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公开(公告)号:CN119677188A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202411765842.6
申请日:2024-12-04
Applicant: 中国石油大学(华东)
Abstract: 本发明属于光探测技术领域,具体涉及一种宽带自驱动光电探测器,该宽带自驱动光电探测器,由上至下依次包括金属In点电极、金属Pd前电极、PdTe2修饰制备Sb2O3二维薄膜层、Si单晶基底和金属In背电极。PdTe2修饰制备Sb2O3二维薄膜层是利用磁控溅射、化学气相沉积等方法制备的。测试结果显示,所制备薄膜器件在深紫外至红外光照下表现出良好的自驱动光探测性能,具有性能稳定等优点。
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公开(公告)号:CN111446325A
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN202010262384.X
申请日:2020-04-07
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0336 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/02 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于光探测技术领域,具体涉及一种光电探测器及其制备方法,该光电探测器由上至下依次包括金属In点电极、金属Pd顶电极、硅烷接枝TiO2纳米棒阵列层、n型单晶硅基底和金属In底电极,其中n型单晶硅层与硅烷接枝TiO2纳米棒阵列层构成异质结。硅烷接枝TiO2纳米棒阵列层是利用旋涂法、水热法、恒温水浴法制备的。本发明采用硅烷接枝TiO2纳米棒阵列/硅异质结,实现对紫外到近红外波长范围内的光电探测。本发明所制备的光电探测器表现出良好的自驱动光探测性能,可用于光谱仪、成像器件,激光雷达等领域。
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公开(公告)号:CN111446324A
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN202010260273.5
申请日:2020-04-03
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: H01L31/109 , H01L31/0328 , H01L31/18 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/08
Abstract: 本发明属于光探测技术领域,具体涉及一种自驱动光电探测器,该光电探测器由上至下依次包括金属In点电极、金属Pd顶电极、掺杂氮的氧化锌纳米棒阵列薄膜层、p型单晶硅基底和金属In底电极,其中p型单晶硅层与掺杂氮的氧化锌纳米棒阵列薄膜层构成异质结。掺杂氮的氧化锌纳米棒阵列薄膜层是利用磁控溅射法和水热法制备的。测试结果显示,所制备的器件可以实现对从紫外到近红外波长范围内光的自驱动光电探测,且具有良好的稳定性和重复性等优点。
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公开(公告)号:CN117423768A
公开(公告)日:2024-01-19
申请号:CN202311258975.X
申请日:2023-09-27
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: H01L31/109 , H01L31/0392 , H01L31/0336 , H01L31/032 , H01L31/028 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于光探测技术领域,具体涉及一种基于Sb2O3纳米棒/Si异质结的深紫外自驱动光电探测器及其制备方法,该自驱动光电探测器,由上至下依次包括金属In点电极、金属Pd前电极、PdTe2修饰制备Sb2O3纳米棒薄膜层、Si单晶基底和金属In背电极。PdTe2修饰制备Sb2O3纳米棒薄膜层是利用磁控溅射、化学气相沉积等方法制备的。测试结果显示,所制备薄膜器件在深紫外光照下表现出良好的自驱动光探测性能,具有性能稳定等优点。
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公开(公告)号:CN108054233A
公开(公告)日:2018-05-18
申请号:CN201711306165.1
申请日:2017-12-11
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光探测技术领域,具体涉及一种具有纳米复合异质结构的红外光探测器,该具有纳米复合异质结构的红外光探测器,由上至下依次包括金属In点电极、金属Pd前电极、WO3‑x‑WSe2复合薄膜层、SiO2绝缘缓冲层、Si单晶基底和金属In背电极。WO3‑x‑WSe2复合薄膜层是通过在Si基底上射频磁控溅射WSe2薄膜及在空气中进行热处理制备的。测试结果显示,所制备薄膜器件表现出良好的红外光响应性能,具有响应速度快等优点。
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公开(公告)号:CN103558253B
