公开(公告)号：CN118851589A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202310480898.6

申请日：2023-04-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李超 ,  曲胜春 ,  王智杰 ,  刘孔 ,  岳世忠 ,  王晓晖 ,  赵菁 ,  林润康

IPC: C03C17/30

Abstract: 本公开提出了一种疏水性宽带减反射涂层的制备方法，包括：将基底放置于带有加热装置的沉积腔室中；基于引发式化学气相沉积技术，向沉积腔室中通入包括引发剂、第一单体和第二单体的第一气体组，引发剂受热分解产生的自由基与第一单体和第二单体在沉积腔室中扩散吸附于基底表面，调控第一气体组的流量比及沉积腔室的压强，以使第一单体发生第一自由基聚合反应，其中，第二单体作为交联剂以使第一自由基聚合反应趋向侧链结晶，在基底表面形成具有蛾眼纳米结构的疏水性宽带减反射涂层。

公开(公告)号：CN117878153A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311662322.8

申请日：2023-12-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 申占伟 ,  岳世忠 ,  赵菁 ,  王智杰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了一种阶梯型场效应晶体管器件及其制备方法，其中阶梯型场效应晶体管器件包括：半导体基片；有源区，设置于基片中，有源区包括：屏蔽层、传输层、导电层、阶梯型掺杂区，其中，屏蔽层包括第一屏蔽部和第二屏蔽部，第一屏蔽部和第二屏蔽部呈阶梯排列，第一屏蔽部和第二屏蔽部之间具有间隙结构；阶梯型结型场效应晶体管区，设置于基片顶部；栅电极接触，覆盖于传输层上方，以构建传输层和导电层之间的电荷输运沟道；介质层；欧姆接触；以及源区金属层。

公开(公告)号：CN117438885A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311571819.9

申请日：2023-11-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 林润康 ,  刘孔 ,  岳世忠 ,  曲胜春 ,  王智杰 ,  赵菁 ,  董克前 ,  孙佳倩

IPC: H01S5/36 ,  H01S5/02 ,  H01S5/10 ,  B82Y40/00

Abstract: 本公开提供一种波长可调的钙钛矿微纳激光器及制备方法，涉及微纳光学器件，方法包括：对衬底表面进行紫外臭氧处理；在半密封容器中加入钙钛矿材料的反溶剂，将处理后的衬底置于半密封容器内部的支架上；向处理后的衬底表面滴加溶液后完成半密封，将半密封容器底部加热到预设温度，使反溶剂挥发进入溶液来提升溶液表面的过饱和度，以在气液界面生长钙钛矿微纳激光器；对衬底表面溶液的溶剂进行干燥，在衬底上形成钙钛矿微纳激光器。