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公开(公告)号：CN107004611A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580061144.0
申请日：2015-09-09
Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/75 , B22F3/003 , B22F3/14 , H01L24/83 , H01L2224/32225 , H01L2224/7598 , H01L2224/75985 , H01L2224/75988 , H01L2224/83203 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099
Abstract: 用于烧结装置的下模具的工具(10)，工具(10)具有用于有待烧结的、包含电路载体的电子子组件(30)的支托(20)，其中，支托(20)是由具有线性膨胀系数的材料形成，线性膨胀系数接近于电子子组件(30)的电路载体的膨胀系数。
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公开(公告)号：CN107210273B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201680009721.6
申请日：2016-01-29
Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司
Inventor： 罗纳德·艾西尔 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德
IPC: H01L23/29 , H01L23/433 , H01L23/495
Abstract: 一种功率模块(10)，该功率模块具有引线框(20)、安排在该引线框(20)上的功率半导体(30)、用于分散由该功率半导体(30)生成的热量的基板(40)以及围绕该引线框(20)和该功率半导体(30)的灌封化合物(50)，该灌封化合物将该功率半导体(30)和/或该引线框(20)物理连接至该基板(40)。
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公开(公告)号：CN107112303A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580059031.7
申请日：2015-10-12
Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司
Inventor： 马汀·贝克尔 , 罗纳德·艾西尔 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 加赛克·鲁茨基
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，该功率半导体接触结构具有至少一个衬底(1)以及作为电极的金属模制本体(2)，该衬底和金属模制本体通过基本上无中断的烧结层(3a)而一者烧结在另一者顶上，该烧结层具有多个具有变化的厚度的区域。该金属模制本体(2)在此采取挠性接触膜(5)的形式，该挠性接触膜的厚度使得此接触膜通过其面向该烧结层(3a)的这侧(4)基本上覆盖整个表面积地烧结到该烧结层的这些具有变化的厚度的区域上。还描述了一种用于在功率半导体模块中形成具有衬底和金属模制本体的功率半导体接触结构的方法。形成该功率半导体接触结构是如下进行的：首先向金属模制本体(2)或该衬底施加具有局部变化的厚度的烧结材料层，然后通过使用该烧结材料层的连接导通特性将接触膜(5)与衬底(1)烧结在一起，接触膜(5)被制成为发展其区别性形式以便应对烧结材料层(3a)的变化的厚度。
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公开(公告)号：CN106796898A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580053121.5
申请日：2015-09-21
Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司
CPC classification number: H01L24/83 , B22F3/14 , B22F2301/10 , B22F2301/255 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L2224/29139 , H01L2224/29294 , H01L2224/29295 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/32225 , H01L2224/75101 , H01L2224/75102 , H01L2224/7511 , H01L2224/7525 , H01L2224/75315 , H01L2224/755 , H01L2224/83048 , H01L2224/83075 , H01L2224/83095 , H01L2224/83101 , H01L2224/83201 , H01L2224/83204 , H01L2224/8384 , H01L2224/83911 , H01L2224/83948 , H05K3/32 , H05K2203/0278 , H05K2203/1131 , H05K2203/1157 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012
Abstract: 用于通过低温加压烧结生产电子组件的方法，该方法包括以下步骤：将电子部件安排在具有导体轨道的电路载体上，并且通过低温加压烧结接合材料将该电子部件连接到该电路载体上，其中，为了避免该电子部件或该导体轨道的氧化，该低温加压烧结在包含具有0.005％至0.3％的相对氧含量的低氧气氛的可气密封闭的烧结室(10)中进行。烧结操作可以在几乎无氧的气氛中进行，只要存在含有足够的氧并且在压力下释放其的含氧材料，如特氟隆分隔膜(68)，使得在处理气氛中的最小氧浓度可以通过施加压力和温度在烧结位置直接实现。在封闭该烧结室(10)并且建立该低氧气氛之后，在进行该烧结之前可以经过一段时间以允许该室(10)内的材料与该低氧气氛的平衡。如果该电子组件在该低温加压烧结之后被部分氧化，则该电子组件可以用还原剂喷射或蒸发涂覆。
