公开(公告)号：CN106796891A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580047084.7

申请日：2015-08-28

Applicant: FLOSFIA株式会社

Inventor： 织田真也 ,  高塚章夫 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/16 ,  H01L33/26

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/242 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725 ,  H01L33/42

Abstract: 提供结晶性优异的层叠结构体和迁移率良好的上述层叠结构体的半导体装置。该层叠结构体的特征在于，是直接或介由其他层将含有具有刚玉结构的结晶性氧化物作为主要成分的晶体膜在具有刚玉结构的晶体基板上层叠而成的，上述晶体基板具有0.2°～12.0°的偏离角，上述结晶性氧化物包含选自铟、铝、以及镓中的一种或两种以上的金属。

公开(公告)号：CN104685626B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201380050346.6

申请日：2013-08-29

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 杜赖·维沙克·尼马尔·拉马斯瓦 ,  米 ,  毕磊 ,  贝丝·R·曲克 ,  戴尔·W·柯林斯

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1233 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/55 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02483 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616

Abstract: 本发明涉及可包含电阻式存储器单元的电子设备、系统及方法，所述电阻式存储器单元具有作为两个电极之间的可操作可变电阻区域的结构，及安置于电介质与所述两个电极中的一者之间的区域中的金属障壁。所述金属障壁可具有结构及材料组合物以在所述电阻式存储器单元的编程或擦除操作期间提供高于第一阈值的氧扩散率，且在所述电阻式存储器单元的保留状态期间提供低于第二阈值的氧扩散率。本发明揭示额外的设备、系统及方法。

公开(公告)号：CN105428426A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510755545.8

申请日：2015-11-09

Applicant: 江苏能华微电子科技发展有限公司

Inventor： 王东盛 ,  苗操 ,  李亦衡 ,  魏鸿源 ,  严文胜 ,  张葶葶 ,  朱廷刚

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/205 ,  H01L21/329 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66143

Abstract: 本发明提供一种二级管用外延片及其制备方法，由其制成的二极管电子器件漏电较低、击穿电压较高、寿命较长。一种二级管用外延片，包括：图形化蓝宝石衬底；AlN成核层，通过磁控溅射技术沉积于所述图形化蓝宝石衬底的上表面；GaN缓冲层，其沉积于所述AlN成核层的上表面，所述GaN缓冲层为C掺杂的GaN缓冲层；外延结构层，其沉积于所述GaN缓冲层的上表面。

公开(公告)号：CN105304774A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510737719.8

申请日：2015-11-03

Applicant: 湘能华磊光电股份有限公司

Inventor： 徐平 ,  苗振林 ,  卢国军

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/0066 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本申请公开LED外延层生长方法，生长低温缓冲层GaN为：在衬底上生长低温缓冲层GaN-1，温度500℃-600℃，压力400mbar-500mbar，通入NH3、TMGa、H2；在缓冲层GaN-1上生长缓冲层GaN-2，温度为510℃-650℃，压力为320mbar-500mbar，通入NH3、TMGa、H2；在缓冲层GaN-2上生长缓冲层GaN-3，温度520℃-700℃，压力256mbar-500mbar，通入NH3、TMGa、H2，低温缓冲层GaN-1、GaN-2、GaN-3依次按以上顺序生长3-5个周期。

公开(公告)号：CN104364883A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380028938.8

申请日：2013-05-27

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 饭冢和幸 ,  渡边信也 ,  舆公祥 ,  胁本大树 ,  山下佳弘 ,  佐藤慎九郎

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供具有Ga2O3基板和Ga2O3基板上的晶体品质高的氮化物半导体层的半导体层叠结构体及包括该半导体层叠结构体的半导体元件。在一个实施方式中，提供半导体层叠结构体(1)，其具有：β-Ga2O3基板(2)，其包含将从(-201)面朝向[102]方向倾斜的面作为主面(2a)的β-Ga2O3晶体；以及氮化物半导体层(4)，其包含在β-Ga2O3基板(2)的主面(2a)上通过晶体外延生长而形成的AlxGayInzN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)晶体。

