公开(公告)号：CN1841800A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610067005.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 牛田泰久 ,  筱田大辅 ,  山崎大辅 ,  平田宏治 ,  池本由平 ,  柴田直树 ,  青木和夫 ,  恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 ,  岛村清史

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃－550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。

公开(公告)号：CN100461475C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610067005.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 牛田泰久 ,  筱田大辅 ,  山崎大辅 ,  平田宏治 ,  池本由平 ,  柴田直树 ,  青木和夫 ,  恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 ,  岛村清史

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃-550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。