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公开(公告)号：CN115407107B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202210907762.4
申请日：2022-07-29
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请涉及一种一阶梯度串联型SQUID电流传感器以及制备方法。输入线圈绝缘设置于环路电极的表面，形成输入线圈与环路电极上下重叠耦合结构，使得输入线圈与SQUID环路的耦合更加匹配，增大了耦合系数。第一约瑟夫森结构的第一超导薄膜结构设置于环路电极的第一端，第二约瑟夫森结构的第一超导薄膜结构设置于环路电极的第二端，形成了一阶梯度串联电感结构的SQUID，可有效抵消外界磁场干扰。并且，反馈线圈围绕环路电极设置为输入线圈与SQUID环路提供稳定的磁场环境。
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公开(公告)号：CN119309692A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411686451.5
申请日：2024-11-22
Applicant: 中国计量科学研究院
IPC: G01K7/32
Abstract: 本公开涉及一种多通道SQUID低温温度计及其制备方法，包括：多个SQUID线圈；多个超导梯度线圈，每个超导梯度线圈分别对对应的一个SQUID线圈连接，每个超导梯度线圈包括多个子线圈，每个超导梯度线圈的多个子线圈串联连接；其中，每个超导梯度线圈的多个子线圈中的至少两个子线圈位于SQUID的待测金属上方，每个超导梯度线圈的多个子线圈中的至少两个子线圈位于镂空位置处。本公开至少能够通过多通道的设置，使SQUID在读出系统温度噪声时减少读出时间，并减少SQUID的测试时间。至少能够通过多通道的设置，使SQUID在读出系统温度噪声时减少读出时间，并减少SQUID的测试时间。
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公开(公告)号：CN111952431B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202010626597.6
申请日：2020-07-02
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请涉及一种平面型热电堆测温芯片。待测物体接触结构用于与待测物体进行接触，实现热传输。多个间隔设置的第一热电结构、多个间隔设置的第二热电结构以及待测物体接触结构均设置于第一表面。每个第二热电结构与每个第一热电结构首尾依次直接连接，不需要通过其他导电材料就可以实现连接。通过基底为支撑结构，并将待测物体接触结构靠近热端连接点设置，会将待测物体的热量直接快速传导到多个热端连接点(即热电堆热端)，不需要中间热传输结构就可以实现测温。此时，通过平面型热电堆测温芯片可以实现热电堆热端与待测物体间的快速热传导，缩短了热传递链，且响应快速，进而提高了所述平面型热电堆测温芯片的测温效率、测温准确性。
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公开(公告)号：CN112305293B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202011033999.1
申请日：2020-09-27
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请涉及一种二阶梯度交叉耦合型SQUID电流传感器以及制备方法。多个环路电极(SQUID环路的一部分)依次包围间隔设置。多个第一连接结构将多个环路电极并联连接。多个输入环路与多个环路电极依次间隔设置，形成由中心点依次向外间隔设置的结构。多个输入环路串联连接，形成输入线圈。输入线圈与环路电极之间的相互交叉结构，使得SQUID环路与输入线圈形成交叉耦合结构，可以减小寄生电容。并且，通过第一电极结构、第二电极结构、第三电极结构、第四电极结构、第一约瑟夫森结结构、第二约瑟夫森结结构形成的二阶梯度并联电感结构的SQUID环路，可有效抵消外界磁场干扰。
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公开(公告)号：CN115101656A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210780796.1
申请日：2022-07-04
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种X射线超导转变边沿探测器及其制备方法，其中，X射线超导转变边沿探测器包括双抛硅片、超导薄膜、电极、热连接结构和吸收体；双抛硅片的上侧设有第一氧化硅薄膜，第一氮化硅薄膜，下侧设有第二氧化硅薄膜，第二氮化硅薄膜，且双抛硅片的中部为开口向下的空腔，露出上侧的第一氮化硅薄膜；超导薄膜设置在第一氮化硅薄膜上，电极为两个并设置在第一氮化硅薄膜上且位于超导薄膜的相对两侧并压住超导薄膜，两个电极分别对应连接第一引线和第二引线；热连接结构可为1根、5根、或6根，吸收体水平设置在热连接结构上。其制备方法简单，可降低制备X射线超导转变边沿探测器的复杂度，同时可提高其能量分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109285941B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201710602494.4
