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公开(公告)号:CN110768638B
公开(公告)日:2023-01-10
申请号:CN201911063248.1
申请日:2019-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03G3/30
Abstract: 本发明属于低中频接收系统技术领域,涉及一种单电压控制电调衰减电路和稳幅装置。所述电路包括:控制模块、第一衰减模块、第二衰减模块和第三衰减模块;控制模块将外部电源的电压转换为预设电压输出给第一衰减模块和第三衰减模块,且根据外部电源的电压向第二衰减模块输出导通电压;第一衰减模块和第三衰减模块在接收到预设电压后控制端电压均升高,第二衰减模块在接收到导通电压后控制端电压降低,射频信号经过第一衰减模块、第二衰减模块和第三衰减模块得到衰减信号。本发明具有结构简单、单电压控制、高输出P‑1和适用频率范围大等优点,方便在低中频系统中的使用。
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公开(公告)号:CN114268332A
公开(公告)日:2022-04-01
申请号:CN202111582752.X
申请日:2021-12-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04B1/04
Abstract: 本发明适用于微波设备技术领域,提供了一种基于检波的有源微波限幅器及通信系统,上述限幅器包括:包括:双向耦合器、第一检波模块、第二检波模块、限幅驱动模块、PIN二极管、天线端及功率发射端;第一检波模块的输出端与限幅驱动模块的第一输入端连接,第二检波模块的输出端与限幅驱动模块的第二输入端连接;限幅驱动模块根据第一检波模块输出的第一检波信号和第二检波模块输出的第二检波信号生成驱动信号,驱动PIN二极管导通。本发明基于双向耦合器的特性,当有天线端有大功率信号注入时,正向检波输出和反向检波输出叠加作用到PIN二极管的正极,驱动其导通,实现了对大功率信号的单向防护。
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公开(公告)号:CN111029338A
公开(公告)日:2020-04-17
申请号:CN201911155016.9
申请日:2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种电路基板及堆叠电路结构,属于三维电路领域,包括基板主体及设于所述基板主体上的第一接地过孔,所述第一接地过孔内填充有第一金属导电芯。本发明提供的电路基板及堆叠电路结构,第一接地过孔中填充有第一金属导电芯,由于采用金属填充物,第一接地过孔的导电性能显著提高,能有效降低第一接地过孔的电阻,进而有效降低电路基板在使用过程中的寄生效应,有利于提高堆叠电路结构整体的电路性能。
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公开(公告)号:CN110768638A
公开(公告)日:2020-02-07
申请号:CN201911063248.1
申请日:2019-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03G3/30
Abstract: 本发明属于低中频接收系统技术领域,涉及一种单电压控制电调衰减电路和稳幅装置。所述电路包括:控制模块、第一衰减模块、第二衰减模块和第三衰减模块;控制模块将外部电源的电压转换为预设电压输出给第一衰减模块和第三衰减模块,且根据外部电源的电压向第二衰减模块输出导通电压;第一衰减模块和第三衰减模块在接收到预设电压后控制端电压均升高,第二衰减模块在接收到导通电压后控制端电压降低,射频信号经过第一衰减模块、第二衰减模块和第三衰减模块得到衰减信号。本发明具有结构简单、单电压控制、高输出P-1和适用频率范围大等优点,方便在低中频系统中的使用。
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公开(公告)号:CN109450399A
公开(公告)日:2019-03-08
申请号:CN201811257812.9
申请日:2018-10-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03G3/30
Abstract: 本发明公开了一种电调衰减电路,包括射频衰减模块和控制模块,射频衰减模块的输入端接入射频信号,射频衰减模块的输出端输出衰减信号,射频衰减模块的第一受控端和第二受控端分别与控制模块的第一输出端和第二输出端一一对应连接,控制模块的输入端接入控制信号。通过输入控制模块的控制信号的电压变化,使控制模块控制射频衰减模块对射频信号的衰减比例随之变化,实现了电调衰减的功能,结构简单,调节线性程度高,可靠性高。
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公开(公告)号:CN114268332B
