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公开(公告)号：CN114657643B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202011549164.1
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶片处理设备。本申请的晶片处理设备包括反应室、连通管和挡板，连通管设于反应室的外部，用于连通反应室的内部与真空抽气装置，挡板设于连通管的内部，用于对流经连通管的部分气流进行遮挡，挡板上设有至少一个贯穿挡板的通气口。根据本申请的晶片处理设备，通过在挡板上设置通气口并通过挡板对流经连通管的部分气流进行遮挡，能够有效地减少抽气过程中的气流流量，从而减少反应室内反应气体的充入量，增加反应气体在反应室内的停留时间，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114351116B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202011089730.5
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种原子层沉积装置及原子层沉积方法。本申请的原子层沉积装置包括反应室、晶片承载器和多个喷嘴，晶片承载器设于反应室的内部，用于在同一平面内承载多个晶片，多个喷嘴设于晶片承载器的上方的反应室的侧壁或顶壁，用于向反应室内通入第一前驱体、第二前驱体和净化气体。根据本申请的原子层沉积装置，能够同时在多个晶片表面形成原子层，提高晶片生产效率，同时保证原子层的沉积厚度和范围的均匀性，提高晶片质量。
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公开(公告)号：CN114628276A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011443140.8
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明属于半导体加工设备技术领域，具体涉及一种半导体扩散设备。所述半导体扩散设备包括：扩散炉体，所述扩散炉体用于容纳承载晶圆的晶舟；冷却装置，所述冷却装置的冷却介质输入端伸入所述扩散炉体的内部，所述冷却装置用于向所述扩散炉体内通入冷却气体介质。根据本发明的半导体扩散设备，冷却介质进入扩散炉体的内部首先与高温气体混合，从而防止冷却介质直接接触扩散炉体的外壁，避免高温的扩散炉体的突然接触冷却介质而发生破裂。同时，还可以提高扩散炉体的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114381807A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011142246.4
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C30B31/06 , C30B31/16 , H01L21/223
Abstract: 本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种扩散炉。本申请的扩散炉包括炉体、多个气体导出口和至少一个排气口，炉体内限定出反应腔，多个气体导出口沿炉体的轴向方向间隔设于反应腔的侧壁上，多个气体导出口与至少一个排气口相连通。根据本申请的扩散炉，通过设置与排气口相连通的多个气体导出口，且使多个气体导出口沿炉体的轴向方向间隔设置，能够使扩散炉内未参与反应的气体通过多个气体导出口及时排出，保证扩散炉内反应气体的分布均匀，防止由于炉体内的未反应气体堆积导致晶圆的扩散厚度不一致，从而有效地提高晶圆的扩散质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117005036A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210467782.4
申请日：2022-04-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C30B31/14 , C30B29/06 , H01L21/673
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种晶舟以及具有晶舟的扩散炉，该晶舟包括沿晶舟周向间隔开的至少三个支撑柱和至少一个支撑架，支撑架设置在支撑柱上；其中，支撑架相反的两侧上分别设置有第一支撑部和第二支撑部，第一支撑部和第二支撑部均设置成装载晶圆。根据发明实施例的晶舟，将晶舟的两侧设置为均可以装载晶圆，先将晶圆装载到第一支撑部上，当加工过程中第一支撑部与晶圆之间发生摩擦产生细小的颗粒影响晶圆品质时，可以将晶舟翻转过来使用，将晶圆装载到第二支撑部上，继续进行加工，节省了晶舟更换清洗的费用，降低了在晶舟上的投入成本，提升了扩散炉的生产效率。
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公开(公告)号：CN114361082A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011090351.8
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种晶舟底盘、晶舟和扩散炉，该晶舟底盘包括本体和固定件，固定件连接在本体朝向晶圆的一侧上，且固定件与本体为一体结构，固定件设置成用于固定热电偶。根据本申请实施例的晶舟底盘，固定件和本体为一体结构，即使热电偶发生倾斜时，固定件相对本体也不会发生相对移动，解决了本体磨损产生粉末的问题，避免粉末对加工工艺的影响，提高了晶圆的加工效果。将固定件设置在本体朝向晶圆的一侧，在进行工艺前的准备工作时，只需要使固定件与热电偶配合即可，加工结束后，将热电偶取走，无需对固定件进行拆装，简化了操作，减少了工作人员的工作量。
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公开(公告)号：CN114351116A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011089730.5
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种原子层沉积装置及原子层沉积方法。本申请的原子层沉积装置包括反应室、晶片承载器和多个喷嘴，晶片承载器设于反应室的内部，用于在同一平面内承载多个晶片，多个喷嘴设于晶片承载器的上方的反应室的侧壁或顶壁，用于向反应室内通入第一前驱体、第二前驱体和净化气体。根据本申请的原子层沉积装置，能够同时在多个晶片表面形成原子层，提高晶片生产效率，同时保证原子层的沉积厚度和范围的均匀性，提高晶片质量。
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公开(公告)号：CN114657643A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011549164.1
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶片处理设备。本申请的晶片处理设备包括反应室、连通管和挡板，连通管设于反应室的外部，用于连通反应室的内部与真空抽气装置，挡板设于连通管的内部，用于对流经连通管的部分气流进行遮挡，挡板上设有至少一个贯穿挡板的通气口。根据本申请的晶片处理设备，通过在挡板上设置通气口并通过挡板对流经连通管的部分气流进行遮挡，能够有效地减少抽气过程中的气流流量，从而减少反应室内反应气体的充入量，增加反应气体在反应室内的停留时间，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114628272A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011436090.0
申请日：2020-12-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供的一种用于半导体制造的气体输送管路以及扩散炉，涉及半导体技术领域，包括：相互连接的气体输送段和气体扩散段，所述气体扩散段上开设有多个喷射孔，所述喷射孔为棱形孔，气体自所述气体输送段输送至所述气体扩散段，所述喷射孔以雾态形式向外喷射所述气体。在上述技术方案中，棱形孔能够在喷射气体时调整喷射的角度，使气体从棱形孔内喷射出时，各个角度更为均匀，使喷射角度最佳化。因此，当气体粒子落在晶圆上时，也能够保持各个区域的厚度一致，从而提高晶圆的质量。
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