-
公开(公告)号：CN118136173A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410254218.3
申请日：2024-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G16C60/00 , G16C20/30 , G16C10/00 , G16C20/70 , G06N20/00 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/12
Abstract: 本申请提出一种材料生长的控制方法及装置，其中，方法包括：在材料生长过程中，获取当前时刻的原位数据，之后，根据材料的生长模式，确定处理模型，以利用处理模型对原位数据进行处理，获取处理结果，然后基于处理结果，确定待执行的控制操作。由此，基于不同的生长模式对应的不同处理模型对原位数据进行处理获取处理结果，以基于处理结果，执行不同的控制操作。从而提高了材料生长控制的准确性，进而提高了材料的质量。
-
公开(公告)号：CN117080861A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311110708.8
申请日：2023-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种硅基III‑V族模斑转换集成激光器制备方法，包括：在无偏角标准SOI的第一区域制备波导结构；对无偏角标准SOI的第二区域进行处理以暴露出硅衬底并在硅衬底上制备单畴锑化物缓冲层；在单畴锑化物缓冲层上制备砷化物外延层；在砷化物外延层上引入In元素制备位错捕获层；以及在位错捕获层上进行选区外延以制备激光器结构层和模斑转换器结构层，完成硅基III‑V族模斑转换集成激光器的制备。同时，还提供一种通过上述制备方法制备的硅基III‑V族模斑转换集成激光器。
-
公开(公告)号：CN113031392B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110304075.9
申请日：2021-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于小尺寸样品光刻工艺的方法。该方法包括：将待光刻的小尺寸样品放置在冷压法所用设备的压片模具上；将压片用粉末材料填充到放置有小尺寸样品的压片模具中；对压片模具施加压力，将小尺寸样品嵌入到压制所述压片用粉末材料得到的压片中，以得到压片产品。利用本发明，解决了小尺寸样品在匀胶过程中的“边缘”效应问题，提高了样品的表面利用率；解决了在小尺寸样品光刻工艺中，匀胶机和光刻机的真空吸嘴尺寸与待光刻小尺寸样品尺寸不匹配的问题；并且该方法适用于形状规则和不规则的小尺寸样品。
-
公开(公告)号：CN111341836B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202010146464.9
申请日：2020-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 天津市海杰金属制品制造有限公司
IPC: H01L29/16 , H01L29/06 , H01L21/3205 , H01L21/02
Abstract: 本公开提供了一种用于异质外延的石墨烯中间层柔性衬底及其制备方法，其用于异质外延的石墨烯中间层柔性衬底，自下而上顺次包括：支撑层和缓冲层，所述缓冲层自下而上顺次包括：至少一个石墨烯缓冲层和至少一个金属膜缓冲层。本公开通过使用石墨烯缓冲层和金属膜缓冲层组合的缓冲层结构，合理利用石墨烯晶格适配小的优点，在金属膜缓冲层的保护下同时可以避免在制备过程中石墨烯被刻蚀，有利于改善单晶金刚石异质外延的质量，以实现大面积高质量的金刚石膜层异质外延生长。
-
公开(公告)号：CN112072471B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010976458.6
申请日：2020-09-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单片集成多波长量子级联激光器阵列结构及其制作方法，其中，激光器阵列结构包括形成于衬底上，脊型的阵列直条区、分布布拉格反射区和光束组合区；阵列直条区，形成呈阵列结构的多个解离腔；分布布拉格反射区，与阵列直条区结合形成呈阵列结构的多个完整谐振腔；光束组合区，用于将呈阵列结构的多个完整谐振腔耦合集成，实现光束多波长连续同轴输出；阵列直条区、分布布拉格反射区和光束组合区由下至上依次包括：下波导层、下限制层、有源层、上限制层、上波导层和欧姆接触层；在上限制层对应分布布拉格反射区刻蚀形成二级光栅。本发明一方面实现集成阵列单元单纵模输出；另一方面实现无损耦合，实现室温多波长连续同轴输出。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113594230A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110860565.7
