-
公开(公告)号：CN107523807A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710728515.7
申请日：2017-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种加热托盘的固定控制装置及其设备。其中，加热托盘的固定控制装置包括：旋转轴；螺旋加热丝，设置于旋转轴外围，与旋转轴之间存在间隔；托盘，位于旋转轴正上方；以及铁磁体，固定于托盘内，位于托盘中央区域。通过在旋转轴外围设置与旋转轴存在间隔并构成电磁铁结构的螺旋加热丝，通过控制螺旋加热丝电流的通断，便可实现对托盘与旋转轴的固定状态控制，结构简单，取放控制方便；同时还可以通过调节螺旋加热丝的电流的大小，实现对托盘中央区域的加热控制，从而满足不同大小的托盘、不同生长温度的需求，可有效改善托盘的温度均匀性。
-
公开(公告)号：CN105374860A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510892854.X
申请日：2015-12-08
Applicant: 北京华进创威电子有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/66 , H01L29/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/66333 , H01L29/0684 , H01L29/7398
Abstract: 本申请公开了一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及产品，该制备如下：在P+氮化镓衬底上外延生长N-型掺杂的氮化镓漂移层；在N-型掺杂的氮化镓漂移层上，利用离子注入形成P+掺杂区；在P+型掺杂区上，利用离子注入形成N+掺杂区；高温退火，激活掺杂原子；一次沉积SiO2栅氧化层；一次刻孔SiO2，露出发射极、栅极窗口；制备发射极、集电极接触；制备栅极金属接触；二次沉积SiO2介质层；二次刻孔SiO2，露出发射极窗口；发射极互联、集电极和栅极电极金属加厚。该工艺过程简单、重复性好、可靠性高。经过合理的外延层结构设计与合适的注入掺杂，实现了氮化镓基绝缘栅双极晶体管所需的基本材料结构。此外，该晶体管保证了器件具有很高的击穿电压与通态电流。
-
-
公开(公告)号：CN101748377B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010033963.3
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/18
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室，包括：反应室腔体；与腔体连通的反应气及载气进气法兰；设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托；与腔体连通的尾气管路；对衬托进行加热的加热器；和使得衬托旋转的旋转装置，其中所述反应室还包括调距装置，所述调距装置用于调节进气法兰与衬托的相对面之间的距离，且所述调距装置包括：设置在上端法兰和下端法兰之间的波纹管，引导波纹管的伸缩移动的支撑杆，以及使得波纹管伸缩移动的调距丝杆。根据本发明的反应室可以实现进气法兰与晶片衬托之间的距离调节，从而提高调节反应室气场、流场模式的灵活性，改善晶体质量和半导体外延片均匀性。
-
公开(公告)号：CN101812674A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010033962.9
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 本发明公开一种用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置，包括：通过氮气管道连接到氮气气源的氮气分配管路，该氮气分配管路具有多个氮气分配支路；通过氢气管道连接到氢气源的氢气分配管路，该氢气分配管路具有多个氢气分配支路，其中，氮气分配管路的一个氮气分配支路与氢气分配管路的一个氢气分配支路连接，在连接处安装有连接处单向阀门，该连接处单向阀门打开时允许氮气通过其进入到氢气分配管路以执行吹洗操作、同时防止氢气通过其进入到氮气分配管路。本发明的气体分配装置可以实现气源气体的多路分配，准确控制各管路需要压力，从而实现不同使用目的的气体供应需要。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101736311A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN201010033964.8
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机物化学沉积设备的加热装置，包括：至少两段炉丝，该至少两段炉丝布置在同一加热平面内，且每一段炉丝连接到各自的电极；邻近所述加热平面布置在至少两段炉丝下方的测温计，用于探测每一段炉丝的加热温度；和温度控制器，该温度控制器基于测温计测得的温度，分别控制施加到每一段炉丝的加热功率以分别控制该至少两段炉丝的加热温度，使该至少两段炉丝的加热温度均匀化。根据本发明的金属有机物化学沉积设备的加热装置采用多段炉丝加热，通过每段炉丝加热功率的独立控制和/或炉丝形状、尺寸的设计，实现大面积加热温度的均匀可控，从而提高了外延材料的质量。另外，采用水冷电极和加热器屏蔽罩，进一步提高了加热的稳定性和安全性。
-
公开(公告)号：CN110767747A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911032654.1
申请日：2019-10-28
Applicant: 北京华进创威电子有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种增强型GaN基高电子迁移率晶体管材料结构，所述晶体管材料结构从下至上依次包括：衬底、成核层、缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层和铟镓氮盖帽层。本发明在AlGaN/GaN异质结上增加一InGaN帽层，利用InGaN相对于AlGaN反的极化作用，从而在InGaN/AlGaN界面处形成负的极化电荷，而抬高AlGaN/GaN界面处的导带底位置，实现增强型器件用外延材料。
-
公开(公告)号：CN107475691A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710738799.8
申请日：2017-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/46
Abstract: 本发明提供了一种基于电磁感应的加热装置。利用在托盘周围放置导磁体，使托盘附近集中了绝大部分的磁力线，从而加热温度更高、加热速度更快；利用托盘中磁力线分布均匀，使温度均匀性更好；利用导磁体能够聚集磁力线、引导磁力线方向、减小磁阻且陶瓷盘将托盘向反应腔室下部辐射的热量反射回托盘，使能量利用效率提高；利用大部分磁力线集中在托盘的周围，使磁力线分布的空间范围减小，因此对装置内其他设备及装置外部环境电磁影响减小。
-
公开(公告)号：CN104505402A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201510004119.0
申请日：2015-01-06
Applicant: 北京华进创威电子有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/20
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/1025 , H01L29/2003 , H01L29/66431
Abstract: 本发明公开了一种氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在所述衬底上，该成核层的厚度为0.01-0.60 μm；一缓冲层，该缓冲层制作在所述成核层上面；一氮化铟沟道层，该氮化铟沟道层制作在所述缓冲层上面，厚度为0.6-5 nm；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在所述氮化铟沟道层上面，厚度为0.7-5 nm；一势垒层，该势垒层制作在所述氮化铝插入层上面；一氮化镓帽层，该氮化镓帽层制作在所述势垒层上面，厚度为1-5 nm。通过引入氮化铟沟道层，形成限制沟道电子的背势垒，提高对二维电子气限制能力，提高栅调控能力，降低缓冲层漏电，抑制器件的短沟道效应。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.032 seconds)
