公开(公告)号：CN102842613B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210348006.9

申请日：2012-09-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  王翠梅 ,  肖红领 ,  彭恩超 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  陈竑

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂插入层，该非有意掺杂插入层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非有意掺杂高迁移率层，该非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂插入层上面；一非有意掺杂氮化铝插入层，该非有意掺杂氮化铝插入层制作在高迁移率层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层，该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面。

公开(公告)号：CN103123934A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201310048977.6

申请日：2013-02-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  彭恩超 ,  王翠梅 ,  肖红领 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  陈竑

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 一种具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非有意掺杂氮化铝空间层，该非有意掺杂氮化铝空间层制作在非有意掺杂高迁移率沟道层上面；一非有意掺杂势垒层，该非有意掺杂势垒层制作在非有意掺杂氮化铝空间层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂势垒层上面。本发明可以增加对沟道二维电子气的限制作用，提高所研制器件的输出功率，同时器件的栅电流得到降低。

公开(公告)号：CN103117304A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201310054863.2

申请日：2013-02-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王翠梅 ,  王晓亮 ,  彭恩超 ,  肖红领 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  陈竑

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法，该结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂氮化镓制作在成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂高阻层的上面；一复合空间层，该复合空间层制作在非有意掺杂高迁移率沟道层的上面；一非有意掺杂势垒层，该非有意掺杂势垒层制作在复合空间层的上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层的上面。本发明可增加对沟道二维电子气的限制作用，提高所研制器件的输出功率。

公开(公告)号：CN102427084A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201110401468.8

申请日：2011-12-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  毕杨 ,  王翠梅 ,  肖红领 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  陈竑

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂氮化镓高阻层上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上面；一非有意掺杂铟铝氮势垒层，该非有意掺杂铟铝氮势垒层制作在氮化铝插入层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层，该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂铟铝氮势垒层上面。一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面。

公开(公告)号：CN101373798B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200710120608.8

申请日：2007-08-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  杨翠柏 ,  肖红领 ,  胡国新 ,  冉学军 ,  王翠梅 ,  张小宾 ,  李晋闽

IPC: H01L31/06

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种倒装双结铟镓氮太阳能电池结构，包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在氮化镓成核层的上面；一n型掺杂InaGa1-aN层制作在非有意掺杂氮化镓缓冲层的上面；一p型掺杂InaGa1-a N层制作在n型掺杂InaGa1-a N层的上面；一p型重掺杂InbGa1-b N层制作在p型掺杂InaGa1-a N层的上面；一n型重掺杂InbGa1-b N层制作在p型重掺杂InbGa1-b N层的上面；一n型掺杂IncGa1-c N层制作在n型重掺杂InbGa1-b N层的上面；一p型掺杂IncGa1-c N层制作在n型掺杂IncGa1-c N层的上面。

公开(公告)号：CN101399284A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200710122478.1

申请日：2007-09-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  唐健 ,  肖红领 ,  王翠梅 ,  冉学军 ,  胡国新 ,  李晋敏

IPC: H01L29/778

Abstract: 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一低温成核层制作在衬底的上面；一氮化镓高阻层制作在低温成核层的上面；一铟镓氮插入层制作在氮化镓高阻层的上面；一低温氮化镓隔离层制作在铟镓氮插入层的上面；一高迁移率氮化镓层制作在低温氮化镓隔离层的上面；一氮化铝插入层制作在高迁移率氮化镓层的上面；一铝镓氮势垒层制作在氮化铝插入层的上面；一氮化镓帽层，该氮化镓帽层制作在铝镓氮势垒层的上面，该氮化镓帽层有效抑制了电流崩塌效应。

公开(公告)号：CN100397655C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200410009922.5

申请日：2004-12-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王翠梅 ,  王晓亮 ,  胡国新 ,  王军喜 ,  李建平 ,  曾一平 ,  李晋闽

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 一种提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构，包括：一蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻半绝缘氮化镓缓冲层，该高阻半绝缘氮化镓缓冲层制作在衬底上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁移率氮化镓沟道层制作在高阻半绝缘氮化镓缓冲层上；一薄层氮化铝插入层，该薄层氮化铝插入层制作在高迁移率氮化镓沟道层上，该薄层氮化铝插入层可以提高氮化镓基高电子迁移率晶体管材料的综合性能；一n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层，该n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层制作在薄层氮化铝插入层上。

公开(公告)号：CN101140947A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200610112889.8

申请日：2006-09-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 马志勇 ,  王晓亮 ,  冉军学 ,  胡国新 ,  肖红领 ,  王翠梅 ,  罗卫军

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明一种氮化镓基异质结场效应晶体管结构，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂组分阶变AlxInyGazN层，该组分阶变AlxInyGazN层制作在氮化铝插入层的上面。

公开(公告)号：CN1892985A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200510012104.5

申请日：2005-07-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 冉军学 ,  王晓亮 ,  李建平 ,  胡国新 ,  王军喜 ,  王翠梅 ,  曾一平

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明涉及III－氮化物半导体材料技术领域，特别是一种可以减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法。采用提前关闭Cp2Mg源并低温生长覆盖层的方法，有效减小Mg在pn结结面的记忆效应，其主要特征是在生长Mg掺杂p型GaN层时，提前适当时间关闭Cp2Mg源，其它生长参数不变，这样可以将Mg记忆效应造成的表面富Mg层控制在p型层中；然后再在低温下生长一薄层GaN，可以抑制Mg原子从富Mg层中逸出而进入n型层中，从而增加pn结的p型掺杂结面陡峭性，提高pn结性能。

公开(公告)号：CN1783512A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200410009922.5

申请日：2004-12-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王翠梅 ,  王晓亮 ,  胡国新 ,  王军喜 ,  李建平 ,  曾一平 ,  李晋闽

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 一种提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构，包括：一蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻半绝缘氮化镓缓冲层，该高阻半绝缘氮化镓缓冲层制作在衬底上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁移率氮化镓沟道层制作在高阻半绝缘氮化镓缓冲层上；一薄层氮化铝插入层，该薄层氮化铝插入层制作在高迁移率氮化镓沟道层上，该薄层氮化铝插入层可以提高氮化镓基高电子迁移率晶体管材料的综合性能；一n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层，该n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层制作在薄层氮化铝插入层上。