公开(公告)号：CN119455764A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411869414.8

申请日：2024-12-18

Applicant: 中国电子工程设计院股份有限公司

Inventor： 白宏伟 ,  赵大为 ,  郝志江 ,  谷金良 ,  郭自强 ,  董翠粉 ,  王前 ,  苗雯雯 ,  刘雅璐

IPC: B01F33/83

Abstract: 本发明公开了一种氧化石墨烯浆料的分散系统，属于石墨烯膜制备技术领域，用以解决现有技术中仅采用机械搅拌制备氧化石墨烯浆液导致氧化石墨烯浆液粘度较大、片径较小的问题。本发明的分散系统，包括依次连接的机械剪切分散单元、均质分散单元和消泡处理单元，均质分散单元包括从机械剪切分散单元至消泡处理单元依次连接的高压均质机和降温罐。本发明可用于氧化石墨烯浆料的分散。

公开(公告)号：CN119797726A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411956616.6

申请日：2024-12-29

Applicant: 中国电子工程设计院股份有限公司

Inventor： 赵大为 ,  郭自强 ,  赵玉柱 ,  白宏伟 ,  郝志江 ,  谷金良 ,  董翠粉 ,  王前 ,  苗雯雯 ,  刘雅璐

IPC: C03B5/00 ,  C03B5/16 ,  C03B5/237

Abstract: 本发明公开了一种玻璃熔融系统，属于玻璃熔窑产生技术领域，用以解决现有技术中每条玻璃容窑生产线配备一个排烟烟囱导致工程造价高、占地面积大的问题。本发明的玻璃熔融系统包括排烟烟囱、玻璃熔窑和蓄热室；蓄热室设于玻璃熔窑的外壁且位于玻璃熔窑的窑头位置，玻璃熔窑的烟气出口与蓄热室的烟气进口连接，蓄热室的烟气出口通过引风机与排烟烟囱连接；排烟烟囱的数量为一个，玻璃熔窑和蓄热室的数量为多个，且玻璃熔窑与蓄热室一一对应，一个排烟烟囱对应多个玻璃熔窑。本发明可用于玻璃熔融。

公开(公告)号：CN119551665A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411869406.3

申请日：2024-12-18

Applicant: 中国电子工程设计院股份有限公司

Inventor： 赵玉柱 ,  白宏伟 ,  赵大为 ,  郝志江 ,  谷金良 ,  郭自强 ,  董翠粉 ,  王前 ,  苗雯雯 ,  刘雅璐

IPC: C01B32/184 ,  C01B32/194 ,  C01B32/198 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯散热膜的生产方法，属于石墨烯散热膜制备技术领域，用以解决现有技术中仅石墨烯散热膜的单片率较低、片径较小导致石墨烯散热膜的散热性能较差的问题。本发明的方法中，将团聚状态的氧化石墨烯和溶剂混合后依次进行机械剪切分散、高压均质、搅拌分散冷却、消泡得到氧化石墨烯浆料，采用消泡氧化石墨烯浆料进行涂布和高温还原，得到石墨烯散热膜。本发明可用于石墨烯散热膜的生产。

公开(公告)号：CN119687683A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411956617.0

申请日：2024-12-29

Applicant: 中国电子工程设计院股份有限公司

Inventor： 郭自强 ,  赵大为 ,  赵玉柱 ,  郝志江 ,  谷金良 ,  白宏伟 ,  董翠粉 ,  王前 ,  苗雯雯 ,  刘雅璐

IPC: F27D17/20 ,  F27D17/17

Abstract: 本发明公开了一种用于熔窑的废气排放方法，属于熔窑废气排放技术领域，该方法包括熔窑产生的废气流入储热腔；判断换热后的废气是否通过废气转换阀的废气进气口流入废气转换阀，若是，则控制器检测脱硫塔、脱硝塔和除尘器工作是否正常，若脱硫塔、脱硝塔和除尘器中的至少一个发生故障，则废气进气口与废气转换阀的第一废气出气口连通，废气从第一废气出气口流出后循环至储热腔中，若脱硫塔、脱硝塔和除尘器均工作正常，则废气出气口与废气转换阀的第二废气出气口连通，废气从第二废气出气口流出，依次经过脱硫塔进行脱硫、脱硝塔进行脱硝和除尘器进行除尘后，从烟囱排放至大气环境中。本发明的本发明可用于熔窑的废气排放。

公开(公告)号：CN119685808A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411869408.2

申请日：2024-12-18

Applicant: 中国电子工程设计院股份有限公司

Inventor： 郝志江 ,  谷金良 ,  赵大为 ,  郭自强 ,  白宏伟 ,  董翠粉 ,  王前 ,  苗雯雯 ,  刘雅璐

IPC: C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种沉积腔内压力的控制方法及化学气相沉积方法，属于化学气相沉积技术领域，用以解决现有技术中沉积腔内压力出现异常时压力调节能力较差的问题。本发明的方法中，腔体压力数据低于腔体压力阈值范围，则设于沉积腔与真空泵连接管路上的第一流量调节阀的开度减小；腔体压力数据高于腔体压力阈值范围，则第一流量调节阀的开度增大；支管压力数据低于支管压力阈值范围，则设于排气支管路上的第二流量调节阀的开度减小；支管压力数据高于支管压力阈值范围，则第二流量调节阀的开度增大；主管气压数据低于主管气压阈值范围，则吸风泵转速降低；主管气压数据高于主管气压阈值范围，则吸风泵转速增大。本发明可用于化学气相沉积。

公开(公告)号：CN119685797A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411869416.7

申请日：2024-12-18

Applicant: 中国电子工程设计院股份有限公司

Inventor： 谷金良 ,  赵玉柱 ,  赵大为 ,  郭自强 ,  郝志江 ,  白宏伟 ,  董翠粉 ,  王前 ,  苗雯雯 ,  刘雅璐

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种集中排气单元和半导体工艺设备，属于化学气相沉积技术领域，用以解决现有技术中真空泵的排气管路的长度过大导致排气顺畅性较差的问题。本发明的集中排气单元用于半导体工艺设备中工艺腔体的排气，集中排气单元包括1个排风风机和多个真空泵，工艺腔体的出气端通过真空泵与排风风机连接，工艺腔体与真空泵一一对应，多个真空泵对应1个排风风机。本发明可用于化学气相沉积。