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公开(公告)号：CN113299671B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110265605.3
申请日：2021-03-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种原位集成超表面相控阵列的红外彩色焦平面探测器，通过在红外单色焦平面探测器衬底上原位集成超表面相控阵列，使宽谱段的红外光在透过超表面相控阵列后发生折射，折射角与光的波长一一对应，然后入射到红外单色焦平面探测器对应的亚像元位置，第一亚像元、第二亚像元、第三亚像元分别接收到不同信号，超像素单元输出单元信号，利用图像合成方法得到彩色图像。该探测器具有信号串扰小、结构简单、集成度高，利用超表面相控阵列和红外单色焦平面探测器生成红外彩色图像的优点。
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公开(公告)号：CN110487203A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910618838.X
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种校正红外焦平面探测器电路面形的结构，针对不同衬底材料和工艺存在的不同翘曲形变，利用对应的可补偿形变平衡方法，被校正电路和校正片之间采用DW-3低温环氧胶粘接，使用热膨胀系数比被校正电路大2±0.1倍的校正片进行校正，校正片的厚度为0.4mm—5mm，该方法实现了电路翘曲形变的校正。本发明方法原理简单、样品制备容易、易于测量并且易于分析。
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公开(公告)号：CN108807567A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810959729.X
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/107
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/022408
Abstract: 本发明公开了一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器，通过在pn结耗尽区钝化层上方增加电极可达到调制钝化层与碲镉汞界面处pn结能带的作用，使钝化层与碲镉汞界面处pn结趋于平带状态从而抑制表面产生‑复合、表面隧穿等表面漏电流。该探测器具有可调制pn结区表面能带使其趋于平带状态，抑制表面漏电流从而使二极管工作在反向大偏压下以盖革模式工作的优点，有利于解决常规结构的碲镉汞雪崩二极管器件在反向偏压大于雪崩击穿电压时，会因表面存在较大的漏电流，致使光电二极管发生热电击穿，限制其只能满足以线性模式进行信号探测的问题。
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公开(公告)号：CN110793644A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911093625.6
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/02
Abstract: 本发明公开了一种可调控红外焦平面探测器应力芯片装置及调控方法，所述的红外焦平面探测器应力芯片的调控方法所采用的装置包括：拉杆、拉杆支撑、底座、压条和垫片。所述的装置对于应力芯片调控的方式简单、易于测量，同时该装置搭建容易、可拆卸，而且可以重复使用。将已制备好的红外焦平面探测器芯片用DW-3低温环氧胶粘贴在压条上，在自由端对其施加向下或者向上的外力，芯片上的光敏元分成四个区域，通过对芯片上光敏元的四个区域进行测试来得到应力芯片光电性能参数，可以测得电阻率的变化。通过这种方法可以直接调控芯片的载流子迁移率，改变其电导率，从而改善红外焦平面探测器的光电响应，最终提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN110265492B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201910414304.5
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/11
Abstract: 本发明公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器，通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小，因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度，因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少，在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收，在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109244176B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201811176475.0
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种微椭球式零串音碲镉汞红外焦平面探测器。新构形红外焦平面探测器的光敏感元采用包含一个p‑n结的微椭球结构，并通过基区公共P型层与公共电极相连的模式。微椭球阵列基光敏感元红外探测器有源区是完全隔断的，可实现超低串音的探测，还可以部分释放探测芯片的内应力。同时，光敏感元采用了具有内部全反射的微椭球结构，这可以实现光电p‑n结面积远小于红外辐射吸收面积，能有效提高红外焦平面探测器的信噪比和探测率；解决了器件小型化难题。
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公开(公告)号：CN110265492A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910414304.5
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/11
Abstract: 本发明公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器，通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小，因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度，因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少，在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收，在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。
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公开(公告)号：CN108922898B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201810945391.2
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器，通过在碲镉汞红外焦平面阵列区腐蚀出有源区电极孔，并在制备金属公共电极时将此电极孔相连，使得碲镉汞红外焦平面阵列边缘区域有源区和阵列中央有源区等电位。该芯片结构具有碲镉汞红外焦平面阵列有源区像元工作电位一致的优点，有利于解决只在碲镉汞红外焦平面阵列边缘制备公共电极而导致阵列像元工作电压不一、输出信号差异大的问题。
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公开(公告)号：CN113299671A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110265605.3
申请日：2021-03-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种原位集成超表面相控阵列的红外彩色焦平面探测器，通过在红外单色焦平面探测器衬底上原位集成超表面相控阵列，使宽谱段的红外光在透过超表面相控阵列后发生折射，折射角与光的波长一一对应，然后入射到红外单色焦平面探测器对应的亚像元位置，第一亚像元、第二亚像元、第三亚像元分别接收到不同信号，超像素单元输出单元信号，利用图像合成方法得到彩色图像。该探测器具有信号串扰小、结构简单、集成度高，利用超表面相控阵列和红外单色焦平面探测器生成红外彩色图像的优点。
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公开(公告)号：CN112013956A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010965538.1
申请日：2020-09-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J3/28
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面的红外彩色探测器，通过在红外探测器上方放置一个用超表面制作的阶梯光栅阵列，使红外光在透过超表面阵列后发生衍射，在不同方向角上分成短、中、长波红外光，然后照射到能够探测不同波段的红外探测器上，将红外探测器上接收到的信号定义为彩色RGB信号，最后合成彩色图像。该探测器具有透光率高、分色性能好、探测效率高、利用红外波段生成彩色图像的优点。
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