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公开(公告)号：CN118825008A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411034884.2
申请日：2024-07-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L25/18 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极性晶体管模块，多个印制板平行安装在底板上，多个桥臂分别单独安装在一个印制板上，功率输入端子连接在上桥臂和下桥臂之间，第一功率输出端子和第二功率输出端子分别连接在桥臂的两端，G极控制端子、E极信号端子、C极信号端子分别与桥臂G极并联后的线路、E极并联后的线路、C极并联后的线路连接，所述上桥臂G极信号端子和下桥臂G极信号端子分别与上桥臂G极并联后的线路、下桥臂G极并联后的线路连接。本发明通过将多芯片并联实现多个设备的集中控制，并且使模块的额定电流大大增加。
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公开(公告)号：CN116952745A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310556141.0
申请日：2023-05-17
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
Abstract: 本发明提供的一种大尺寸芯片烧焊质量检验装置，包括底座、安装板、夹具、折弯组件；所述安装板固定在底座上，夹具固定在安装板上，折弯组件铰接在夹具上，所述夹具包括装夹块,装夹块内加工有装夹槽,装夹槽内安装有推板,推板与螺纹推杆垂直连接，螺纹推杆通过螺纹装配在装夹块上，所述折弯组件包括连杆,连杆的一端通过转轴铰接在装夹块上，转轴上安装有第二滚筒,连杆上相邻于第二滚筒处安装有第一滚筒。本发明通过两个滚筒对芯片进行完全，使芯片在完全过程中均匀受力，所以能够对大于10mm2的芯片进行测试；通过推板可以调节芯片的高度，可以调节覆铜板的弯曲度和弯曲起始点，使装置能够适应多种规格的芯片。
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公开(公告)号：CN114843244A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210545906.6
申请日：2022-05-19
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/498 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供的一种硅平面温度补偿二极管的结构及制备方法，包括：N+衬底；银凸点结构，两个银凸点结构分别对应位于N+衬底上下两端。硅平面温度补偿二极管的结构的N+衬底正面、背面存在银凸点结构，当硅平面温度补偿二极管的结构进行玻璃壳体封装时，阳极银凸点和阴极银凸点位于相反平面上能分别经电极引线进行封装从两端引出，使得硅平面温度补偿二极管的结构适应轴向玻璃壳体封装外形，解决了硅平面温度补偿二极管的结构正负极均为同一平面上不能满足封装要求的问题。
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公开(公告)号：CN118866862A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411201352.3
申请日：2024-08-29
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/498 , H01L23/49
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷贴片封装理想二极管，包括管座；所述管座的端面上加工有凹槽，凹槽内加工有三个通孔，三个通孔内分别固定有两端均突出管座两端面的接地电极、输入电极、输出电极，所述输出电极上安装有控制芯片和MOS芯片；本发明通过使用氧化铝化银底板作为控制芯片的承载部件，将MOS管和控制芯片集成在一个封装内，实现了具有功率输入、功率输出和公共地三个端口的肖特基二极管的替代，相比于肖特基二极管和现有的二极管控制器的方案，在能够在降低导通损耗的同时，进一步降低系统或PCB面积，达到更高的功率密度。
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公开(公告)号：CN118729871A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410956445.0
申请日：2024-07-17
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: F42B3/13
Abstract: 一种沟槽型半导体桥芯片及其制备方法，属于火工品技术领域。包括N型硅衬底、二氧化硅层、正面图形多晶硅层、正面图形金属电极层。二氧化硅层的厚度为2000埃~20000埃，正面图形多晶硅层的厚度为10000埃~50000埃，正面图形金属电极层的厚度为10000埃~50000埃。在桥区的两侧边制作尖角形边缘缺口，在桥区两侧边除尖角形边缘缺口外的区域制作成蜂窝沟槽结构，通电后尖角形边缘缺口处及蜂窝沟槽结构的电流密度大大提高，快速形成焦耳热，快速形成等离子体放电。解决了半导体桥火工品发火时间及发火能量很难进一步降低，难以提升半导体桥火工品系统精确性、迅速性的问题。广泛于SCB火工品半导体桥芯片技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118231480A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410525748.7