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公开(公告)号：CN107112304B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201580072487.7
申请日：2015-10-30
Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司
Inventor： 马汀·贝克尔 , 罗纳德·艾西尔 , 加赛克·鲁茨基 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 描述了至少具有第一待结合部分(1)和第二待结合部分(2)的电子夹层结构，该第一待结合部分和该第二待结合部分借助于烧结层(3)烧结在一起。烧结层(3)形成为基本上不间断的连接层，该连接层的密度变化的方式使得至少一个较高密度的区域(4a)和至少一个较低密度的区域(4b)彼此交替。还描述了用于形成电子夹层结构的烧结层(3)的方法，其中首先，将烧结材料层(3)基本上连续地施加到第二待结合部分(2)上作为连接层(3)，随后使这个烧结材料层(3)干燥，并且最终，通过将具有该烧结层(3)的该第二待结合部分(2)烧结在第一待结合部分(1)上来产生该连接层(3)的较高密度(4a)和较低密度(4b)的交替区域。烧结材料可以呈点或条纹来施加。该第一待结合部分(1)和该第二待结合部分(2)的有待结合表面可以被安排成平面平行，在这种情况下，烧结层(3)形成为其表面有规律地不均匀，即，它尤其具有呈限定图案的较大厚度的区域(3a)和较小厚度的区域(3b)，这具有的效果是，在烧结工艺之后，在较厚的烧结糊浆施加区域(3a)中存在较高密度的区域(4a)并且在较薄的烧结糊浆施加区域(3b)中存在较低密度的区域(4b)。替代地，该第一待结合部分(1)和该第二待结合部分(2)的有待结合表面可以至少在某些区域中没有被安排成平面平行，其中，通过最初完全均匀的烧结糊浆施加，在待结合部分(1，2)烧结之后具有较小距离的区域(4a)中获得较薄的烧结层，而在距离较大的区域(4b)中形成较厚的烧结层，这最终具有的效果是，与在待结合部分(1，2)之间的距离较大的区域(4b)中相比，在这两个待结合部分(1，2)距彼此有较小距离的区域(4a)中形成较大的密度。尤其在用于功率电子器件的部件中，即便对于具有不同热膨胀系数的待结合部分(1，2)，也实现了高寿命的通过烧结连接的电子夹层结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107452637B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710281663.9
申请日：2017-04-26
Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司
Inventor： 马丁·贝克尔 , 罗纳德·艾西尔 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 霍尔格·乌尔里奇 , 加赛克·鲁茨基
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种用于通过烧结将功率半导体模块的第一部件粘结性地连接到功率半导体模块的第二部件的方法，所述方法包括以下步骤：将一层未烧结的烧结材料涂覆到第一部件的预定结合表面；将第二部件设置在所述未烧结的烧结材料的表面层上；通过将压力和/或温度施加在预定结合表面内的局部界定的局部区域上而将第二部件附接到第一部件；处理功率半导体模块的第一和/或第二部件和/或其它部件；和对烧结材料进行全部区域烧结。
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公开(公告)号：CN107004614B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201580052829.9
申请日：2015-09-09
Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司
IPC: H01L21/603
Abstract: 用于烧结至少一个电子组件(BG)的烧结装置(10)，该烧结装置具有下模具(20)和上模具(30)，该上模具可朝向该下模具(20)滑动、或者下模具(20)可朝向该上模具(30)滑动，其中，该下模具(20)形成用于有待烧结的组件(BG)的支架，并且该上模具(30)包括容器，该容器接收用于朝向该下模具(20)施加压力的压力垫(32)并且包括侧向地围绕该压力垫(32)的限定壁(34)，并且其中，该限定壁(34)具有外限定壁(34a)和内限定壁(34b)，该内限定壁被该外限定壁(34a)以邻近方式包围，并且其中，该内限定壁(34b)被安装成可朝向该外限定壁(34a)滑动，并且当沿该上模具(30)的方向在该压力垫(32)上施加压力时，该内限定壁被安装成沿该下模具(20)的方向滑动，由此，在将该内限定壁(34b)放置在该下模具(20)上之后，该压力垫(32)可沿该下模具(20)的方向移位。
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公开(公告)号：CN106796898B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201580053121.5
申请日：2015-09-21
Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司
