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公开(公告)号：CN118109900A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311710823.9
申请日：2023-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种金刚石氮化铝异质结外延材料制备方法，该方法包括：在氢气气氛下对单晶立方结构的金刚石衬底进行热处理，得到表面修复后的金刚石衬底，其中，金刚石衬底为001晶向。将表面修复后的金刚石衬底在氢等离子体中进行氢处理，在金刚石衬底表面形成C‑H键，得到氢处理后的金刚石衬底。在氢处理后的金刚石衬底表面生长立方结构的氮化铝，制备得到立方结构的金刚石氮化铝异质结外延材料。本发明采用001晶向的立方结构金刚石衬底进行外延生长，可制备得到立方结构氮化铝，形成金刚石氮化铝异质结。制备得到的立方金刚石/立方氮化铝的异质结晶格匹配度高、异质结界面外延缺陷少，提升了金刚石氮化铝异质结外延材料的导电性能。
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公开(公告)号：CN118315404A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410421414.5
申请日：2024-04-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请适用于半导体探测器技术领域，提供了一种阵列型光电探测器芯片的封装结构，包括：阵列型光电探测器芯片包括n个阵列型的探测器像元；阵列型光电探测器芯片位于封装底座和封装盖板围成的腔体的内部；绝缘互连层设置在封装盖板的内表面；绝缘互连层的内部设置有数条相互隔离的透明的导电连接线，每条导电连接线的一端与阵列型光电探测器芯片的一个电极通过焊点实现电连接，每条导电连接线的另一端经过封装底座与管脚实现电连接；管脚设置在封装底座的底部。本申请能够解决正面入射式面阵列光电探测器面临复杂的像素引线的问题，同时提高探测器像元的响应灵敏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118335761A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410421416.4
申请日：2024-04-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请适用于半导体探测器技术领域，提供了一种阵列型光电探测器芯片的封装结构，包括：阵列型光电探测器芯片、封装底座和封装盖板；阵列型光电探测器芯片包括n个阵列型的探测器像元；封装底座的底面和四周围成一个腔体；阵列型光电探测器芯片置于封装底座的上表面，位于腔体的内部；封装盖板位于封装底座之上，封装盖板和封装底座将腔体密封；封装盖板包括不透光区域和n个透光区域；n个透光区域与n个探测器像元一一对应；其中，n≥2；封装盖板的n个透光区域以外区域为不透光区域。本申请的阵列型光电探测器芯片的封装结构能够减小信号串扰，同时提高探测器像元的响应灵敏度。
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公开(公告)号：CN118315402A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410325459.2
申请日：2024-03-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种阵列型光电探测器芯片及其制备方法，属于半导体探测器技术领域。本发明通过设置衬底、第一外延层、多个相互隔离台面的第二外延层，实现阵列式探测，而且各台面共用第一外延层共同连接第一电极，减少电极数量，减少了电极对芯片正面的面积占用。在此基础上，在台面的侧面以及相邻台面之间区域设置不透光层，一方面不透光层避免了相邻台面侧面的反射光对本台面的串扰，另一方面不透光层也避免了本台面顶面入射光在台面内部反射、侧向射出后、对相邻台面的串扰，减少了相邻像元信号串扰，提升了探测器成像质量。
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公开(公告)号：CN117894830A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311717119.6
申请日：2023-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/267 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种金刚石氮化铝异质结场效应晶体管及其制备方法，该方法包括：在金刚石衬底上表面的目标区域制备保护层。对目标区域之外的金刚石衬底表面进行氧等离子体处理，得到氧终端。去除目标区域的保护层，并在氧终端的遮蔽下，在目标区域外延生长氮化铝，制备得到金刚石氮化铝异质结的导电沟道。在目标区域的氮化铝遮蔽下，对目标区域之外的氧终端进行氢等离子体处理，得到氢终端的导电沟道。在氢终端的导电沟道上制备源电极、漏电极，在氮化铝上制备栅电极，得到场效应晶体管。本发明避免了现有方式刻蚀深度难以控制、难以刚好刻蚀至异质结导电沟道上的问题，降低了器件制备难度。
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公开(公告)号：CN118335762A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410421418.3
申请日：2024-04-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请适用于半导体探测器技术领域，提供了一种阵列型光电探测器芯片，包括：衬底、第一外延层、第二外延层、隔离层、聚光层、第一电极和第二电极；第一外延层位于衬底之上；第二外延层位于第一外延层之上，第一外延层和第二外延层共同形成相互隔离的n个凸台；相邻凸台之间设置有隔离层；n个凸台呈阵列排布，构成n个阵列排布的探测器像元；其中，n≥2；聚光层位于凸台的台面之上，聚光层包括n个具有曲面结构的微透镜，微透镜与凸台一一对应设置；第一电极与第一外延层形成电连接，各凸台之间通过第一外延层共电极连通；第二电极与第二外延层形成电连接。本申请的阵列型光电探测器芯片能够减小信号串扰，同时提高探测器像元的响应灵敏度。
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公开(公告)号：CN118311486A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410374558.X
申请日：2024-03-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/24
Abstract: 本发明适用于金刚石色心量子传感技术领域，提供了一种金刚石NV色心磁强测量方法及系统，该方法包括：控制系统中的微波信号源进行扫频，并获取扫频过程中系统的锁相放大器输出的电压信号；根据电压信号，确定当前磁场强度下的光探测磁共振谱线；根据光探测磁共振谱线，确定金刚石NV色心的NV轴方向对应的微波共振频率；基于金刚石NV色心的NV轴方向对应的微波共振频率对微波信号源进行锁频，以使系统测量磁场强度。本发明能够解决基于磁通量聚集器技术的磁测量方法测量量程低的问题。
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