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公开(公告)号：CN116137411A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202111373232.8
申请日：2021-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种单模等离激元纳米激光器及其制备方法，单模等离激元纳米激光器包括光栅衬底以及增益介质；光栅衬底具有一衬底，衬底的上端面上形成有沿横向间隔设置的多个凹槽，每一凹槽内均被填充材料紧密填充，衬底的上端面与填充料的上端面共同形成一生长面；增益介质包括一个沿纵向延伸生长的纳米线，增益介质设于生长面上；其中，衬底材质包括银，填充料的材质为金，共同形成金银光栅衬底，增益介质的材质为钙钛矿。在本公开提供的技术方案中，光栅衬底上形成交替分布的金银结构，利用交替分布的金银衬底引入沿波导方向有效折射率的周期变化，构成对于纳米线激光的分布反馈式调制，形成单模激射。
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公开(公告)号：CN111952459B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202010860334.1
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法，该一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件包括二维钙钛矿纳米片；一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上；器件电极，包括第一电极和第二电极，第一电极设置在二维钙钛矿纳米片底部，第二电极设置在一维钙钛矿纳米线上；以及衬底，其上设有第一电极，位于器件底部。本发明两种不同维度的材料形成异质结可以实现不同维度材料中物理效应的耦合与调控；通过结合低维金属卤化物钙钛矿材料和范德华异质结的优点为高性能光电器件制备提供有效手段，此方法可以实现体系中光电性能的灵活调控。
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公开(公告)号：CN114570394A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210277759.9
申请日：2022-03-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B01J27/051 , B01J35/08 , C01B3/04
Abstract: 本公开涉及一种光催化剂的制备方法，包括：S1：将硼氢化钠溶液加入氯金酸溶液还原得到纳米金溶液；S2：配置金纳米棒生长溶液，加入纳米金溶液得到一定长径比的金纳米棒Au NRs，离心后复溶成Au NRs溶液待用；S3：将Au NRs溶液分散在L‑半胱氨酸和钼酸钠的混合溶液中，使Au NRs与MoS2结合，经处理制得Au‑MoS2复合粉末；S4：将Au‑MoS2分散在氯化镉和聚乙烯吡咯烷酮的混合溶液中，滴加硫化钠水溶液，持续搅拌，生成多晶CdS纳米颗粒包覆在MoS2外围，经处理得到Au‑MoS2‑CdS复合光催化剂。其中，Au‑MoS2‑CdS复合光催化剂中MoS2在Au NRs外层，通过Au‑S键实现Au NRs与MoS2紧密接触，制得Au‑MoS2；多晶CdS纳米颗粒包覆在Au‑MoS2的MoS2外围，分布均匀，Au‑MoS2‑CdS复合光催化剂整体结构呈花球状，MoS2介于Au‑CdS之间。
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公开(公告)号：CN106383149B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201610797899.3
申请日：2016-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿(CH3NH3PbClxI3‑x)纳米片阵列的湿度传感器件及其制备方法，它是采用化学溶液反应的方法在玻璃衬底上以聚3，4‑乙烯二氧噻吩‑聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)为缓冲层，滴落涂布醋酸铅(PbAc2)薄膜，将退火后的醋酸铅(PbAc2)薄膜置于甲基氯化铵及甲基碘化铵(CH3NH3ClxI1‑x)混合的异丙醇溶液中反应制得钙钛矿纳米片结构阵列。将制得的纳米片阵列退火后，采用热蒸发的方法在其两端蒸镀银电极，即制得钙钛矿湿度传感器。本发明制备方法成本低，工艺简单，稳定性高，响应灵敏，可用于水蒸气等极性气体的探测。
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公开(公告)号：CN108753289A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810777874.6
