公开(公告)号：CN117198878A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202210627113.9

申请日：2022-06-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  秦彦斌 ,  肖红领 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  李巍 ,  王茜 ,  徐健凯

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/311 ,  H01L29/778

Abstract: 本公开提供一种改善GaN异质结器件的栅极刻蚀损伤的结构和工艺方法，包括：在衬底表面依次制备叠设的氮化镓缓冲层和势垒层；在势垒层表面制备源电极和漏电极；在势垒层表面、源电极表面和漏电极表面制备第一钝化层；在第一钝化层表面制备第二钝化层；对第二钝化层表面的预设区域进行干法刻蚀，直至刻蚀至第一钝化层表面，继续对预设区域的第一钝化层进行湿法腐蚀，直至腐蚀至势垒层表面，形成栅槽；在栅槽中制备栅电极。该方法能够减小氮化镓异质结器件的刻蚀损伤，进而减小氮化镓异质结器件的kink效应，改善氮化镓异质结器件性能。

公开(公告)号：CN114121930A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111344295.0

申请日：2021-11-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  刘智超 ,  李巍 ,  冯春 ,  肖红领 ,  姜丽娟 ,  王茜

IPC: H01L27/01 ,  H01L27/02 ,  H01L27/10

Abstract: 本公开提供了应用于MMIC中的紧凑型电容、电阻并联结构，包括：薄膜电阻、第一金属层、介质层、第二金属层和空气桥；薄膜电阻和第一金属层分别制作在衬底上，薄膜电阻第一端与第一金属层连接；介质层制作在第一金属层和薄膜电阻上；第二金属层制作在介质层上；空气桥第一端与薄膜电阻第二端连接，空气桥第二端与第二金属层连接。

公开(公告)号：CN111370339B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202010204986.X

申请日：2020-03-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  郭芬 ,  肖红领 ,  王权 ,  姜丽娟 ,  冯春 ,  王茜 ,  李巍 ,  刘宏新

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供一种晶圆的室温等静压金属键合方法，包括：步骤S1：清洗待键合晶圆，去除晶圆表面杂质；步骤S2：在清洗干净的晶圆表面沉积金属中间层；步骤S3：将分别完成金属中间层沉积的两晶圆正面对准贴合，固定后装入模具内，采用真空泵对模具进行抽真空处理并密封；步骤S4：将密封完好的模具置于等静压键合机的高压缸中，锁紧高压缸，充入液体压力介质，使模具完全浸入液体压力介质中，并与液体压力介质直接接触；步骤S5：设置键合压力及键合时间，对待键合晶圆进行键合，键合结束后，卸压并取出键合晶圆，完成晶圆的室温等静压金属键合。

公开(公告)号：CN109920854B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201910175096.8

申请日：2019-03-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 王晓亮 ,  倪炜江 ,  冯春 ,  肖红领 ,  姜丽娟 ,  李巍 ,  王权

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/167 ,  H01L29/423

Abstract: 一种MOSFET器件，应用于半导体技术领域，包括：该MOSFET器件有源区的原胞结构从下至上依次为漏极(1)、n+衬底(2)、n型缓冲层(3)、n‑漂移区(4)、n型JFET区(5)、P基区(6)和n+层(7)，该MOSFET器件有源区的原胞结构为非对称结构，该原胞结构内设置有一个沟槽(8)，沟槽(8)的一侧为栅介质(9)和多晶硅栅电极(10)，另一侧为P+区(11)和源极(12)，多晶硅栅电极(10)和源极(12)之间用介质层(13)隔离。该器件结构可有效的屏蔽沟槽(8)底部栅介质的电场，从而提高器件的可靠性和寿命，同时得到很低的导通电阻和栅漏电容。

公开(公告)号：CN109536928B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201811412951.4

申请日：2018-11-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 王晓亮 ,  徐健凯 ,  姜丽娟 ,  王权 ,  冯春 ,  肖红领

IPC: C23C16/458

Abstract: 本发明公开了一种托盘支撑和固定装置，包括：陶瓷盘，用于放置托盘；压块，设置于陶瓷盘的边缘，用于固定托盘于陶瓷盘上；以及金属支架，固定于陶瓷盘下方，具有n个支架臂，n≥3，用于支撑陶瓷盘，该金属支架与实现托盘旋转的旋转轴固定，在旋转时，带动陶瓷盘与其上放置的托盘一起稳固转动，其中，该金属支架的支架臂的长度小于陶瓷盘的半径。本发明解决了感应加热中电磁力可能引起的托盘晃动或侧翻的问题，同时还可减少托盘升温后对周围空间的辐射热量损失，进一步提高加热效率。