申请日：2024-04-29
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/861 , H01L23/31 , H01L21/329 , H01L29/06
Abstract: 一种碳化硅二极管芯片结构及其制作方法，属于半导体二极管芯片技术领域。包括：N型碳化硅衬底，N型外延层，P型场限环区掺杂区，掺氧多晶硅保护层，硼磷硅玻璃保护层，氮化硅保护层，聚酰亚胺保护层，N型外延层P+型掺杂区，N型外延层表面铝硅化合物合金层，N电极层，P电极层。复合钝化层结构从内层到外层依次为：掺氧多晶硅钝化层、硼磷硅玻璃钝化层、氮化硅钝化层、聚酰亚胺钝化层。综合采用外延、光刻、多次高温高能铝离子注入、CVD淀积、掺杂、高温退火、涂覆、减薄、溅射、划片等工艺进行制造。解决现有碳化硅二极管器件在高耐压下场限环区域易发生烧蚀导致器件失效的问题。广泛应用于碳化硅二极管及其他高压器件钝化层技术领域。
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公开(公告)号：CN118776399A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410954688.0
申请日：2024-07-17
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: F42B3/13
Abstract: 一种触发式点火半导体桥芯片的制作方法，属于火工品技术领域。结构包括：硅衬底，桥区，重掺杂多晶硅，金属电极层。方法包括：（1）多晶硅厚度的确定方法；（2）解决光刻胶锯齿的方法；（3）超厚多晶硅厚度的刻蚀方法；（3）超厚金属电极层的刻蚀方法。解决了现有SCB火工品H桥中难以实现超厚多晶硅薄膜、超厚金属电极层刻蚀困难的问题。可广泛应用于SCB火工品火半导体桥芯片的制备中。
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公开(公告)号：CN117613102A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311743803.1
申请日：2023-12-18
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/866 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供的一种平面合金二极管结构及其制备方法，包括N型衬底区；位于所述N型衬底区边缘周围的P型扩散结；位所述N型衬底区的有源区设有P型合金结；所述N型衬底区的表面边缘设有钝化层；所述P型合金结的表面设有阳极金属层；所述N型衬底层背面设有阴极金属层。过将齐纳二极管工作在反向偏置，P型合金区和N型衬底区掺杂浓度比较高，当器件反向偏压逐渐增大时，器件发生了隧道击穿效应，器件边缘的P型扩散区掺杂浓度比较低并且结深较深，可以降低器件边缘电场集中效应，器件击穿点一般位于P型合金结与N型衬底交界位置，可以有效降低器件反向漏电流。
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公开(公告)号：CN118676082A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410951374.5
申请日：2024-07-16
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供了一种双面散热式功率模块，包括散热底板；所述散热底板上两侧及其中部通过陶瓷覆铜板加工有基岛，散热底板中部及其一侧的基岛上安装有若干芯片，每个芯片旁均安装有一个功率端子，另一侧的基岛上安装有功率端子和信号端子，信号端子通过连接铜排分别与散热底板中部的基岛连接，所述芯片通过连接铜排与散热底板两侧的基岛连接，所述芯片顶部还安装有水冷板。本发明合理的对空间进行布局，使功率模块内部结构紧凑，并通过在芯片上部增加水冷板直接冷却芯片正面，实现双面散热的效果。
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公开(公告)号：CN117038741A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311067281.8
申请日：2023-08-23
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/16
Abstract: 本发明提供的一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法；包括从上至下依次堆叠的肖特基接触电极、元胞、欧姆接触电极，所述元胞为方形，元胞包括从上至下依次堆叠的第二外延层、第一外延层、碳化硅N+衬底，所述第一外延层的顶部平行设有若干第一离子注入区,第二外延层上设有若干第二离子注入区,每两个第二离子注入区周期性分布在第一离子注入区上方并与第一离子注入区接触。本发明解决了相似结构正向导通时导通电阻增大的问题，同时也保证了反向漏电也处于很低的水平。
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