申请日：2018-07-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: C09K11/665 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种无机卤化铅钙钛矿量子点及制备方法、一种自组装纳米线及制备方法。所述无机卤化铅钙钛矿量子点的制备方法包括：将碳酸铯、卤化铅、油酸、油胺、十八烯加入容器形成前驱体溶液，所述碳酸铯与所述卤化铅的摩尔比为1：2‑4，所述油酸、油胺、十八烯的体积比为1：1：18‑22，加入1mmol所述碳酸铯时，对应加入0.5ml所述油酸；将所述前驱体溶液进行超声；将所述前驱体溶液进行离心，离心得到的上清液即为无机卤化铅钙钛矿量子点的分散液。该制备过程简单、能耗小、产量高、利于产量化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101497784B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200810057181.6
申请日：2008-01-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明提供一种MDMO-PPV包裹PbS纳米材料及太阳能电池的制备方法。针对现有制备PbS量子点和纳米棒的缺陷，以及其他无机有机复合体异质结太阳能电池的不足，本发明以聚合物半导体MDMO-PPV为包覆体，制备了具有光电应用前景的PbS量子点和纳米棒材料，具有操作简便、成本低廉、适用广泛的特点。本发明还成功的将纳米棒材料应用于无机有机复合体异质结太阳能电池的制备。
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公开(公告)号：CN114566865B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202011351489.9
申请日：2020-11-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种表面等离极化激元激光器及其制备方法和应用，该制备方法包括：将银纳米线分散液旋涂在衬底上，得到器件一；将器件一在惰性气氛下加热一段时间，得到器件二；在器件二上制备三氧化二铝薄膜；在三氧化二铝薄膜上旋涂染料分散液后退火，得到所述表面等离极化激元激光器。本发明所设计的器件结构可以实现具有突破光学衍射极限尺度性质的相干光源，可以将激光器器件尺寸缩小至出射激光半波长以下的尺度内，为集成光子器件的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN117878153A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311662322.8
申请日：2023-12-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了一种阶梯型场效应晶体管器件及其制备方法，其中阶梯型场效应晶体管器件包括：半导体基片；有源区，设置于基片中，有源区包括：屏蔽层、传输层、导电层、阶梯型掺杂区，其中，屏蔽层包括第一屏蔽部和第二屏蔽部，第一屏蔽部和第二屏蔽部呈阶梯排列，第一屏蔽部和第二屏蔽部之间具有间隙结构；阶梯型结型场效应晶体管区，设置于基片顶部；栅电极接触，覆盖于传输层上方，以构建传输层和导电层之间的电荷输运沟道；介质层；欧姆接触；以及源区金属层。
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公开(公告)号：CN117673156A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311638697.0
申请日：2023-12-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L23/552 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了一种基于三栅结构的场效应晶体管器件及其制备方法，其中，基于三栅结构的场效应晶体管器件，包括：半导体基片，自下而上依次包括衬底、缓冲层、漂移层；钝化层；欧姆接触；源区金属层；其中，漂移层中设置有屏蔽层、传输层、掺杂层、导电层和基区层；漂移层的顶部具有沟槽栅结构，沟槽栅结构的底部与屏蔽层之间具有第一间隙，形成第一沟道；传输层包括第一传输部和第二传输部，第一传输部与第二传输部之间为沟槽栅结构；沟槽栅结构的一侧与第一传输部之间具有第二间隙，形成第二沟道；沟槽栅结构的另一侧与第二传输部接触，形成第三沟道。
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公开(公告)号：CN115864130A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211429939.0
申请日：2022-11-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离激元的硅基半导体激光器，包括衬底、增益层、限制隔离层、电隔离层、上电极层和下电极层。衬底的顶部设置有凹槽；增益层包括自下而上依次层叠的下包层、有源层、上包层和接触层。下包层设置于凹槽内，适用于光限制以及电子注入；有源层适用于载流子复合发光；上包层适用于光限制以及空穴注入；接触层位于上包层上。限制隔离层包括限制层和隔离填充层：限制层位于增益层的两侧或一侧，适用于产生等离子激元限制光场的区域；隔离填充层形成在增益层的两侧；电隔离层形成在限制隔离层上，且位于接触层的外围；上电极层形成在电隔离层上并与接触层电连接；下电极层位于衬底的未被限制隔离层覆盖的区域，能够将光限制在增益层侧边的限制层处，具有高限制、低损耗和高增益的效果。
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