一种界面保护结构、制备方法以及包含该结构的电池

    公开(公告)号:CN109728249A

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201711038070.6

    申请日:2017-10-30

    Abstract: 本发明提供了一种界面保护结构及其制备方法以及包含该界面保护结构的电池。该界面保护结构包含金属氟化物和粘结剂,所述金属氟化物为氟化镍、氟化锰、氟化铁、氟化钛、氟化铜、氟化锡等中的一种或几种,该结构能够在锂金属电池循环过程中形成具有含氟化锂的保护层,保护锂金属电极。上述界面保护结构通过以下方法制备:1)提供一混合浆料,所述混合浆料包含:金属氟化物、粘结剂、溶剂和/或碳材料;2)将所述混合浆料涂覆于隔膜一侧,得到含第一涂层的隔膜;3)烘烤处理所述含第一涂层的隔膜,即可得到界面保护结构。

    界面保护结构及其制备方法以及具有该界面保护结构的电池

    公开(公告)号:CN110581276B

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN201810593883.X

    申请日:2018-06-11

    Abstract: 本发明提供一种界面保护结构,包括主体材料,主体材料为碳基材料,包括泡沫石墨烯(FG)、碳纳米管(CNT)、碳纤维中的至少一种。通过将原材料在分散液中进行分散,然后抽滤、剥离制备本发明界面保护结构。本发明的界面保护结构为自支撑结构,无需粘结剂帮助成型;且具有一定柔性,可在柔性电池中进一步应用;能够抑制锂金属电池在充放电过程中的枝晶生长、体积变化以及阻挡电解液与锂金属的直接接触,提高电池库伦效率和循环寿命;本发明的界面保护结构的制备原料易得、制备方法简单易行,也可直接应用于目前的锂金属电池产品中,有利于规模化推广。

    一种氧化铟纳米粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN106809871B

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201710132040.5

    申请日:2017-03-07

    CPC classification number: Y02P20/544

    Abstract: 本发明公开了一种氧化铟纳米粉体的制备方法,包括以下步骤:(1)将金属铟与有机酸混合,在保护性气体中加热溶解,得有机铟化合物;(2)在有机铟化合物中加入过氧化氢和水,混合后置于超临界水热反应器中进行反应,反应结束后过滤得反应产物;(3)将步骤(2)中得到的反应产物置于空气中煅烧,即得氧化铟纳米粉体。该方法采用超临界的方式,使有机铟化合物最终转变为In2O3沉淀物以及CO2和H2O,无需额外加入沉淀剂,避免了污染物的排放,是一种环境友好的制备方法,且工艺简单,无需复杂的制备流程,可实现规模化可控生产。

    一种超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103632754B

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201310590933.6

    申请日:2013-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法,该超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜从下至上依次包括基片、AZO籽晶层和AZO主体层,AZO籽晶层厚度为5~20nm,AZO主体层厚度为100~180nm,该超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的电阻率为2.9~9.7×10-4Ω·cm,380~780nm波长范围内的平均透过率为80~90%。本发明中通过合理设置氧气与氩气的体积比为0~1,能够制备超薄的AZO籽晶层(小于20nm),且形成完美(002)择优取向的高质量AZO籽晶层。本发明通过设置与AZO主体层同质的AZO籽晶层,提高薄膜的应力减小;且能够在温度不高于200℃的条件下制备厚度不超过200nm的超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜,无需后续处理环节,节省生产能耗,降低了生产成本,提高了生产效率,适用于工业生产。

    一种超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103632754A

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN201310590933.6

    申请日:2013-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法,该超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜从下至上依次包括基片、AZO籽晶层和AZO主体层,AZO籽晶层厚度为5~20nm,AZO主体层厚度为100~180nm,该超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的电阻率为2.9~9.7×10-4Ω·cm,380~780nm波长范围内的平均透过率为80~90%。本发明中通过合理设置氧气与氩气的体积比为0~1,能够制备超薄的AZO籽晶层(小于20nm),且形成完美(002)择优取向的高质量AZO籽晶层。本发明通过设置与AZO主体层同质的AZO籽晶层,提高薄膜的应力减小;且能够在温度不高于200℃的条件下制备厚度不超过200nm的超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜,无需后续处理环节,节省生产能耗,降低了生产成本,提高了生产效率,适用于工业生产。

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