公开(公告)号：CN103781947A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280043326.1

申请日：2012-08-06

Applicant: 株式会社田村制作所

Inventor： 佐佐木公平

IPC: C30B29/16 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C30B29/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/24 ,  C30B13/00 ,  C30B15/34 ,  C30B23/066 ,  C30B29/16 ,  C30B29/22 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明提供能够实现在β-Ga2O3单晶基板上形成的含Ga氧化物层的高品质化的外延生长用基板。外延生长用基板1由β-Ga2O3系单晶构成，将其（010）面、或者相对于（010）面以37.5°以内的角度范围倾斜的面作为主面。另外，晶体层叠结构体2具有外延生长用基板1和在外延生长用基板1的主面10上形成的由含Ga氧化物构成的外延晶体20。

公开(公告)号：CN103518008A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280017340.4

申请日：2012-04-03

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 饭塚和幸 ,  森岛嘉克 ,  佐藤慎九郎

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/267 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/872 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明提供厚度方向的电阻低的半导体层叠体及其制造方法、以及具有该半导体层叠体的半导体元件。提供具有Ga2O3基板2、Ga2O3基板2上的AlGaInN缓冲层3、AlGaInN缓冲层3上的含Si的氮化物半导体层4、形成在氮化物半导体层4内的AlGaInN缓冲层3侧的部分区域上的Si浓度在5×1018/cm3以上的Si高浓度区域4a的半导体层叠体1。

公开(公告)号：CN100524859C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200680009523.6

申请日：2006-03-23

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中原健 ,  田村谦太郎

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/327

CPC classification number: H01L29/221 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/045 ,  H01L29/225 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/16 ,  H01L33/28 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/327

Abstract: 本发明提供一种即使形成具有ZnO系化合物半导体层的异质结的叠层部从而形成半导体元件，也不会引起驱动电压的上升，而且使结晶性良好、元件特性优异的氧化锌系化合物半导体元件。在由以A面(11-20)或M面(10-10)作为主面的MgxZn1-xO(0≤x≤0.5)构成的基板(1)的主面上，与主面平行的面在{11-20}面或{10-10}面上取向、并且与主面垂直的面在{0001}面上取向而外延生长ZnO系化合物半导体单晶层(2～6)。

公开(公告)号：CN101473454A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780021185.2

申请日：2007-06-08

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中原健 ,  汤地洋行 ,  田村谦太郎 ,  赤坂俊辅 ,  川崎雅司 ,  塚崎敦 ,  大友明

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/363

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/327

Abstract: 本发明涉及一种ZnO系半导体元件，可以使平坦的ZnO系半导体层在层叠侧的主面朝向c轴方向的MgZnO基板上生长。使ZnO系半导体层(2～6)在以+C(0001)面至少向m轴方向倾斜的面为主面的MgxZn1－xO(0≤x＜1)基板(1)上外延生长。并且，在ZnO系半导体层(5)上形成有p电极(8)，在MgxZn1－xO基板(1)的下侧形成有n电极(9)。这样，通过在MgxZn1－xO基板(1)的表面形成沿m轴方向排列的规则的台阶，可以防止被称为台阶会聚的现象，提高层叠于基板(1)上的半导体层的膜的平坦性。

公开(公告)号：CN101292328A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200680038980.8

申请日：2006-10-19

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 尺田幸男 ,  园部雅之 ,  伊藤范和

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种高特性的氮化物半导体元件，该氮化物半导体元件以MgxZn1－xO(0≤x≤0.5)这样的氧化锌类化合物作为基板，在其上部生长的氮化物半导体层的结晶性良好，并且能够防止膜的脱落和裂纹的发生，漏电电流小。当在基板(1)上叠层氮化物半导体层而形成氮化物半导体元件时，基板(1)由MgxZn1－xO(0≤x≤0.5)这样的氧化锌类化合物构成，在该基板(1)上相接设置有由AlyGa1－yN(0.05≤y≤0.2)构成的第一氮化物半导体层(2)，在该第一氮化物半导体层(2)上叠层有氮化物半导体层(3)～(5)，使得形成半导体元件。