公开(公告)号：CN101375402B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200680048427.2

申请日：2006-11-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 泷雅人 ,  川上昌宏 ,  早川清春 ,  石子雅康

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/20 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78624

Abstract: 二极管(10)包括SOI衬底，其中堆叠有半导体衬底(20)，绝缘膜(30)和半导体层(40)。底部半导体区域(60)、中间半导体区域(53)和表面半导体区域(54)在半导体层(40)中形成。底部半导体区域(60)包括高浓度的n型杂质。中间半导体区域(53)包括低浓度的n型杂质。表面半导体区域(54)包括p型杂质。还公开了LDMOS晶体管。

公开(公告)号：CN107919384A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710924364.2

申请日：2017-09-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 川上昌宏 ,  森朋彦 ,  上田博之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及半导体器件。所述半导体器件包括阱外n型区、被阱外n型区包围的p型阱区、阱内n型区和栅极。阱外n型区包括与p型阱区接触的杂质低浓度区和通过杂质低浓度区与p型阱区分开的杂质高浓度区。

公开(公告)号：CN101375402A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200680048427.2

申请日：2006-11-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 泷雅人 ,  川上昌宏 ,  早川清春 ,  石子雅康

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/20 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78624

Abstract: 二极管(10)包括SOI衬底，其中堆叠有半导体衬底(20)，绝缘膜(30)和半导体层(40)。底部半导体区域(60)、中间半导体区域(53)和表面半导体区域(54)在半导体层(40)中形成。底部半导体区域(60)包括高浓度的n型杂质。中间半导体区域(53)包括低浓度的n型杂质。表面半导体区域(54)包括p型杂质。还公开了LDMOS晶体管。