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公开(公告)号：CN111983753B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202010722520.9
申请日：2020-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应用于3D光互连的层间偏振分束器，包括直通波导和交叉波导，所述交叉波导包括第一条形波导，所述直通波导包括脊型波导和第二条形波导，所述脊型波导和第二条形波导通过脊型‑条形波导转换结构连接；所述脊型波导和第一条形波导在耦合区域实现耦合，且两者之间存在间隙。本发明能够在垂直方向上实现光的偏振分束。
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公开(公告)号：CN111983753A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010722520.9
申请日：2020-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应用于3D光互连的层间偏振分束器，包括直通波导和交叉波导，所述交叉波导包括第一条形波导，所述直通波导包括脊型波导和第二条形波导，所述脊型波导和第二条形波导通过脊型-条形波导转换结构连接；所述脊型波导和第一条形波导在耦合区域实现耦合，且两者之间存在间隙。本发明能够在垂直方向上实现光的偏振分束。
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公开(公告)号：CN112305785A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910690187.5
申请日：2019-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供一种基于SOI衬底的热光相移器的制备方法，包括步骤：形成图形化的SOI衬底，所述SOI衬底自下而上依次包括底硅层、绝缘层及顶硅层，所述SOI衬底内具有凹槽，所述凹槽的下表面与所述底硅层的下表面具有间距，所述顶硅层覆盖所述凹槽；对所述凹槽上方的所述顶硅层进行光刻刻蚀以形成硅波导；形成介质层、加热电阻及金属电极；所述介质层至少覆盖所述硅波导；所述加热电阻位于所述硅波导的上方或位于所述硅波导的一侧，所述加热电阻与所述硅波导之间具有间距；所述金属电极与所述加热电阻相连接。本发明有助于生产良率和器件性能的提高，有利于制备流程的进一步简化和生产成本的降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114763019A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110030746.7
申请日：2021-01-11
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B32B3/24 , B32B7/023 , B32B17/10 , B32B27/30 , B32B27/36 , B32B27/06 , B32B33/00 , B32B38/04 , G02B1/00
Abstract: 本发明提供一种多层聚合物薄膜三维光子晶体及其制作方法，三维光子晶体包括：基底和聚合物薄膜叠层，聚合物薄膜叠层贴合在基底表面，聚合物薄膜叠层由两种或两种以上具有不同折射率的聚合物薄膜交替地周期性排布形成，聚合物薄膜叠层具有多个垂直穿透其厚度方向的空气孔，空气孔在聚合物薄膜叠层中按晶格形式排列。本发明采用的聚合物薄膜的结构千变万化，易于成形和处理，生产制作工艺简单，成本低，利于大面积制作，且聚合物材料种类众多，折射率、密度等可以调控，为光子晶体制作提供了很大的选择空间，可使得光子晶体具有各种各样不同的性质，同时本发明可大大地降低光子晶体的制作难度。
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公开(公告)号：CN113625394A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110879652.7
申请日：2021-08-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种双层Si3N4锥形结构辅助的边缘耦合器，包括双层的Si3N4锥形结构、Si倒锥形结构、Si波导。本发明结构实现了借助双层Si3N4锥形结构的边缘耦合，可与单模光纤耦合，降低端面模式失配，避免增加底部氧化物厚度或者局部衬底刻蚀，实现宽带操作。
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公开(公告)号：CN111679364B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010487984.6
申请日：2020-06-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明涉及一种应用于中红外波段的悬空型边缘耦合器，包括三端口倒锥形耦合器(1)、悬空脊型波导(2)和悬梁臂支撑结构(3)。本发明通过独特的结构设计增大了耦合效率，同时增大了工艺容差，也为测试带来了极大的方便，解决了中红外波段波导‑光纤耦合损耗大的问题，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111244221A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010061438.6
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种基于全介质超透镜的高速高效光电探测器，涉及光电探测器技术领域。本发明的基于全介质超透镜的高速高效光电探测器，包括探测器和形成于所述探测器的上方的超表面透镜；所述探测器包括自下而上依次设置的p型层、本征层和n型层；所述超表面透镜为具有梯度相位分布的超表面结构，所述超表面透镜具有消色差的特性，所述超表面透镜构造为将垂直入射光聚焦到所述本征层。相对于现有技术，本发明协调了光电探测器的响应度和带宽之间的矛盾，具有高速高效的优点，同时解决了波长敏感性的问题；而且，本发明的光电探测器的超表面透镜是在全介质材料上实现的，具有损耗小、效率高的优点。
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公开(公告)号：CN114200696B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202111403724.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种马赫曾德尔电光调制器，包括第一和第二耦合器、第一波导臂、第二波导臂、第三波导臂、第四波导臂、第一和第二氮化硅波导；第一氮化硅波导和第二氮化硅波导均包括依次连接的第一弯曲部、直部和第二弯曲部；第一耦合器分别与第一波导臂的一端和第二波导臂的一端连接；第一氮化硅波导通过第一弯曲部和第一波导臂的另一端连接、通过第二弯曲部和第三波导臂的一端连接；第二氮化硅波导通过第一弯曲部和第二波导臂的另一端连接、通过第二弯曲部和第四波导臂的一端连接；第三波导臂的另一端和第二耦合器连接；第四波导臂的另一端通过相位改变器与第二耦合器连接；本发明能够降低调制器的有源区电容，并提高调制器的高频性能。
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