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公开(公告)号：CN117334625A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311286746.9
申请日：2023-10-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种SiC外延机械手，应用于半导体技术领域，该SiC外延机械手，包括：生长室，用于生长样品，样品放置于样品台上；与生长室可连通的操作室，操作室内设置有取样机构和至少一个样品中转台，取样机构用于在操作室与生长室之间处于连通状态的情况下，从生长室取出样品台并将样品台放入样品中转台，和/或，从样品中转台取出样品台并将样品台装入生长室；与操作室连通的手套，设置在操作室上。
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公开(公告)号：CN115603177A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211160594.3
申请日：2022-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所(CN)
Abstract: 本发明涉及硅基光电子学技术领域，提供一种使用单向光注入调制的激光器阵列，包括：阵列排布的多个激光器单元，每个激光器单元包括：波导光栅耦合器、主激光器和从激光器；波导光栅耦合器包括：光栅单元、波导单元和氧化单元；其中，光栅单元包括第一光栅和第二光栅，波导单元的两侧下方分别与第一光栅和第二光栅相连，氧化单元位于波导单元的上表面；主激光器位于第一光栅的下方，从激光器位于第二光栅的斜下方，且从激光器的出光区域在水平方向上的投影与第二光栅在水平方向上的投影不重叠。本发明可以采用简单的工艺和结构实现波导光的单向注入。
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公开(公告)号：CN115064595A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210776329.1
申请日：2022-06-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了一种MOS器件，包括：衬底；碳传输层，设置于所述衬底上表面的一侧，所述碳传输层中包含C元素；h‑BNC层，设置于所述衬底上表面的另一侧；缓冲层，设置于所述碳传输层和h‑BNC层的上方；所述缓冲层所用材料为h‑BN；防漏电层，设置于所述缓冲层的上方；所述防漏电层所用材料为Al2O3；源电极，设置于所述衬底的下表面；栅电极，设置于所述防漏电层的上方；隔离层，设置于所述碳传输层、h‑BNC层、缓冲层和防漏电层的一侧，上端接触所述栅电极，下端接触所述衬底。本公开中的MOS器件及其制备方法，通过在衬底上设置h‑BNC层，h‑BNC层带隙和迁移率可调，使得能衬底下表面可以产生高密度、高迁移率的导电载流子。
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公开(公告)号：CN112382655A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011264915.5
申请日：2020-11-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种宽禁带功率半导体器件及制备方法，包括：半导体基片，基片中形成p型掺杂层(40)、n+源区层(50)和p+基区层(60)，在一个元胞范围内p型掺杂层(40)左右分布不对称，n+源区层(50)和p+基区层(60)紧邻；栅电极接触(90)，其底部不超过p型掺杂层(40)的底部，其右侧壁与p型掺杂层(40)的边界紧邻，其左侧壁与p型掺杂层(40)的边界具有间隙，其与基片之间通过栅氧化层(80)隔开；钝化层(100)、源电极金属接触(110)、漏电接触(120)。本发明提供的宽禁带功率半导体器件在一个元胞内包括积累型沟道和反型沟道两种类型，具有很好的导通性能和栅氧化物可靠性。
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公开(公告)号：CN110632291B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201910922500.3
申请日：2019-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N33/531 , G01N21/3581 , G01N33/536 , G01N33/574
Abstract: 一种太赫兹超材料生物传感器及其制备方法和检测方法，该生物传感器包括：衬底；设置在所述衬底上用于响应太赫兹波的超材料结构，其上设有若干检测区；以及识别单元，修饰在所述检测区上，用于识别不同标志物。本发明提供的太赫兹超材料生物传感器，采用的超材料是一种非对称的高Q值结构，对周围环境介质的变化响应灵敏度非常高，癌症标志物与超材料结构表面结合，导致其太赫兹透射光谱的红移，且癌症标志物浓度与峰位移动呈函数相关性。通过该标志物的检测浓度与太赫兹透射光谱对比曲线，可以实现对病人血清中的标志物浓度的检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107768238B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201710914652.X