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202111582752.X
申请日:2021-12-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04B1/04
Abstract: 本发明适用于微波设备技术领域,提供了一种基于检波的有源微波限幅器及通信系统,上述限幅器包括:包括:双向耦合器、第一检波模块、第二检波模块、限幅驱动模块、PIN二极管、天线端及功率发射端;第一检波模块的输出端与限幅驱动模块的第一输入端连接,第二检波模块的输出端与限幅驱动模块的第二输入端连接;限幅驱动模块根据第一检波模块输出的第一检波信号和第二检波模块输出的第二检波信号生成驱动信号,驱动PIN二极管导通。本发明基于双向耦合器的特性,当有天线端有大功率信号注入时,正向检波输出和反向检波输出叠加作用到PIN二极管的正极,驱动其导通,实现了对大功率信号的单向防护。
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公开(公告)号:CN110868793A
公开(公告)日:2020-03-06
申请号:CN201911154977.8
申请日:2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于微波电路设计技术领域,提供了一种屏蔽结构和三维集成微波电路,包括:下基板、下基板接地焊盘、上基板和上基板接地焊盘。屏蔽接地焊球设置在下基板接地焊盘与上基板接地焊盘之间;屏蔽接地焊球排列形成至少一个封闭图形,封闭图形构成屏蔽腔。本申请实施例提供的屏蔽结构及三维集成微波电路,利用屏蔽接地焊球排列形成封闭的屏蔽腔。通过控制构成每个屏蔽腔的相邻屏蔽接地焊球的距离,能够达到良好的电磁波屏蔽和隔离效果。经试验,本申请实施例提供的屏蔽结构在毫米波频段隔离度可以达到40dBc以上,有效解决了小型化三维电路中电磁兼容和电磁干扰的问题。
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公开(公告)号:CN109887904A
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201910304654.6
申请日:2019-04-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子组装技术领域,提供了一种毫米波芯片的封装结构及印刷电路板,所述毫米波芯片的封装结构,包括:用于承载所述毫米波芯片的芯片载板,以及,覆盖于所述芯片载板上与所述芯片载板之间形成至少一个金属腔体的芯片盖板,其中,所述金属腔体用于容纳所述毫米波芯片,所述芯片盖板上设置有延伸至所述金属腔体的金属脊。本发明提供的毫米波芯片的封装结构具备较好的空间隔离度,有利于提高所封装的毫米波芯片的射频性能。
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公开(公告)号:CN211457498U
公开(公告)日:2020-09-08
申请号:CN201922041674.7
申请日:2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于微波电路设计技术领域,提供了一种屏蔽结构和三维集成微波电路,包括:下基板、下基板接地焊盘、上基板和上基板接地焊盘。屏蔽接地焊球设置在下基板接地焊盘与上基板接地焊盘之间;屏蔽接地焊球排列形成至少一个封闭图形,封闭图形构成屏蔽腔。本申请实施例提供的屏蔽结构及三维集成微波电路,利用屏蔽接地焊球排列形成封闭的屏蔽腔。通过控制构成每个屏蔽腔的相邻屏蔽接地焊球的距离,能够达到良好的电磁波屏蔽和隔离效果。经试验,本申请实施例提供的屏蔽结构在毫米波频段隔离度可以达到40dBc以上,有效解决了小型化三维电路中电磁兼容和电磁干扰的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN209658170U
公开(公告)日:2019-11-19
申请号:CN201920518790.0
申请日:2019-04-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型提供了一种毫米波芯片的封装结构及印刷电路板,所述毫米波芯片的封装结构,包括:用于承载所述毫米波芯片的芯片载板,以及,覆盖于所述芯片载板上与所述芯片载板之间形成至少一个金属腔体的芯片盖板,其中,所述金属腔体用于容纳所述毫米波芯片,所述芯片盖板上设置有延伸至所述金属腔体的金属脊。本实用新型提供的毫米波芯片的封装结构具备较好的空间隔离度,有利于提高所封装的毫米波芯片的射频性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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