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公开(公告)号：CN112441838B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201910809154.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷及其制备方法，所述表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷包括：主相为β‑Si3N4的氮化硅陶瓷基体、以及原位定向生长于氮化硅陶瓷基体表面的由长棒状β‑Si3N4晶粒形成的膜层，所述长棒状β‑Si3N4晶粒的直径为200nm～2μm，长度为2～5μm。
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公开(公告)号：CN112441576A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910809250.2
申请日：2019-08-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B32/184 , B01J20/20 , B01J20/28 , B01D53/02
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯气凝胶的改性方法，包括：（1）在氧化石墨烯分散液中依次加入还原剂和改性剂后，在85～95℃下保温6～10小时，得到石墨烯水凝胶，所述改性剂为二氧化硅前驱体，优选为正硅酸乙酯TEOS、硅酸钠、硅酸钾中的至少一种；（2）将所得石墨烯水凝胶经洗涤后，置于醇水溶液中渗析处理4～6小时；（3）将渗析处理后的石墨烯水凝胶经冷冻干燥后，得到石墨烯气凝胶。
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公开(公告)号：CN112441838A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910809154.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷及其制备方法，所述表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷包括：主相为β‑Si3N4的氮化硅陶瓷基体、以及原位定向生长于氮化硅陶瓷基体表面的由长棒状β‑Si3N4晶粒形成的膜层，所述长棒状β‑Si3N4晶粒的直径为200nm～2μm，长度为2～5μm。
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公开(公告)号：CN111253162A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910133189.4
申请日：2019-02-22
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/584 , C04B35/591 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种制备高强高韧高热导率氮化硅陶瓷的方法，包括：以总配料质量100%计，将硅粉体94～88%、烧结助剂6～12%均匀混合，经研磨、干燥后添加粘结剂造粒，压制成型制得陶瓷素坯，其中，所述烧结助剂包括稀土氧化物和碱土金属氧化物；将所述陶瓷素坯进行排胶后，在1380～1450℃氮化，得到氮化硅陶瓷坯体；以及将所述氮化硅陶瓷坯体置于1850～1950℃下气压烧结，得到所述氮化硅陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN115073185B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110277334.3
申请日：2021-03-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/584 , C04B35/587 , C04B35/589 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种绿色氮化硅手机背板材料，所述绿色氮化硅手机背板材料是以硅粉或硅粉和氮化硅粉、绿色着色剂以及烧结助剂作为原料，再经混合、成型和烧结后得到；所述氮化硅粉体或/和硅粉的质量按照换算成氮化硅粉体、绿色着色剂以及烧结助剂的质量比为（78～94.5）：（0.5～10）：（5～12）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114716252A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210457297.9
申请日：2022-04-27
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/587 , C04B35/591 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种易烧结高纯氮化硅粉体的制备方法，包括：（1）将硅粉、有机碳源和发泡剂加入到有机溶剂中并混合，得到混合浆料；（2）将所得混合浆料干燥过筛并松装平铺于氮化硅坩埚内，先置于排胶炉中进行低温真空热处理，再置于氮气反应炉中进行氮化处理，最终经破碎和研磨，得到所述易烧结高纯氮化硅粉体。
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公开(公告)号：CN109896865B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201711297316.1
申请日：2017-12-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种提高氧化铝陶瓷韧性的方法。用于提高氧化铝陶瓷韧性的低温烧结助剂体系包括组分A和组分B；其中，所述组分A为TiB2、ZrB2和HfB2中的至少一种；所述组分B包括xMgO·ySiO2，1≤x≤3、1≤y≤4，优选为MgSiO3、滑石、石棉和蛇纹石矿物中至少一种。
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公开(公告)号：CN112110734A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910544214.8
申请日：2019-06-21
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/587 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种青色氮化硅陶瓷及其制备方法，所述制备方法包括：以氮化硅粉体或/和硅粉体作为原料粉体，再加入烧结助剂和着色剂并混合，得到混合粉体，所述烧结助Ca剂O、选M自gOA、lY2O2O33、、AYlANG、、Ce2O3、Y2O3:Ce3+中至少一种，所述着色剂为稀土金属钕的氧化物；将所得混合粉体和粘结剂混合，再经压制成型，得到陶瓷坯体；将所得陶瓷坯体经真空排胶后，再进行烧结，得到所述青色氮化硅陶瓷。
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公开(公告)号：CN109694253B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201711001140.0
申请日：2017-10-24
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种通过碳掺杂提高常压烧结氮化硅陶瓷热导率的方法，包括：将氮化硅粉体、烧结助剂和碳源混合，得到混合粉体，所述碳源为酚醛树脂、壳聚糖、无水葡萄糖、麦芽糖、果糖和淀粉中的至少一种，所述烧结助剂是以TiO2为主烧结助剂，以Y2O3、Sc2O3、Sm2O3、Lu2O3、Er2O3、MgO、Mg2Si、MgSiN2中的至少一种为辅烧结助剂的混合物、MgTiO3、Mg2TiO4和MgTi2O5的至少一种；将所得混合粉体经成型、排胶，得到陶瓷坯体；将所得陶瓷坯体置于烧结炉中在1600～1800℃下常压烧结，得到致密氮化硅陶瓷。
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公开(公告)号：CN109694254A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201711001865.X
申请日：2017-10-24
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3232 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/661 , C04B2235/9607
Abstract: 本发明涉及一种采用单一烧结助剂常压烧结制备致密氮化硅陶瓷的方法，包括：以总配料质量100%计，将氮化硅粉体95～70%、烧结助剂5～30%均匀混合，得到混合粉体，所述烧结助剂为MgTiO3、Mg2TiO4和MgTi2O5中的一种；将所得的混合粉体成型，得到陶瓷素坯；将所得的陶瓷素坯置于烧结炉中在1600～1800℃的温度条件下常压烧结，得到致密氮化硅陶瓷。该烧结助剂有利于获得更加均匀的显微结构，使得TiN弥散分布在氮化硅基体中，从而进一步提高了材料的力学性能。
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