CPC classification number: H01L24/83 , B22F3/14 , B22F2301/10 , B22F2301/255 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L2224/29139 , H01L2224/29294 , H01L2224/29295 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/32225 , H01L2224/75101 , H01L2224/75102 , H01L2224/7511 , H01L2224/7525 , H01L2224/75315 , H01L2224/755 , H01L2224/83048 , H01L2224/83075 , H01L2224/83095 , H01L2224/83101 , H01L2224/83201 , H01L2224/83204 , H01L2224/8384 , H01L2224/83911 , H01L2224/83948 , H05K3/32 , H05K2203/0278 , H05K2203/1131 , H05K2203/1157 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012
Abstract: 用于通过低温加压烧结生产电子组件的方法，该方法包括以下步骤：将电子部件安排在具有导体轨道的电路载体上，通过低温加压烧结将该电子部件连接到该电路载体上的接合材料而将该电子部件连接到该电路载体上，其特征在于，为了避免该电子部件或该导体轨道的氧化，该低温加压烧结在具有0.005％至0.3％的相对氧含量的低氧气氛中进行。
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公开(公告)号：CN107112304A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580072487.7
申请日：2015-10-30
Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司
Inventor： 马汀·贝克尔 , 罗纳德·艾西尔 , 加赛克·鲁茨基 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/29 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/27312 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/27418 , H01L2224/27848 , H01L2224/29012 , H01L2224/29017 , H01L2224/29019 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/3201 , H01L2224/32245 , H01L2224/8384 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 描述了至少具有第一待结合部分(1)和第二待结合部分(2)的电子夹层结构，该第一待结合部分和该第二待结合部分借助于烧结层(3)烧结在一起。烧结层(3)形成为基本上不间断的连接层，该连接层的密度变化的方式使得至少一个较高密度的区域(4a)和至少一个较低密度的区域(4b)彼此交替。还描述了用于形成电子夹层结构的烧结层(3)的方法，其中首先，将烧结材料层(3)基本上连续地施加到第二待结合部分(2)上作为连接层(3)，随后使这个烧结材料层(3)干燥，并且最终，通过将具有该烧结层(3)的该第二待结合部分(2)烧结在第一待结合部分(1)上来产生该连接层(3)的较高密度(4a)和较低密度(4b)的交替区域。烧结材料可以呈点或条纹来施加。该第一待结合部分(1)和该第二待结合部分(2)的有待结合表面可以被安排成平面平行，在这种情况下，烧结层(3)形成为其表面有规律地不均匀，即，它尤其具有呈限定图案的较大厚度的区域(3a)和较小厚度的区域(3b)，这具有的效果是，在烧结工艺之后，在较厚的烧结糊浆施加区域(3a)中存在较高密度的区域(4a)并且在较薄的烧结糊浆施加区域(3b)中存在较低密度的区域(4b)。替代地，该第一待结合部分(1)和该第二待结合部分(2)的有待结合表面可以至少在某些区域中没有被安排成平面平行，其中，通过最初完全均匀的烧结糊浆施加，在待结合部分(1，2)烧结之后具有较小距离的区域(4a)中获得较薄的烧结层，而在距离较大的区域(4b)中形成较厚的烧结层，这最终具有的效果是，与在待结合部分(1，2)之间的距离较大的区域(4b)中相比，在这两个待结合部分(1，2)距彼此有较小距离的区域(4a)中形成较大的密度。尤其在用于功率电子器件的部件中，即便对于具有不同热膨胀系数的待结合部分(1，2)，也实现了高寿命的通过烧结连接的电子夹层结构。
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公开(公告)号：CN107004614A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580052829.9
申请日：2015-09-09
Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司
IPC: H01L21/603
Abstract: 用于烧结至少一个电子组件(BG)的烧结装置(10)，该烧结装置具有下模具(20)和上模具(30)，该上模具可朝向该下模具(20)滑动、或者下模具(20)可朝向该上模具(30)滑动，其中，该下模具(20)形成用于有待烧结的组件(BG)的支架，并且该上模具(30)包括容器，该容器接收用于朝向该下模具(20)施加压力的压力垫(32)并且包括侧向地围绕该压力垫(32)的限定壁(34)，并且其中，该限定壁(34)具有外限定壁(34a)和内限定壁(34b)，该内限定壁被该外限定壁(34a)以邻近方式包围，并且其中，该内限定壁(34b)被安装成可朝向该外限定壁(34a)滑动，并且当沿该上模具(30)的方向在该压力垫(32)上施加压力时，该内限定壁被安装成沿该下模具(20)的方向滑动，由此，在将该内限定壁(34b)放置在该下模具(20)上之后，该压力垫(32)可沿该下模具(20)的方向移位。
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