申请日：2017-07-21
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本发明涉及一种感应式超导边缘探测器及其制作方法，所述感应式超导边缘探测器包括：包括：衬底、吸收层、介质层、绝缘层、超导薄膜层和约瑟夫森桥结；所述吸收层设置在所述衬底的一个表面；所述介质层设置在所述吸收层远离与所述衬底的表面，所述介质层具有增透性；所述绝缘层覆盖所述吸收层和介质层设置；所述超导薄膜层设置在所述绝缘层远离所述衬底的表面，并以连续闭合结构环绕所述吸收层和介质层设置；所述约瑟夫森桥结设置在所述超导薄膜层上。此感应式超导边缘探测器包含有一层具有对光子具有增透作用的介质层，提高了感应式超导边缘探测器对单光子的吸收效率。
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公开(公告)号：CN111948765B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202010631206.X
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国计量科学研究院
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请涉及一种基于硅基刻蚀的超导光学探测器与光纤对准方法及装置。对第一基底进行刻蚀，制备光纤位置通孔，并在第一基底的表面制备多个间隔设置的第一标记。多个第一标记与光纤位置通孔之间形成相对位置关系。在第二基底的表面制备单光子吸收膜时，以第二基底作为超导单光子探测器的衬底，采用制备超导单光子探测器的制备工艺进行制备。此时，多个第二标记与单光子吸收膜之间形成相对位置关系，并和多个第一标记与光纤位置通孔的相对位置关系相同。进而，通过将多个第一标记与多个第二标记一一对应，即可实现将光纤位置通孔与单光子吸收膜的对准。从而，将光纤直接放置于光纤位置通孔中，即可实现与单光子吸收膜对准。
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公开(公告)号：CN113977458A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111413355.X
申请日：2021-11-25
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本发明涉及一种抛光液注入装置及抛光系统。该抛光液注入装置包括固定机构及注入机构；固定机构用于将注入机构固定于抛光装置的抛光面上且不随抛光面一同转动；注入机构沿抛光面的转动方向依次包括刮水部、喷水部及布水部，喷水部用于喷出抛光液，布水部用于将喷水部喷出的抛光液均匀分布在抛光面上，刮水部用于刮除抛光面上经抛光产生的废液。该抛光液注入装置既可以保证材料去除率的均匀性，也可以避免抛光液的浪费。
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公开(公告)号：CN113809226A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110975488.X
申请日：2021-08-24
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请涉及一种二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器以及制备方法。反馈线圈与输入线圈均绝缘设置于第一环路电极(SQUID环路的一部分)表面，形成了上下重叠耦合结构，使得输入线圈与SQUID环路的耦合更加匹配，增大了耦合系数。第一环路电极、第二环路电极、第三环路电极、第四环路电极、第一约瑟夫森结结构、第二约瑟夫森结结构之间并联连接，形成了二阶梯度并联电感结构的SQUID环路，可有效抵消外界磁场干扰。因此，通过二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器，重叠耦合结构耦合系数大，有利于减弱外界磁场干扰，有利于输入线圈与SQUID环路的耦合匹配。
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公开(公告)号：CN109561528B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201811526042.3
申请日：2018-12-13
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请提供一种原子气室加热芯片，第一电极引入电流，经过第一加热层后，通过第一通孔进入第二加热层，进而从第二电极流出，形成一个电流的链路。由于加热层第一结构、加热层第二结构与第一连接结构形成的链路结构与加热层第三结构、加热层第四结构以及第二连接结构形成的链路结构相同，但是通过第一加热层与第二加热层的电流反向，可以把磁场抵消，实现无磁环境。通过原子气室加热芯片结构设置，调节薄膜电阻率，薄膜线条长度、薄膜厚度以及线条宽度可以使得第一加热层与第二加热层的结构获得大电阻。并且可以通过调整第一加热层与第二加热层结构的线宽和间距实现均匀加热，可以保证原子气室的温度均匀、稳定，且可以有效地避免磁干扰的问题。
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