公开(公告)号：CN103904134B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410112734.9

申请日：2014-03-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 康贺 ,  王晓亮 ,  肖红领 ,  王翠梅 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  殷海波 ,  崔磊

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 一种基于GaN基异质结构的二极管，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一异质结构势垒层，其制作在缓冲层上；与缓冲层形成二维电子气的异质结构外延层；一P型盖帽层，其制作在异质结构势垒层上，其两侧形成台面；一欧姆接触阳极，其制作在异质结构势垒层上，位置在紧挨着台面的一侧；一欧姆接触阴极，其制作在异质结构势垒层上，且远离P型盖帽层的另一侧的台面上；一肖特基阳极，其制作在P型盖帽层和欧姆接触阳极上；一第一电极，其制作在肖特基接触上；一第二电极，其制作在欧姆接触阴极上。本发明可以降低器件的开启电压，同时实现器件低反向漏电和高阻断特性工作。

公开(公告)号：CN103904134A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410112734.9

申请日：2014-03-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 康贺 ,  王晓亮 ,  肖红领 ,  王翠梅 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  殷海波 ,  崔磊

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143

Abstract: 一种基于GaN基异质结构的二极管，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一异质结构势垒层，其制作在缓冲层上；与缓冲层形成二维电子气的异质结构外延层；一P型盖帽层，其制作在异质结构势垒层上，其两侧形成台面；一欧姆接触阳极，其制作在异质结构势垒层上，位置在紧挨着台面的一侧；一欧姆接触阴极，其制作在异质结构势垒层上，且远离P型盖帽层的另一侧的台面上；一肖特基阳极，其制作在P型盖帽层和欧姆接触阳极上；一第一电极，其制作在肖特基接触上；一第二电极，其制作在欧姆接触阴极上。本发明可以降低器件的开启电压，同时实现器件低反向漏电和高阻断特性工作。