公开(公告)号：CN108269877A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201810091653.3

申请日：2018-01-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 肖红领 ,  王琨 ,  王权 ,  姜丽娟 ,  李巍 ,  冯春 ,  王翠梅 ,  王晓亮

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0304

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/075 ,  H01L31/03048

Abstract: 本发明提供了一种InGaN太阳能电池结构，其包括：p型GaN层、i区光吸收层、n型GaN层、分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极；i区光吸收层位于p型GaN层的上面，n型GaN层位于i区光吸收层的上面；其中，p型GaN层、i区光吸收层、n型GaN层的极性为Ga面极性，太阳光由上表面入射到太阳能电池结构。本发明的特点是外延层为Ga面极性，采用n区在上，p区在下的结构，使得光吸收层中的总极化电场与内建电场方向相同，从而使极化效应不会阻碍光生载流子的分离和输运，以得到高效的InGaN太阳能电池。

公开(公告)号：CN108269866B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201810091655.2

申请日：2018-01-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 肖红领 ,  王琨 ,  王权 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  李巍 ,  王翠梅 ,  王晓亮

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/075

Abstract: 本发明提供了一种混合极性InGaN太阳能电池结构，其包括：n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层、分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极；i区光吸收层位于n型GaN层的上面，p型GaN层位于i区光吸收层的上面；其中，n型GaN层、i区光吸收层的极性为Ga面极性、p型GaN层的极性为N面极性，太阳光由上表面入射到太阳能电池结构。本发明使得极化效应不会阻碍光生载流子的分离和输运，以得到高效的InGaN太阳能电池。

公开(公告)号：CN108198893A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810090987.9

申请日：2018-01-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 肖红领 ,  王琨 ,  王权 ,  李巍 ,  姜丽娟 ,  冯春 ,  王翠梅 ,  王晓亮

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/075 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/1848

Abstract: 本发明提供了一种氮面极性InGaN太阳能电池结构，其包括：n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层、分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极；i区光吸收层位于n型GaN层的上面，p型GaN层位于i区光吸收层的上面；其中，n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层的极性为N面极性，太阳光由上表面入射到太阳能电池结构。本发明的特点是外延层为氮面极性，使得光吸收层i-InGaN层中的总极化电场与内建电场方向相同，从而使极化效应不会阻碍光生载流子的分离和输运，以得到高效的InGaN太阳能电池。

公开(公告)号：CN108269866A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201810091655.2

申请日：2018-01-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 肖红领 ,  王琨 ,  王权 ,  冯春 ,  姜丽娟 ,  李巍 ,  王翠梅 ,  王晓亮

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/075

Abstract: 本发明提供了一种混合极性InGaN太阳能电池结构，其包括：n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层、分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极；i区光吸收层位于n型GaN层的上面，p型GaN层位于i区光吸收层的上面；其中，n型GaN层、i区光吸收层的极性为Ga面极性、p型GaN层的极性为N面极性，太阳光由上表面入射到太阳能电池结构。本发明使得极化效应不会阻碍光生载流子的分离和输运，以得到高效的InGaN太阳能电池。