公开(公告)号：CN109487239B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201811412952.9

申请日：2018-11-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  姜丽娟 ,  王权 ,  徐健凯 ,  冯春 ,  肖红领 ,  李巍

IPC: C23C16/458

Abstract: 本发明公开了一种旋转托盘固定装置，包括：旋转轴；支撑爪，固定于旋转轴上，包含一轴心体和n个爪臂，n≥3；各个爪臂与轴心体相接，且末端设有一凸台，该凸台使得待放置的托盘置于该支撑爪内实现托盘平面方向上的限位，在各个爪臂末端的凸台上对应设有一压块，该压块使得待放置的托盘置于该支撑爪内实现垂直于托盘平面方向的限位，该压块与凸台固定实现托盘的稳定固定；以及沟槽，设置于支撑爪的各个爪臂内。该装置不仅实现了托盘在旋转过程中的稳固，而且还有助于减弱惯性对转动的影响，并能够提高能量利用率。

公开(公告)号：CN117198878A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202210627113.9

申请日：2022-06-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  秦彦斌 ,  肖红领 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  李巍 ,  王茜 ,  徐健凯

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/311 ,  H01L29/778

Abstract: 本公开提供一种改善GaN异质结器件的栅极刻蚀损伤的结构和工艺方法，包括：在衬底表面依次制备叠设的氮化镓缓冲层和势垒层；在势垒层表面制备源电极和漏电极；在势垒层表面、源电极表面和漏电极表面制备第一钝化层；在第一钝化层表面制备第二钝化层；对第二钝化层表面的预设区域进行干法刻蚀，直至刻蚀至第一钝化层表面，继续对预设区域的第一钝化层进行湿法腐蚀，直至腐蚀至势垒层表面，形成栅槽；在栅槽中制备栅电极。该方法能够减小氮化镓异质结器件的刻蚀损伤，进而减小氮化镓异质结器件的kink效应，改善氮化镓异质结器件性能。

公开(公告)号：CN109536928B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201811412951.4

申请日：2018-11-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 王晓亮 ,  徐健凯 ,  姜丽娟 ,  王权 ,  冯春 ,  肖红领

IPC: C23C16/458

Abstract: 本发明公开了一种托盘支撑和固定装置，包括：陶瓷盘，用于放置托盘；压块，设置于陶瓷盘的边缘，用于固定托盘于陶瓷盘上；以及金属支架，固定于陶瓷盘下方，具有n个支架臂，n≥3，用于支撑陶瓷盘，该金属支架与实现托盘旋转的旋转轴固定，在旋转时，带动陶瓷盘与其上放置的托盘一起稳固转动，其中，该金属支架的支架臂的长度小于陶瓷盘的半径。本发明解决了感应加热中电磁力可能引起的托盘晃动或侧翻的问题，同时还可减少托盘升温后对周围空间的辐射热量损失，进一步提高加热效率。

公开(公告)号：CN116155207A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202111382006.6

申请日：2021-11-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  贾叶婷 ,  李巍 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  肖红领 ,  徐健凯 ,  王茜 ,  贺腾

IPC: H03F1/02 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213

Abstract: 本公开提供一种两级Doherty功率放大器，包括：驱动级电路(1)，用于对输入的射频信号进行放大；不等分功率分配器(2)，用于对放大后的射频信号进行不均等的功率分配，得到第一功率信号及第二功率信号；其中，第一功率信号的功率大于第二功率信号，不等分功率分配器由集总元件构成；载波功率放大支路(3)，用于对第一功率信号进行再次放大，其中，载波功率放大支路(3)基于集总元件构成的高通π型网络进行阻抗变换；峰值功率放大支路(4)，用于对第二功率信号进行再次放大，峰值功率放大支路(4)基于集总元件构成的高通π型网络进行相位补偿；其中，载波功率放大支路(3)及峰值功率放大支路(4)的晶体管的栅极偏置电压可调节。

公开(公告)号：CN107326343B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201710728514.2

申请日：2017-08-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓亮 ,  殷海波 ,  梅书哲 ,  王权 ,  徐健凯 ,  肖红领 ,  李巍 ,  姜丽娟

IPC: C23C16/46

Abstract: 本公开提供了一种用于薄膜材料生长的感应加热装置，包括：托盘；以及感应线圈，设置于托盘下方，用于对托盘进行加热；其中，感应线圈为平面螺旋形，且包括p匝线圈：第1匝线圈为感应线圈的最内匝线圈，第p匝线圈为最外匝线圈，第m匝线圈和第n匝线圈均位于第1匝线圈和第p匝线圈之间，1＜m＜n＜p；第1匝至第m匝线圈中任意相邻两匝线圈的间距和第n匝至第p匝线圈中任意相邻两匝线圈的间距均小于第m匝至第n匝线圈中任意相邻两匝线圈的匝间间距。本公开提供的感应加热装置，提高了托盘整体的温度均匀性和托盘中心区域的温度，且满足了大尺寸多片式的薄膜材料在高温下生长的需求，提高了生长薄膜材料的效率和质量。

公开(公告)号：CN109536928A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811412951.4

