公开(公告)号：CN108321139A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201711385296.3

申请日：2017-12-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 榊原明德

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/492 ,  H01L21/603

Abstract: 本发明涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。一种半导体器件的制造方法包括将包含金属粒子的导电膏涂覆到电极板中的指定区域，电极板在其表面中包括凹部，指定区域与凹部相邻。半导体器件的制造方法包括将半导体芯片放置在导电膏上，使得半导体芯片的外周边缘位于凹部上方。所述半导体器件的制造方法包括通过在朝向电极板的方向上向半导体芯片施加压力的同时加热导电膏，使该导电膏硬化。

公开(公告)号：CN110600457A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910485829.8

申请日：2019-06-05

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 土持真悟 ,  浅井林太郎 ,  榊原明德 ,  野口真男

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置具备：第一绝缘基板；第一半导体元件及第二半导体元件，配置在第一绝缘基板上；第二绝缘基板，隔着第一半导体元件而与第一绝缘基板相对；第三绝缘基板，隔着第二半导体元件而与第一绝缘基板相对，并与第二绝缘基板横向排列配置。

公开(公告)号：CN104040720B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201280066749.5

申请日：2012-11-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 平林康弘 ,  榊原明德

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制外来电荷的影响并且能够效率地进行制造。该半导体装置具有：有源区，其上形成有半导体元件；有源区与半导体基板的端面之间的外围区，在外围区的至少一部分的上表面上形成有绝缘层，在绝缘层内，沿着从有源区朝向半导体基板的端面的方向以隔开间隔的方式而配置有多个浮置电极，所述浮置电极在沿着从有源区朝向半导体基板的端面的方向以及半导体基板的厚度方向的截面中，沿着半导体基板的厚度方向而延伸并被相互分离。

公开(公告)号：CN104040720A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280066749.5

申请日：2012-11-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 平林康弘 ,  榊原明德

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制外来电荷的影响并且能够效率地进行制造。该半导体装置具有：有源区，其上形成有半导体元件；有源区与半导体基板的端面之间的外围区，在外围区的至少一部分的上表面上形成有绝缘层，在绝缘层内，沿着从有源区朝向半导体基板的端面的方向以隔开间隔的方式而配置有多个浮置电极，所述浮置电极在沿着从有源区朝向半导体基板的端面的方向以及半导体基板的厚度方向的截面中，沿着半导体基板的厚度方向而延伸并被相互分离。