公开(公告)号：CN104409492A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410615577.3

申请日：2014-11-05

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 赵正平 ,  冯志红 ,  王现彬 ,  王元刚 ,  邹学锋 ,  吕元杰 ,  房玉龙 ,  敦少博

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/12 ,  H01L29/151 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明公开了一种氮极性GaN晶体管，涉及半导体器件技术领域。所述晶体管自下而上包括衬底层、GaN缓冲层、AlxGaN背势垒层、GaN沟道层以及位于GaN沟道层上表面的源极，栅极和漏极，所述AlxGaN背势垒层自下而上包括Al组分从小到大渐变的第一渐变AlxGaN背势垒层，Al组分从大到小渐变的第二渐变AlxGaN背势垒层以及天然AlxGaN背势垒层，其中0