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公开(公告)号：CN114875481B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210600670.1
申请日：2022-05-30
Applicant: 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供了一种物理气相传输法晶体生长炉、制备晶锭的方法及晶锭。其中，晶体生长炉包括：炉体，包括圆筒形侧壁、炉盖和炉底；位于炉体内部的保温层结构，位于保温层结构内部的加热器结构；位于加热器结构内部的坩埚，包括坩埚本体和坩埚盖；芯冷吹气系统，包括芯冷吹气埚盖、多个芯冷出气通孔、芯冷吹气管和芯冷进气嘴；多个测温点，用于监测所述晶体生长炉中的温度。本申请通过物理气相传输法生长晶体，然后经退火处理得到晶锭。退火处理过程中通过芯冷吹气系统向晶锭的芯部吹气，始终让晶锭芯部的温度小于等于晶锭外表面的温度，实现了径向温度分布反转，改善晶锭退火处理过程中由于应力累积导致的晶锭开裂问题，从而提高了晶锭的成品率。
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公开(公告)号：CN114775042A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210441154.9
申请日：2022-04-25
Applicant: 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种晶体生长用坩埚及晶体生长方法，晶体生长用坩埚包括坩埚本体，在坩埚本体的内部形成有主腔体室，在坩埚本体的底部设置有籽晶平台，坩埚本体的底部还设置有环绕所述籽晶平台布置且与主腔体室连通的低温引导室，低温引导室的高度低于籽晶平台，在低温引导室与籽晶平台之间形成低温引导室的入口，坩埚本体的侧壁由上至下包括第一部段和第二部段，第一部段呈圆筒状，在第一部段的内壁上设置有盛料装置，第二部段的内径由上至下逐渐减小，第二部段的下端延伸至低温引导室的入口，低温引导室的入口处为高温热区。低温引导室用于沉积杂质、多余组份和多晶，高温热区用于降低籽晶边缘处生长气体的饱和度，避免籽晶周围多晶的产生。
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公开(公告)号：CN119433677A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411776252.3
申请日：2024-12-05
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 中国建材集团有限公司
Abstract: 本申请提供了一种磷酸氧钛铷电光晶体及其生长方法，磷酸氧钛铷电光晶体的生长方法包括以下步骤：原料合成：将Rb2CO3、NH4H2PO4、TiO2按摩尔比均匀混合，经高温固相烧结合成生长原料，置于坩埚中；充入高纯氩气：将坩埚放入晶体生长炉中，充入高纯氩气排出空气1‑3h，再将高纯氩气的流量恒定为1‑20L/min；高温反应：将生长原料进行高温处理，获得高温溶液；过热处理：将高温溶液进行过热处理，获得过热溶液；晶体生长：放入籽晶，生长磷酸氧钛铷电光晶体。通过上述设置，能够得到具有较高质量的磷酸氧钛铷电光晶体。
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公开(公告)号：CN118241299A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211655217.7
申请日：2022-12-22
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供了一种磷酸氧钛铷电光晶体的生长方法，其采用Rb7P3O11‑BaF2助溶剂，Rb7P3O11助溶剂中[Rb]/[P]摩尔比为7/3；生长方法包括：将NH4H2PO4、Rb2CO3、TiO2、BaF2均匀混合，置于坩埚中，经熔融、冷却，获得生长原料；将生长原料进行高温处理，获得溶液；将溶液进行过热处理，获得过热溶液；放入籽晶，生长磷酸氧钛铷电光晶体。本申请提供的生长方法可以使生成态磷酸氧钛铷电光晶体的晶格更加完美，电导率达到1.0×10‑14S/cm‑6.0×10‑14S/cm，光学电学性能优良，可以满足65℃以上的高温使用环境和MHz高重复频率使用，晶体使用寿命长且工作稳定性高。
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公开(公告)号：CN114775042B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210441154.9
申请日：2022-04-25
Applicant: 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种晶体生长用坩埚及晶体生长方法，晶体生长用坩埚包括坩埚本体，在坩埚本体的内部形成有主腔体室，在坩埚本体的底部设置有籽晶平台，坩埚本体的底部还设置有环绕所述籽晶平台布置且与主腔体室连通的低温引导室，低温引导室的高度低于籽晶平台，在低温引导室与籽晶平台之间形成低温引导室的入口，坩埚本体的侧壁由上至下包括第一部段和第二部段，第一部段呈圆筒状，在第一部段的内壁上设置有盛料装置，第二部段的内径由上至下逐渐减小，第二部段的下端延伸至低温引导室的入口，低温引导室的入口处为高温热区。低温引导室用于沉积杂质、多余组份和多晶，高温热区用于降低籽晶边缘处生长气体的饱和度，避免籽晶周围多晶的产生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113774476A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111086174.0