申请日：2017-09-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本公开提供了一种格栅调谐外延生长碳化硅薄膜的方法，包括：利用第一格栅贴紧碳化硅衬底的外延晶面，在未被第一格栅的栅条遮蔽的区域外延生长具有第一掺杂类型的第一外延结构；去除第一格栅，利用第二格栅遮蔽碳化硅衬底的外延晶面，在未被第二格栅的栅条遮蔽的区域外延生长具有第二掺杂类型的第二外延结构；其中，第二格栅的栅条和空格条的排布与第一格栅的栅条和空格条的排布互补，空格条可以流通生长气体，栅条不可以流通生长气体。本公开采用格栅做硬掩膜，限制生长气体在格栅的空格条区域与衬底表面接触并进行外延生长以制备掺杂区域，提高生长时间可以制备厚掺杂层；二次采用格栅调谐外延异质掺杂层后，即可制备高深宽比的掺杂区域。
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公开(公告)号：CN105047532B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201510366654.0
申请日：2015-06-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种在SiC材料中获取二维电子气的方法，包括如下步骤：步骤1：取一晶面为(0001)的SiC衬底；步骤2：在晶面为(0001)的SiC衬底上制作晶面为(0001)的AlN层。本发明可以用在SiC基开关器件的制造，与已有的SiC基场效应晶体管相比，提高了沟道载流子的迁移率，从而降低器件的通态电阻，减小功耗。
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公开(公告)号：CN104538290B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201410851645.6
申请日：2014-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种氢气微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法，其包括：步骤一：清洗需要碳化硅晶片；步骤二：将清洗后的碳化硅晶片放入高温炉腔室内；步骤三：将高温炉腔室内温度升至刻蚀温度，通入氢气或氢气混合气体，进行微刻蚀过程；步骤四：将高温炉腔室内温度降至室温及关闭所通入的氢气或氢气混合气体。本发明通过在碳化硅退火过程中，通入氢气，利用氢气来刻蚀碳化硅的表面，通过控制刻蚀深度来保证所需的离子分布。从而保证退火后碳化硅良好的表面状况。简化了离子激活的工艺过程。
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公开(公告)号：CN106449757A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610859254.8
申请日：2016-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/0445 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/66068
Abstract: 本发明公开了一种具有p型埋层和沟槽底部n型掺杂的SiC基UMOSFET的制备方法，其特征在于，在n-漂移层(3)上外延生长形成p型埋层(4)，在p型埋层(4)上外延生长形成n-漂移层(30)，在n-漂移层(30)上外延生长形成p型基区层(5)；在主沟槽(7)底部形成n型掺杂层(900)。在反向阻断状态下，有效降低栅氧化层(10)的电场；且由于p型埋层(4)和n型掺杂层(900)的屏蔽作用，p型基区层(5)的厚度大大降低，沟道降低至0.5um以下，提升通态性能。该种SiC基UMOSFET具有较高的巴俐加优值和较低的开关损耗。本发明还提供了一种SiC基UMOSFET的结构。
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公开(公告)号：CN103528802B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310529305.7
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种测量氮化物LED内量子效率的方法，包括如下步骤：制作多个氮化物LED测试样品，使之自下至上依次为衬底、n型层、有源区、p型层和ITO层；从各测试样品表面到n型层刻蚀出一个台面，在该台面上蒸镀上n电极，在ITO层表面蒸镀p电极，在除电极外四周其它区域蒸镀一层光吸收抑制层，在各测试样品表面中心位置光刻出一定孔径的出光孔；计算测试样品的光提取效率；利用积分球测量各测试样品，获得在不同电流密度下的不同孔径内的光功率；通过光功率计算测试样品的外量子效率，并通过所得到的光提取效率计算内量子效率。本发明能够消除光致发光谱测量内量子效率带来的负面影响。
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