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公开(公告)号:CN119551665A
公开(公告)日:2025-03-04
申请号:CN202411869406.3
申请日:2024-12-18
Applicant: 中国电子工程设计院股份有限公司
IPC: C01B32/184 , C01B32/194 , C01B32/198 , H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯散热膜的生产方法,属于石墨烯散热膜制备技术领域,用以解决现有技术中仅石墨烯散热膜的单片率较低、片径较小导致石墨烯散热膜的散热性能较差的问题。本发明的方法中,将团聚状态的氧化石墨烯和溶剂混合后依次进行机械剪切分散、高压均质、搅拌分散冷却、消泡得到氧化石墨烯浆料,采用消泡氧化石墨烯浆料进行涂布和高温还原,得到石墨烯散热膜。本发明可用于石墨烯散热膜的生产。
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公开(公告)号:CN119687683A
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202411956617.0
申请日:2024-12-29
Applicant: 中国电子工程设计院股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于熔窑的废气排放方法,属于熔窑废气排放技术领域,该方法包括熔窑产生的废气流入储热腔;判断换热后的废气是否通过废气转换阀的废气进气口流入废气转换阀,若是,则控制器检测脱硫塔、脱硝塔和除尘器工作是否正常,若脱硫塔、脱硝塔和除尘器中的至少一个发生故障,则废气进气口与废气转换阀的第一废气出气口连通,废气从第一废气出气口流出后循环至储热腔中,若脱硫塔、脱硝塔和除尘器均工作正常,则废气出气口与废气转换阀的第二废气出气口连通,废气从第二废气出气口流出,依次经过脱硫塔进行脱硫、脱硝塔进行脱硝和除尘器进行除尘后,从烟囱排放至大气环境中。本发明的本发明可用于熔窑的废气排放。
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公开(公告)号:CN119685797A
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202411869416.7
申请日:2024-12-18
Applicant: 中国电子工程设计院股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种集中排气单元和半导体工艺设备,属于化学气相沉积技术领域,用以解决现有技术中真空泵的排气管路的长度过大导致排气顺畅性较差的问题。本发明的集中排气单元用于半导体工艺设备中工艺腔体的排气,集中排气单元包括1个排风风机和多个真空泵,工艺腔体的出气端通过真空泵与排风风机连接,工艺腔体与真空泵一一对应,多个真空泵对应1个排风风机。本发明可用于化学气相沉积。
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公开(公告)号:CN119797726A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202411956616.6
申请日:2024-12-29
Applicant: 中国电子工程设计院股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种玻璃熔融系统,属于玻璃熔窑产生技术领域,用以解决现有技术中每条玻璃容窑生产线配备一个排烟烟囱导致工程造价高、占地面积大的问题。本发明的玻璃熔融系统包括排烟烟囱、玻璃熔窑和蓄热室;蓄热室设于玻璃熔窑的外壁且位于玻璃熔窑的窑头位置,玻璃熔窑的烟气出口与蓄热室的烟气进口连接,蓄热室的烟气出口通过引风机与排烟烟囱连接;排烟烟囱的数量为一个,玻璃熔窑和蓄热室的数量为多个,且玻璃熔窑与蓄热室一一对应,一个排烟烟囱对应多个玻璃熔窑。本发明可用于玻璃熔融。
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公开(公告)号:CN221254315U
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202323171334.9
申请日:2023-11-23
Applicant: 中国电子工程设计院股份有限公司
Abstract: 本实用新型属于碳化硅废水技术领域,公开了一种半导体碳化硅废水处理系统,包括依次相连通的调节池、第一反应池、第二反应池、混合池、絮凝池、沉淀池、浸没式膜过滤池、中间水池、反渗透回用装置和产水池;所述调节池入水口通过管道分别与冷却废水的输送管、洁净清洗废水的排水管、反渗透回用装置的浓水出口相连;所述浸没式膜过滤池的入水口还通过管道与纯水生产浓水的排水管相连,浸没式膜过滤池中设置生物净化膜;所述中间水池的出水口还通过管道连接至市政管网;所述产水池的出口通过回用泵连接至回用系统。本实用新型可实现碳化硅废水的回收再利用,保护环境,减少污染。
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