申请日：2021-09-16
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供一种电阻加热的物理气相传输法单晶生长炉，包括：炉体，包括圆筒形侧壁、炉底和炉盖；位于炉体内部的保温层结构，包括圆筒形侧周保温层、下保温层和上保温层；位于保温层结构内部的电阻加热器结构，包括侧周加热器、底部加热器和顶部加热器；位于电阻加热器结构内部的坩埚，包括坩埚本体和坩埚盖，坩埚本体内中下部装有单晶生长的原料，坩埚盖内表面上固定有籽晶；底部加热器位于坩埚本体底部与下保温层之间，并与坩埚本体底部同轴，顶部加热器位于坩埚盖与上保温层之间，并与坩埚盖同轴；多个测温点，包括顶部测温点、底部测温点和侧壁测温点。可以更精确地测量和灵活调控原料和晶体的温度，提高了晶体的生长质量和原料的利用率。
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公开(公告)号：CN114875481A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210600670.1
申请日：2022-05-30
Applicant: 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供了一种物理气相传输法晶体生长炉、制备晶锭的方法及晶锭。其中，晶体生长炉包括：炉体，包括圆筒形侧壁、炉盖和炉底；位于炉体内部的保温层结构，位于保温层结构内部的加热器结构；位于加热器结构内部的坩埚，包括坩埚本体和坩埚盖；芯冷吹气系统，包括芯冷吹气埚盖、多个芯冷出气通孔、芯冷吹气管和芯冷进气嘴；多个测温点，用于监测所述晶体生长炉中的温度。本申请通过物理气相传输法生长晶体，然后经退火处理得到晶锭。退火处理过程中通过芯冷吹气系统向晶锭的芯部吹气，始终让晶锭芯部的温度小于等于晶锭外表面的温度，实现了径向温度分布反转，改善晶锭退火处理过程中由于应力累积导致的晶锭开裂问题，从而提高了晶锭的成品率。
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公开(公告)号：CN107465105B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710640015.8
申请日：2017-07-31
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司
IPC: H01S3/115
Abstract: 本发明提供了一种双轴晶电光调Q开关及其制备方法；其中一种双轴晶电光调Q开关由一个整块的矩形双轴晶电光晶体制成；电光调Q开关的通光方向的中心位置处为相位补偿波片；电光调Q开关上的相位补偿波片两侧的部分均为电光晶体元件，电光晶体元件的沿通光方向延伸且互相平行的两个c向面均镀有电极层；相位补偿波片在通光方向上的长度为用于对目标激光产生的相位延迟进行补偿的相位补偿波片厚度的奇数倍；两个电光晶体元件在通光方向上的长度相同；能够有效且可靠提高调Q开关的温度稳定性，插入损耗低且操作简单，既能够解决由于双轴晶电光晶体的静态双折射随温度变化而对调Q开关的温度稳定性造成的影响，又保证了电光调Q开关固有的消光比。
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公开(公告)号：CN107465105A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710640015.8
申请日：2017-07-31
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司
IPC: H01S3/115
Abstract: 本发明提供了一种双轴晶电光调Q开关及其制备方法；其中一种双轴晶电光调Q开关由一个整块的矩形双轴晶电光晶体制成；电光调Q开关的通光方向的中心位置处为相位补偿波片；电光调Q开关上的相位补偿波片两侧的部分均为电光晶体元件，电光晶体元件的沿通光方向延伸且互相平行的两个c向面均镀有电极层；相位补偿波片在通光方向上的长度为用于对目标激光产生的相位延迟进行补偿的相位补偿波片厚度的奇数倍；两个电光晶体元件在通光方向上的长度相同；能够有效且可靠提高调Q开关的温度稳定性，插入损耗低且操作简单，既能够解决由于双轴晶电光晶体的静态双折射随温度变化而对调Q开关的温度稳定性造成的影响，又保证了电光调Q开关固有的消光比。
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公开(公告)号：CN112030231A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010889717.1
申请日：2020-08-28
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种复合材料及其制备方法和应用，其中复合材料包括高熔点金属基体和耐氧化金属镀层，所述高熔点金属基体的熔点大于1800℃，所述耐氧化金属镀层的熔点大于1600℃。所述复合材料可以用于高温耐氧化的金属坩埚和发热体，在高温氧化气氛中生长单晶，大大降低了制作坩埚和发热体的成本，并具有更高的使用温度。
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