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公开(公告)号：CN114563837B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202011364143.2
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供的一种透射窗以及退火装置，涉及半导体技术领域，包括：窗本体，所述窗本体为板状，所述窗本体上均匀设置有多个透射区域；其中，至少所述透射区域的内侧面为凹面结构。在上述技术方案中，透射窗上划分出了多个透射区域，且将每个透射区域的结构均制造成凹面结构，当垂直透射的光线经过该透射区域以后，折射为分散的光线，从而能够使垂直光线经过凹面镜以后，在另一侧更加分散的透射出来，进而消除因烘烤灯排布所形成的间距，使烘烤灯经过透射窗透射至晶圆上时，可以对晶圆形成均匀的烘烤，不会造成间距位置无法烘烤的问题。
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公开(公告)号：CN114520173A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011303570.X
申请日：2020-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体基盘装置及具有其的半导体真空过渡室，半导体基盘装置包括：基盘，基盘上设置有放置晶圆的晶圆盒；联轴机构，联轴机构包括设置于基盘的底部的联轴器和锁紧组件，联轴器的底部设置有防呆槽；支撑轴，支撑轴的顶部设置有与防呆槽配合的防呆凸起，基盘通过联轴器上的防呆槽安装至支撑轴的防呆凸起上，并通过锁紧组件锁紧联轴器与支撑轴。根据本申请的半导体基盘装置，通过在基盘的底部设置联轴机构，不仅能够达到快速拆装基盘与支撑轴的目的，还能够减少基盘与支撑轴的装配过程中出现错位或者倾斜现象。
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公开(公告)号：CN114429892A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202011182424.6
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/075 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J9/04 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种热电子发射阴极及其组成的热电子和离子发射装置。一种热电子发射阴极，包括：热电子发射基底面；所述热电子发射基底面上分布有多个突起部。本发明提供的阴极具有更大的比表面积，释放热电子的面积更大，可以提高热电子的利用率，延长设备使用寿命。
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公开(公告)号：CN114566413B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202011360191.4
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明涉及一种绝缘子及其组成的离子源、离子注入装置。一种绝缘子，其特征在于，包括：一个立柱本体，所述立柱本体具有两个自由端：第一自由端和第二自由端；由第一自由端至第二自由端所述立柱本体具有不等值的直径，并且中心处的直径值最小。本发明的绝缘子具有更大的比表面积，能够延缓离子束的污染，使用周期更长。
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公开(公告)号：CN115199949A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110396416.X
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种管线装置及半导体处理设备，涉及半导体加工技术领域，用于在离子注入工艺中防止废气排放管线堵塞。该管线装置包括：具有副产物接口的管线本体、导出管、加热组件、冷却组件及控制器。管线本体的第一端与分子泵连通，管线本体的第二端与干泵连通。副产物接口位于管线本体的第一端与第二端之间，导出管与副产物接口连接。加热组件设在管线本体的第一端与副产物接口之间，用于对管线本体的第一端与副产物接口之间的部分进行加热。冷却组件设在导出管上，用于对导出管进行冷却。上述半导体处理设备包括该管线装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114857282A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110158760.5
申请日：2021-02-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种节流阀、处理腔室及半导体处理设备，涉及半导体技术领域，用于防止流道内传输的气体与处理腔室内的气体反应而产生的反应物质凝聚在流量调节组件表面以及流道内壁上，提高节流阀的使用寿命。所述节流阀应用于具有处理腔室的半导体处理设备中。所述节流阀包括：阀体、流量调节组件和加热组件。阀体内开设有用向处理腔室传输气体的流道。流量调节组件可转动地设置在阀体内，用于调节气体在流道内的流量。加热组件包括设置在流量调节组件内的加热部，加热部用于对流量调节组件进行加热。
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公开(公告)号：CN114743906A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110019364.4
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种动力传递装置及半导体制造设备，动力传递装置包括支承主体、旋转轴、磁性流体、轴承组件以及垫片密封组件，支承主体安装在真空反应室与大气环境连通的开口处，支承主体内设置有轴孔；旋转轴穿过轴孔伸入真空反应室中；磁性流体设置在旋转轴与轴孔的内壁之间；轴承组件套设在旋转轴上，轴承组件包括至少一个真空侧轴承，真空侧轴承位于磁性流体的靠近真空反应室的一侧；垫片密封组件贴合设置在真空侧轴承面向真空反应室的一侧。本发明提出的动力传递装置中垫片密封组件贴合设置在真空侧轴承面向真空反应室的一侧，避免了真空反应室中的反应气体污染真空侧轴承和磁性流体，延长了真空侧轴承以及磁性流体的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114334705A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011080439.1
申请日：2020-10-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种半导体晶片热处理设备的温度校准装置，该温度校准装置包括夹具和温度校准工具。夹具包括支座和支脚，支座上开有通孔，支脚固定于支座下表面。温度校准工具具有向外侧伸出的探头，该探头穿过支座上的通孔。其中，温度校准工具固定于夹具上。夹具可与温度校准工具形成固定连接结构或者一体成型而成。基于相互固定的夹具和温度校准工具，本公开能够在检测过程使温度检测工具的探头位置始终不变、不需手动调节，进而使温度检测工具得到准确的、可信度较高的温度检测结果。而且本公开还提供了可自旋转的探头，从而能够将自旋转过程中得到的最大温度值作为当前位置的检测结果，再以此检验结果对温度传感器进行校准。
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公开(公告)号：CN117012598A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210460216.0
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种离子源。本申请中的离子源包括电弧室、阴极、斥拒极和隔板，电弧室包括相对设置的第一端部和第二端部，以及设于第一端部和第二端部之间的至少一个导电侧壁，阴极设于电弧室的第一端部上，斥拒极设于电弧室的第二端部上，至少一个导电侧壁设有隔板，且隔板至少设于导电侧壁的靠近第一端部的一端，隔板用于将电弧室内产生的热电子进行弹射。根据本申请中的离子源，能够有效地防止热电子直接撞击在导电侧壁上而消失，从而减少或避免了热电子的损失，提高了热电子与气体的碰撞几率，促进了气体中待掺杂元素的离子化。
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公开(公告)号：CN114446747A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011218147.X
申请日：2020-11-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种离子发生装置及半导体制造设备，离子发生装置包括电弧室、喷嘴和气源，电弧室用于产生电弧，喷嘴与电弧室配合，喷嘴上设有多个与电弧室的内部连通的喷射孔，气源与喷嘴连通，用于为电弧室供给气体。当离子发生装置启动时，气源的气体经喷嘴的各喷射孔进入到电弧室的内部，由于在喷嘴上设置多个喷射孔，进入到电弧室的气体更加分散，从而提高了气体在电弧室的内部的均匀性，从而提高了气体的离子化效率，另外，减少了气体的使用量，使得生产制造的成本得到了降低。
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