公开(公告)号：CN105529246A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201510876293.4

申请日：2015-12-03

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘胜北 ,  何志 ,  刘兴昉 ,  刘敏 ,  杨香 ,  樊中朝 ,  王晓峰 ,  王晓东 ,  赵有梅 ,  杨富华 ,  孙国胜 ,  曾一平

IPC: H01L21/04

CPC classification number: H01L29/66053

Abstract: 本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC上刻蚀形成沟槽的效率明显增加，深宽比明显提升，同时具有均匀性好、沟槽侧壁光滑、工艺简单、可操作性强等优点。