三维堆叠电路结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN111128908B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN201911155674.8

    申请日:2019-11-22

    Abstract: 本发明提供了一种三维堆叠电路结构及其制备方法,属于微电子封装领域,电路基板上设有第一过孔构件,封装底板上设有第二过孔构件,相邻电路基板之间设有第一焊球,第一过孔构件之间通过第一焊球导电连接,底层电路基板上的第一过孔构件与第二过孔构件导电连接;第一焊球呈预设阵列分布,配合电路基板接地层形成虚拟金属腔体。本发明提供的三维堆叠电路结构及其制备方法,信号路径短,有效降低上层电路基板的接地寄生效应;虚拟金属腔体使各个信号链路通道之间实现高隔离度抑制,在高集成度条件下实现高频信号传输和处理,可调整虚拟金属腔谐振频率,避免微波链路信号在虚拟金属腔体内发生谐振造成电路性能恶化。

    绝缘子针的制备方法及绝缘子针

    公开(公告)号:CN112687617B

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202011551776.4

    申请日:2020-12-24

    Abstract: 本发明适用于半导体技术领域,提供了一种绝缘子针的制备方法及绝缘子针,该方法包括:分别在上基板和下基板上制备阵列方式排列的多个过孔,并在上基板和下基板的表面以及过孔内溅射种子层;通过逐层电镀的方式,在溅射种子层的上基板和下基板的过孔内、上下表面电镀预设高度的金属;刻蚀掉电镀后的上基板和下基板上未电镀区域的种子层;在刻蚀后的上基板和下基板的金属表面制备保护层;将制备保护层的上基板的第一围墙和制备保护层的下基板的第三围墙对应键合,形成空气同轴绝缘子针。本发明绝缘子针的针间距一体化设计,可以提高金属管壳高密度互联的需求,且在绝缘子针表面形成安装面,使射频端就近接地隔离,损耗小且高频特性好。

    超薄金锡焊料裁切装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111215684A

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN202010058635.2

    申请日:2020-01-19

    Abstract: 本发明提供了一种超薄金锡焊料裁切装置,属于焊料裁切技术领域,包括固定台架、原料组件、送料组件以及切刀组件,原料组件包括用于缠绕焊料的焊料轮和用于支撑焊料轮的轮支架;送料组件包括横向移动机构和用于驱动横向移动机构纵向移动的纵向移动机构,纵向移动机构设置于固定台架上,轮支架安装于横向移动机构或安装在纵向移动机构的滑块上,横向移动机构用于传送缠绕于焊料轮上的焊料;切刀组件用于裁切输送至切刀组件的焊料。本发明提供的超薄金锡焊料裁切装置,裁切效率高,省时省力,裁切的焊料尺寸精度高,且焊料尺寸一致性好。

    绝缘子针的制备方法及绝缘子针

    公开(公告)号:CN112687617A

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202011551776.4

    申请日:2020-12-24

    Abstract: 本发明适用于半导体技术领域,提供了一种绝缘子针的制备方法及绝缘子针,该方法包括:分别在上基板和下基板上制备阵列方式排列的多个过孔,并在上基板和下基板的表面以及过孔内溅射种子层;通过逐层电镀的方式,在溅射种子层的上基板和下基板的过孔内、上下表面电镀预设高度的金属;刻蚀掉电镀后的上基板和下基板上未电镀区域的种子层;在刻蚀后的上基板和下基板的金属表面制备保护层;将制备保护层的上基板的第一围墙和制备保护层的下基板的第三围墙对应键合,形成空气同轴绝缘子针。本发明绝缘子针的针间距一体化设计,可以提高金属管壳高密度互联的需求,且在绝缘子针表面形成安装面,使射频端就近接地隔离,损耗小且高频特性好。

    三维堆叠电路结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN111128908A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201911155674.8

    申请日:2019-11-22

    Abstract: 本发明提供了一种三维堆叠电路结构及其制备方法,属于微电子封装领域,电路基板上设有第一过孔构件,封装底板上设有第二过孔构件,相邻电路基板之间设有第一焊球,第一过孔构件之间通过第一焊球导电连接,底层电路基板上的第一过孔构件与第二过孔构件导电连接;第一焊球呈预设阵列分布,配合电路基板接地层形成虚拟金属腔体。本发明提供的三维堆叠电路结构及其制备方法,信号路径短,有效降低上层电路基板的接地寄生效应;虚拟金属腔体使各个信号链路通道之间实现高隔离度抑制,在高集成度条件下实现高频信号传输和处理,可调整虚拟金属腔谐振频率,避免微波链路信号在虚拟金属腔体内发生谐振造成电路性能恶化。

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