近红外钙钛矿激光器及其制备方法

    公开(公告)号:CN119726348A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202410919782.2

    申请日:2024-07-10

    Abstract: 本发明提供一种近红外钙钛矿激光器及其制备方法。近红外钙钛矿激光器包括:衬底;钙钛矿增益介质层,置于衬底上,钙钛矿增益介质层上形成有微晶结构,微晶结构为钙钛矿增益介质层的谐振腔。本发明提供的近红外钙钛矿激光器无需采用外加谐振腔,即可在室温下实现光泵浦下的激射,大大简化了器件结构,提高了激光器的可集成性;通过组分和制备工艺的调控,可以实现激射峰的调节,且调节精度高,可满足多个波长的使用需求;可以采用全溶液法制备,工艺简单,成本低廉。

    疏水性宽带减反射涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN118851589A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202310480898.6

    申请日:2023-04-28

    Abstract: 本公开提出了一种疏水性宽带减反射涂层的制备方法,包括:将基底放置于带有加热装置的沉积腔室中;基于引发式化学气相沉积技术,向沉积腔室中通入包括引发剂、第一单体和第二单体的第一气体组,引发剂受热分解产生的自由基与第一单体和第二单体在沉积腔室中扩散吸附于基底表面,调控第一气体组的流量比及沉积腔室的压强,以使第一单体发生第一自由基聚合反应,其中,第二单体作为交联剂以使第一自由基聚合反应趋向侧链结晶,在基底表面形成具有蛾眼纳米结构的疏水性宽带减反射涂层。

    混合栅碳化硅场效应管器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN117438472A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202311655586.0

    申请日:2023-12-05

    Abstract: 本公开提供一种混合栅碳化硅场效应管器件,包括:碳化硅外延层,包括第一导电区域、第二导电区域以及第三导电区域,第二导电区域与第三导电区域位于第一导电区域的两侧,第二导电区域和第三导电区域的导电类型相同,并区别于第一导电区域的导电类型;栅介质层,包括第一栅介质、第二栅介质和第三栅介质,第一栅介质覆盖设置于第一导电区域,第二栅介质覆盖设置于第二导电区域,第三栅介质覆盖设置于第三导电区域;第一栅介质为硅基材料,第二栅介质与第三栅介质被构造成紧邻于第一栅介质的两端,第二栅介质与第三栅介质的介电常数均大于第一栅介质的介电常数。

    无外腔近红外钙钛矿激光器及其制备方法

    公开(公告)号:CN119726347A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202410919781.8

    申请日:2024-07-10

    Abstract: 本发明提供一种无外腔近红外钙钛矿激光器及其制备方法。无外腔近红外钙钛矿激光器的制备方法包括:在衬底上滴加钙钛矿前驱体溶液;在衬底上覆盖柔性薄膜,使钙钛矿前驱体溶液均匀分布于衬底和柔性薄膜之间;将衬底静置处理后,移除柔性薄膜,得到钙钛矿增益介质层,其中,柔性薄膜用于诱导钙钛矿前驱体溶液在形成钙钛矿增益介质层的过程中生长出微晶结构,微晶结构为钙钛矿增益介质层的谐振腔。本发明提供的制备方法无需加热或热退火等高温处理,制备工艺简单,成本低,能够实现无外加谐振腔的近红外钙钛矿激光器的大面积制备,并且通过调控钙钛矿增益材料组分以及制备工艺参数,可以实现对激光器的发射峰的调节。

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