申请日：2021-07-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 一种垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管及制备方法，该垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管包括：本征金刚石衬底；P+型漏区，材料为P+型掺杂金刚石，形成于本征金刚石衬底上；P型漂移区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P+型漏区上；漏电极，形成于P+型漏区上且位于P型漂移区两侧的位置；P型沟道区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P型漂移区上；P+型源区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P型沟道区上；源电极，形成于P+型源区上；栅介质，形成于P型漂移区、P型沟道区和P+型源区的外侧，并且与P型漂移区、P型沟道区和P+型源区相接触；以及栅电极，形成于栅介质上。
-
公开(公告)号：CN110635353B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201910908200.X
申请日：2019-09-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种太赫兹半导体激光器、其制备方法及应用，该太赫兹半导体激光器包括一第一金属层，作为半导体激光器底部的压焊金属层和散热通道；一支撑衬底；一第一高掺层，其设置在支撑衬底上，作为激光器的下波导光限制层；一有源区，其生长于第一高掺层上；一第二高掺层，其位于有源区上；多个电隔离沟；一欧姆接触层；一电隔离层，以及一第二金属层。本发明采用周期性多脊阵列与矩形腔耦合结构，借助同相干涉引起的自成像效应，来改善器件脊宽方向的光束发散角；使用周期性多脊阵列，增大了激光器的增益体积，输出功率得到提高。
-
公开(公告)号：CN110983298A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911354430.2
申请日：2019-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 天津市海杰金属制品制造有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/511 , C23C16/27
Abstract: 一种用于微波等离子体化学气相沉积装置的样品台，其特征在于，该样品台呈圆柱状结构，上表面具有一凹曲面，该凹曲面具有至少一个凹槽，用于放置化学气相沉积所需的衬底或衬底托盘。所述样品台的上表面全部为凹曲面，或者所述样品台的上表面的中心位置为凹曲面且上表面的外缘位置为平面。本发明提供的样品台上表面采用曲面形设计，解决了样品台中间位置电场强度大、边缘电场强度小的问题。在微波等离子体化学气相沉积反应腔内进行多样品生长时，能有效提高各样品周围的电场及等离子体分布的均匀性，使得各样品能够以均匀的速率生长，改善多样品生长过程中材料的生长质量，提高微波功率利用率。
-
公开(公告)号：CN106785911B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201710054287.X
申请日：2017-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/223
Abstract: 一种窄脊半导体器件的制备方法，包括以下步骤：外延生长形成半导体外延片，在半导体外延片上依次形成一二氧化硅掩膜及一第一光刻胶掩膜，并光刻形成周期性的第一窗口；干法刻蚀去除第一窗口区的二氧化硅掩膜及部分外延层，形成窄脊结构；在形成的窄脊结构的上表面形成一第二光刻胶掩膜，并光刻形成脊型窗口；用选择性腐蚀液去除第一窗口区外剩余的二氧化硅掩膜，完成器件制备。本发明的制备方法在用选择性腐蚀液腐蚀去除脊型波导结构表面残存的二氧化硅时，选择性腐蚀液只与残存的二氧化硅和第二光刻胶掩膜接触，从而避免了在腐蚀去除残存二氧化硅的过程中脊型结构从本体上的脱落；制备的器件性能及良品率高，能够实现良好的光输出。
-
公开(公告)号：CN107481982B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710671295.9
申请日：2017-08-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L23/373 , H01L21/335 , H01L29/66 , H01L29/778
Abstract: 本公开提供了一种AlN基板高效散热HEMT器件，自下而上包括：AlN陶瓷基板、AlN成核层、AlN高阻层、GaN或InxGa1‑xN沟道层、AlyIn1‑yN空间电荷层、以及AlzGa1‑zN势垒层；其中，所述AlN陶瓷基板与所述AlN成核层之间键合连接，所述AlN陶瓷基板用于对所述HEMT器件进行散热。本公开还提供了一种AlN基板高效散热HEMT器件的制备方法。本公开HEMT器件及其制备方法，散热能力大幅提高，成本相对较低，工艺简单，有效提高了击穿电压，减少了寄生电容，提高了HEMT器件的性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
374
records
(took 0.097 seconds)