申请日：2018-11-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 王晓亮 ,  徐健凯 ,  姜丽娟 ,  王权 ,  冯春 ,  肖红领

IPC: C23C16/458

Abstract: 本发明公开了一种托盘支撑和固定装置，包括：陶瓷盘，用于放置托盘；压块，设置于陶瓷盘的边缘，用于固定托盘于陶瓷盘上；以及金属支架，固定于陶瓷盘下方，具有n个支架臂，n≥3，用于支撑陶瓷盘，该金属支架与实现托盘旋转的旋转轴固定，在旋转时，带动陶瓷盘与其上放置的托盘一起稳固转动，其中，该金属支架的支架臂的长度小于陶瓷盘的半径。本发明解决了感应加热中电磁力可能引起的托盘晃动或侧翻的问题，同时还可减少托盘升温后对周围空间的辐射热量损失，进一步提高加热效率。

公开(公告)号：CN109638074B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201811432850.3

申请日：2018-11-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 王晓亮 ,  陈昌禧 ,  王权 ,  徐健凯 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  肖红领 ,  王茜

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种具有n‑p‑n结构背势垒的高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中，该电子迁移率晶体管包括：衬底；成核层，位于衬底之上；高阻缓冲层，位于成核层之上；背势垒缓冲层，位于高阻缓冲层之上，为n型掺杂区、p型掺杂区和n型掺杂区形成的横向三明治结构；高迁移率沟道层，位于背势垒缓冲层之上；势垒层，位于高迁移率沟道层之上；盖帽层，位于势垒层之上；欧姆电极，位于盖帽层之上；以及栅极，位于盖帽层之上；其中，p型掺杂区位于栅极所在区域的正下方。该HEMT一方面可以提高对二维电子气的限制作用，减轻短沟道效应的影响，另一方面可以减少二维电子气被掺Fe高阻缓冲层中的深能级陷阱俘获的数量，提高器件的稳定性。

公开(公告)号：CN109638074A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811432850.3

申请日：2018-11-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 王晓亮 ,  陈昌禧 ,  王权 ,  徐健凯 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  肖红领 ,  王茜

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种具有n‑p‑n结构背势垒的高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中，该电子迁移率晶体管包括：衬底；成核层，位于衬底之上；高阻缓冲层，位于成核层之上；背势垒缓冲层，位于高阻缓冲层之上，为n型掺杂区、p型掺杂区和n型掺杂区形成的横向三明治结构；高迁移率沟道层，位于背势垒缓冲层之上；势垒层，位于高迁移率沟道层之上；盖帽层，位于势垒层之上；欧姆电极，位于盖帽层之上；以及栅极，位于盖帽层之上；其中，p型掺杂区位于栅极所在区域的正下方。该HEMT一方面可以提高对二维电子气的限制作用，减轻短沟道效应的影响，另一方面可以减少二维电子气被掺Fe高阻缓冲层中的深能级陷阱俘获的数量，提高器件的稳定性。

公开(公告)号：CN118116993A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410194690.2

申请日：2024-02-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 姜丽娟 ,  蔡平 ,  肖红领 ,  冯春 ,  徐健凯 ,  周淼 ,  王茜

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种氮化镓基光电导开关及其制备方法，氮化镓基光电导开关包括衬底，高阻层位于衬底上，低阻层位于高阻层上，低阻层包括间隔设置的两个低阻单元；欧姆接触层位于低阻层上，欧姆接触层包括间隔设置的两个欧姆电极，两个欧姆电极与两个低阻单元一一对应设置；高通层位于高阻层上，且位于两个低阻单元之间；高耐压层位于高阻层上，高耐压层包括至少一个高耐压单元，高耐压单元位于低阻单元和高通层之间，且靠近低阻单元设置；钝化层覆盖于两个欧姆电极相对的侧面、低阻层、高耐压层、高通层以及高阻层。本发明的氮化镓基光电导开关，高通层有利于增加光电流，高耐压单元有利于提升击穿电压，有效提升了氮化镓基光电导开关的使用性能。

公开(公告)号：CN115276579A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202211081340.2

申请日：2022-09-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李巍 ,  王晓亮 ,  王茜 ,  徐健凯 ,  贺腾 ,  冯春 ,  肖红领 ,  姜丽娟

IPC: H03F3/21 ,  H03F1/02 ,  H03F1/34

Abstract: 本公开提供一种功率放大器，包括：晶体管，包括第一电极和第二电极，用于对输入信号进行功率放大；输入匹配电路，分别与信号源和第一电极相连接，用于将晶体管的输入阻抗与信号源的输出阻抗相匹配；栅极偏置电路，分别与第一电源和第一电极相连接，用于控制晶体管的偏置电压；负反馈电路，分别与第一电极和第二电极相连接，用于反馈第二电极的输出信号到第一电极，以增大功率放大器的增益平坦度；输出匹配电路，分别与负载和第二电极相连接，用于将晶体管的输出阻抗与负载的阻抗相匹配等，其中，输入匹配电路包括第一传输线、第二传输线和第三传输线，第二传输线和第三传输线分别并联在第一传输线的两端构成双支节结构。