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201310556642.5
申请日:2013-11-11
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明具体提供了一种以二氧化硅覆盖的硅片为衬底,以二氧化钛半导体为基体材料,以钯为催化层的高性能氢气探测器。首先利用射频磁控溅射方法在二氧化硅覆盖的硅衬底上生长二氧化钛薄膜;然后通过掩膜和直流磁控溅射方法在薄膜表面制备比二氧化钛膜面积小的钯催化层。本发明利用钯膜的催化效应和二氧化钛/二氧化硅/硅异质结的放大效应制备的钯/二氧化钛/二氧化硅/硅异质结氢气探测器具有工艺简单,成本低廉,无需加热器,能在室温下工作,且具有耗能低,灵敏度高,响应、恢复时间短的特点,对氢气具有良好的检测性能,具有重要的应用前景。
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公开(公告)号:CN103558253A
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201310556642.5
申请日:2013-11-11
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明具体提供了一种以二氧化硅覆盖的硅片为衬底,以二氧化钛半导体为基体材料,以钯为催化层的高性能氢气探测器。首先利用射频磁控溅射方法在二氧化硅覆盖的硅衬底上生长二氧化钛薄膜;然后通过掩膜和直流磁控溅射方法在薄膜表面制备比二氧化钛膜面积小的钯催化层。本发明利用钯膜的催化效应和二氧化钛/二氧化硅/硅异质结的放大效应制备的钯/二氧化钛/二氧化硅/硅异质结氢气探测器具有工艺简单,成本低廉,无需加热器,能在室温下工作,且具有耗能低,灵敏度高,响应、恢复时间短的特点,对氢气具有良好的检测性能,具有重要的应用前景。
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公开(公告)号:CN116190496A
公开(公告)日:2023-05-30
申请号:CN202310355766.0
申请日:2023-04-06
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/032 , A61B5/1455 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于光探测技术领域,具体涉及一种自驱动光电探测器,一种基于六臂星状硫化铅(PbS)的柔性光电探测器件的制备,其特征在于:包括树突状PbS粉末涂层、石墨叉指电极、银浆电极、金属铜导线,使用4B铅笔填充激光打印机打印于纸上的叉指电极轮廓,PbS粉末均匀涂抹于叉指电极中间的活性区域,银浆涂抹于两侧石墨焊盘,焊接金属铜导线,封装成柔性光电探测器。测试结果显示,所制备器件表现出良好的自驱动光探测性能,具有性能稳定等优点。电容积脉搏波(PPG)已成为一种广泛使用的光学传感方法,通过收集通过皮肤反射或透射的光来监测皮下血管中的血流脉动。在这里,我们开发了一种双波长PPG传感器来监测SpO2的变化,使用红色(650nm)和红外(900nm)LED照亮食指的尖端,并使用基于六臂星状PbS的光电探测器来测量透射光,以检测血氧浓度。
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公开(公告)号:CN113054056A
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN202110258529.3
申请日:2021-03-10
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种纸基树突状硫化铅柔性光电探测器的制备方法,属于纳米材料光电探测器件制备技术领域。在该发明过程中,首先利用激光打印机打印叉指电极轮廓,然后通过水热生长方法合成了树突状硫化铅粉末,并通过物理摩擦的方法同时实现了石墨叉指电极的获得和硫化铅粉末向活性区域的转移,最后利用银浆的实现了金属铜导线的连接。该方法制得的纸基树突状硫化铅柔性光电探测器形貌规整,尺寸均一,重复性良好,实现了宽光带响应。制备的纸基树突状硫化铅柔性光电探测器料在红外探测以及未来的灵活、可穿戴和透明电子和光电子器件方面有着良好的前景。
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公开(公告)号:CN113054055A
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN202110258297.1
申请日:2021-03-10
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0392 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于光探测技术领域,具体涉及一种自驱动光电探测器,该自驱动光电探测器,由上至下依次包括导电银胶点电极、金属钯前电极、硒化锡纳米薄膜层、二氧化锡多层球壳结构薄膜层、硅单晶基底和金属铟背电极。二氧化锡多层球壳结构薄膜层通过水热法、煅烧法、丝网印刷技术等方法制备,硒化锡薄膜层由直流磁控溅射技术制备,器件表现出良好的自驱动光探测性能,稳定性好,从紫外到近红外区域都具有响应特性。
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