提高。
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公开(公告)号：CN113707643A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110999766.5
申请日：2021-08-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/538 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/18 , H01L21/768
Abstract: 一种高集成高可靠IGBT功率模块及其制造方法，包括：金属底板、金属底板固定孔、多层布线陶瓷左半桥基片、多层布线陶瓷转接基片、多层布线陶瓷右半桥基片、模块引脚、键合丝、4个IGBT芯片、4个二极管芯片，组成H桥电路结构；综合采用了金属底板、多层陶瓷基片、裸芯片装结键合、金属固接等工艺技术，将多层布线陶瓷左半桥基片、多层布线陶瓷转接基片、多层布线陶瓷右半桥基片贴装焊接在金属底板上，将4个IGBT芯片、4个二极管芯片按设计布局贴装焊接相应基片上。解决了现有IGBT模块耐高压性能差、组装密度低、散热措施复杂、可靠性低的问题。广泛应用于半导体功率电力器件的封装工艺中。
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公开(公告)号：CN113314616A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110639385.6
申请日：2021-06-08
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种双向导通EDS二极管芯片及其制造方法，该芯片包括N型衬底，N型衬底的正面设有两个并列的P区，N型衬底的正面覆盖有氧化层，氧化层上对应P区设有两个并列的金属接点，金属接点穿过氧化层并与P区接触。该方法包括：制作N型衬底，正面热氧化；光刻、扩散形成P区；正面形成新的绝缘材料层；光刻、蒸铝形成金属层；光刻金属层，形成金属接点；背面减薄。本发明构简单，制造时无需双面光刻，降低了工艺复杂性；封装时，可以通过背面粘接或焊接，结构稳定，且不会发生导通，可靠性高。通过在平面结构上横向集成了两个PN结，实现了浪涌电流抑制以及静电保护，双向稳压性能一致性好。
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公开(公告)号：CN118825003A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411057244.3
申请日：2024-08-02
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L25/07 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60
Abstract: 一种氮化镓半桥表贴封装结构及工艺，包括上桥芯片、下桥芯片、输出电极、输入正电极、输入负电极、上桥栅极控制电极、下桥栅极控制电极和基板，下桥芯片下方与基板固定连接，所述下桥芯片上方通过下桥锡珠分别与输出电极、下桥栅极控制电极、输入负电极相连，所述上桥芯片下方通过上桥锡珠分别与电极输出电极、上桥栅极控制电极、输入正电极相连。通过将芯片放置为上下结构，输入正负极设置为叠层结构，使整体的封装结构更加紧凑，以及杂散电感、分布电阻更小，电性能的稳定性及封装稳定性高。
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