公开(公告)号：CN110767747A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201911032654.1

申请日：2019-10-28

Applicant: 北京华进创威电子有限公司 ,  中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  李百泉 ,  肖红领 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  殷海波 ,  李天运 ,  邱爱芹 ,  介芳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种增强型GaN基高电子迁移率晶体管材料结构，所述晶体管材料结构从下至上依次包括：衬底、成核层、缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层和铟镓氮盖帽层。本发明在AlGaN/GaN异质结上增加一InGaN帽层，利用InGaN相对于AlGaN反的极化作用，从而在InGaN/AlGaN界面处形成负的极化电荷，而抬高AlGaN/GaN界面处的导带底位置，实现增强型器件用外延材料。

公开(公告)号：CN108269877A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201810091653.3

申请日：2018-01-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 肖红领 ,  王琨 ,  王权 ,  姜丽娟 ,  李巍 ,  冯春 ,  王翠梅 ,  王晓亮

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0304

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/075 ,  H01L31/03048

Abstract: 本发明提供了一种InGaN太阳能电池结构，其包括：p型GaN层、i区光吸收层、n型GaN层、分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极；i区光吸收层位于p型GaN层的上面，n型GaN层位于i区光吸收层的上面；其中，p型GaN层、i区光吸收层、n型GaN层的极性为Ga面极性，太阳光由上表面入射到太阳能电池结构。本发明的特点是外延层为Ga面极性，采用n区在上，p区在下的结构，使得光吸收层中的总极化电场与内建电场方向相同，从而使极化效应不会阻碍光生载流子的分离和输运，以得到高效的InGaN太阳能电池。

公开(公告)号：CN107475691A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710738799.8

申请日：2017-08-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  梅书哲 ,  王权 ,  殷海波 ,  姜丽娟 ,  肖红领 ,  李巍

IPC: C23C16/46

Abstract: 本发明提供了一种基于电磁感应的加热装置。利用在托盘周围放置导磁体，使托盘附近集中了绝大部分的磁力线，从而加热温度更高、加热速度更快；利用托盘中磁力线分布均匀，使温度均匀性更好；利用导磁体能够聚集磁力线、引导磁力线方向、减小磁阻且陶瓷盘将托盘向反应腔室下部辐射的热量反射回托盘，使能量利用效率提高；利用大部分磁力线集中在托盘的周围，使磁力线分布的空间范围减小，因此对装置内其他设备及装置外部环境电磁影响减小。

公开(公告)号：CN102931230B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210467084.0

申请日：2012-11-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  彭恩超 ,  王翠梅 ,  肖红领 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  陈竑

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 一种铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT，包括：一衬底；一成核层制作在衬底上面，其厚度为0.01-0.50μm；一非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂高阻层上面；一氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率层上面，其厚度为0.7-5nm；一非有意掺杂势垒层制作在氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓或铝镓氮盖帽层制作在非有意掺杂势垒层上面，其厚度为1-5nm。本发明可以显著提高沟道电子迁移率和对二维电子气的限制能力，遏制缓冲层的漏电，同时降低势垒层的晶格应变，减少缺陷密度，提高器件工作的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN104505402A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201510004119.0

申请日：2015-01-06

Applicant: 北京华进创威电子有限公司 ,  中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  李巍 ,  李百泉 ,  肖红领 ,  殷海波 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  邱爱芹 ,  王翠梅 ,  介芳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431

Abstract: 本发明公开了一种氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在所述衬底上，该成核层的厚度为0.01-0.60 μm；一缓冲层，该缓冲层制作在所述成核层上面；一氮化铟沟道层，该氮化铟沟道层制作在所述缓冲层上面，厚度为0.6-5 nm；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在所述氮化铟沟道层上面，厚度为0.7-5 nm；一势垒层，该势垒层制作在所述氮化铝插入层上面；一氮化镓帽层，该氮化镓帽层制作在所述势垒层上面，厚度为1-5 nm。通过引入氮化铟沟道层，形成限制沟道电子的背势垒，提高对二维电子气限制能力，提高栅调控能力，降低缓冲层漏电，抑制器件的短沟道效应。