公开(公告)号：CN112259532B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202011059954.1

申请日：2020-09-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 常青松 ,  魏少伟 ,  赵瑞华 ,  孙鉴英 ,  徐达 ,  唐晓赫 ,  闫妍 ,  张军莹 ,  戎子龙 ,  李秀琴 ,  姜永娜 ,  李刚 ,  李子含 ,  曹若男 ,  郭江红

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明提供了一种微波毫米波封装器件，属于芯片封装技术领域，包括金属管壳、基板以及多个屏蔽罩；其中，金属管壳的侧壁设有输入连接器和输出连接器；基板设于金属管壳内部，基板内部设有电路网络，电路网络与输入连接器和输出连接器分别电连接；基板上贴装有多个分别与电路网络电连接的片式元件，还设有多个分别与电路网络电连接的高频芯片；多个屏蔽罩分别罩设于各个高频芯片上，并与基板焊接固定。本发明提供的微波毫米波封装器件，采用屏蔽罩集成装配于基板上的方式，集成度高，有利于实现微波毫米波封装器件的小型化设计，且能够简化金属管壳的结构，降低加工成本。本发明还提供了一种制作上述微波毫米波封装器件的方法。

公开(公告)号：CN112259532A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202011059954.1

申请日：2020-09-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 常青松 ,  魏少伟 ,  赵瑞华 ,  孙鉴英 ,  徐达 ,  唐晓赫 ,  闫妍 ,  张军莹 ,  戎子龙 ,  李秀琴 ,  姜永娜 ,  李刚 ,  李子含 ,  曹若男 ,  郭江红

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明提供了一种微波毫米波封装器件，属于芯片封装技术领域，包括金属管壳、基板以及多个屏蔽罩；其中，金属管壳的侧壁设有输入连接器和输出连接器；基板设于金属管壳内部，基板内部设有电路网络，电路网络与输入连接器和输出连接器分别电连接；基板上贴装有多个分别与电路网络电连接的片式元件，还设有多个分别与电路网络电连接的高频芯片；多个屏蔽罩分别罩设于各个高频芯片上，并与基板焊接固定。本发明提供的微波毫米波封装器件，采用屏蔽罩集成装配于基板上的方式，集成度高，有利于实现微波毫米波封装器件的小型化设计，且能够简化金属管壳的结构，降低加工成本。本发明还提供了一种制作上述微波毫米波封装器件的方法。

公开(公告)号：CN112687616B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011551749.7

申请日：2020-12-24

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 李仕俊 ,  赵瑞华 ,  唐晓赫 ,  闫妍 ,  徐达 ,  杨彦锋 ,  张延青 ,  张军莹 ,  姜永娜 ,  魏莉媛 ,  董松松 ,  苗润清 ,  尤兆宁 ,  崔晓娜 ,  曹晓宁

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明适用于微波组件技术领域，提供了一种射频管壳的制备方法及射频管壳，包括：在基板上溅射多层金属得到第一种子层，在第一种子层上第一区域和第二区域上电镀金分别制备金导体层；去除金导体层区域外的第一种子层，在第一区域与第二区域之间制备薄膜电阻，得到第一样品；对第一样品采用第一预设温度烘烤并空气退火，得到第二样品；在第二样品的表面溅射多层金属得到第二种子层，在第二种子层上电镀铜制备铜导体层；在第三区域中的第四区域上再次电镀铜，加高铜导体层；去除铜导体层区域外的第二种子层。本发明完成高精度金导体层制备，从而实现高密度布线，通过制备铜导体层叠加金导体层的叠加结构，防止电迁移，保证器件长期稳定性。

公开(公告)号：CN112687616A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011551749.7

申请日：2020-12-24

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 李仕俊 ,  赵瑞华 ,  唐晓赫 ,  闫妍 ,  徐达 ,  杨彦锋 ,  张延青 ,  张军莹 ,  姜永娜 ,  魏莉媛 ,  董松松 ,  苗润清 ,  尤兆宁 ,  崔晓娜 ,  曹晓宁

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明适用于微波组件技术领域，提供了一种射频管壳的制备方法及射频管壳，包括：在基板上溅射多层金属得到第一种子层，在第一种子层上第一区域和第二区域上电镀金分别制备金导体层；去除金导体层区域外的第一种子层，在第一区域与第二区域之间制备薄膜电阻，得到第一样品；对第一样品采用第一预设温度烘烤并空气退火，得到第二样品；在第二样品的表面溅射多层金属得到第二种子层，在第二种子层上电镀铜制备铜导体层；在第三区域中的第四区域上再次电镀铜，加高铜导体层；去除铜导体层区域外的第二种子层。本发明完成高精度金导体层制备，从而实现高密度布线，通过制备铜导体层叠加金导体层的叠加结构，防止电迁移，保证器件长期稳定性。