公开(公告)号：CN105271235B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201510666038.7

申请日：2015-10-15

Applicant: 中国科学院过程工程研究所

Inventor： 苏发兵 ,  任文锋 ,  王艳红

IPC: C01B33/021 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种硅纳米线材料及其制备方法，所述硅纳米线材料的制备方法包括如下步骤：(1)将铜基催化剂与硅在200‑500℃的惰性气氛下进行预热处理2‑10h，得到触体；(2)将触体与氯甲烷反应，并控制硅的不完全反应；(3)去除步骤(2)反应产物中的杂质并分离未反应的硅，即得到硅纳米线材料，同时副产有机硅单体。本发明提供的硅纳米线材料的制备方法工艺简单，反应条件温和，制备过程清洁，制得硅纳米线的同时能够副产高利用价值的有机硅单体化学品，适宜于规模化生产；并且制得的硅纳米线材料的直径和长度分布均一，长径比可调，解决了现有技术难以实现硅纳米线材料制备的关键问题。

公开(公告)号：CN105948057B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201610252230.6

申请日：2016-04-21

Applicant: 中国科学院过程工程研究所

Inventor： 苏发兵 ,  王艳红 ,  任文锋

IPC: C01B33/021 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供了一种硅纳米颗粒及其制备方法和应用，属于纳米材料技术领域。所述硅纳米颗粒的制备方法包括如下步骤：(1)将铜基催化剂与硅进行预热处理，得到触体；(2)将步骤(1)得到的触体与醇原位催化反应，并控制硅的不完全反应；(3)去除步骤(2)反应产物中的杂质并分离未反应的硅，即得到硅纳米颗粒，同时副产烷氧基硅烷。本发明提供的硅纳米颗粒的制备方法工艺简单，反应条件温和，制备过程清洁，制得硅纳米颗粒的同时能副产高价值的烷氧基硅烷化学品，有望实现硅纳米颗粒与烷氧基硅烷生产双赢的目的；并且制得的硅纳米颗粒的粒径大小可调，形貌可控，解决了现有技术难以实现硅纳米颗粒制备的关键问题，可将其应用于硅基光电器件中。

公开(公告)号：CN105948057A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610252230.6

申请日：2016-04-21

Applicant: 中国科学院过程工程研究所

Inventor： 苏发兵 ,  王艳红 ,  任文锋

IPC: C01B33/021 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01B33/021 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64

Abstract: 本发明提供了一种硅纳米颗粒及其制备方法和应用，属于纳米材料技术领域。所述硅纳米颗粒的制备方法包括如下步骤：(1)将铜基催化剂与硅进行预热处理，得到触体；(2)将步骤(1)得到的触体与醇原位催化反应，并控制硅的不完全反应；(3)去除步骤(2)反应产物中的杂质并分离未反应的硅，即得到硅纳米颗粒，同时副产烷氧基硅烷。本发明提供的硅纳米颗粒的制备方法工艺简单，反应条件温和，制备过程清洁，制得硅纳米颗粒的同时能副产高价值的烷氧基硅烷化学品，有望实现硅纳米颗粒与烷氧基硅烷生产双赢的目的；并且制得的硅纳米颗粒的粒径大小可调，形貌可控，解决了现有技术难以实现硅纳米颗粒制备的关键问题，可将其应用于硅基光电器件中。

公开(公告)号：CN104229804A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410468683.3

申请日：2014-09-15

Applicant: 中国科学院过程工程研究所

Inventor： 苏发兵 ,  任文锋 ,  张在磊 ,  王艳红

IPC: C01B33/021 ,  B01J23/72

Abstract: 本发明提供了一种多孔硅材料及其制备方法，多孔硅材料的制备方法如下：在固体铜基催化剂作用下，硅与醇在60-400℃下原位催化反应；并通过煅烧、酸洗、碱洗等后处理除杂技术制备多孔硅材料。利用该方法制备的多孔硅材料，孔径均一，并且调节反应参数可以调控硅的孔结构、大小和孔隙率。该法生产成本低，工艺简单，易于操作，制备过程清洁，适合于工业化生产，具有广阔的应用前景，另外此工艺能与烷氧基硅烷生产工艺结合，有望实现多孔硅材料与烷氧基硅烷生产双赢的目的。

公开(公告)号：CN105271235A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510666038.7

申请日：2015-10-15

Applicant: 中国科学院过程工程研究所

Inventor： 苏发兵 ,  任文锋 ,  王艳红

IPC: C01B33/021 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种硅纳米线材料及其制备方法，所述硅纳米线材料的制备方法包括如下步骤：(1)将铜基催化剂与硅在200-500℃的惰性气氛下进行预热处理2-10h，得到触体；(2)将触体与氯甲烷反应，并控制硅的不完全反应；(3)去除步骤(2)反应产物中的杂质并分离未反应的硅，即得到硅纳米线材料，同时副产有机硅单体。本发明提供的硅纳米线材料的制备方法工艺简单，反应条件温和，制备过程清洁，制得硅纳米线的同时能够副产高利用价值的有机硅单体化学品，适宜于规模化生产；并且制得的硅纳米线材料的直径和长度分布均一，长径比可调，解决了现有技术难以实现硅纳米线材料制备的关键问题。