公开(公告)号：CN107851632A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680044355.8

申请日：2016-07-26

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  马汀·贝克尔 ,  霍尔格·乌利齐 ,  罗纳德·艾思勒 ,  加赛克·鲁茨基

IPC: H01L23/492

Abstract: 一种用于制造半导体芯片(2，3)的方法，这些半导体芯片具有安排在其上的金属成形体(6)，该方法具有以下步骤：将多个金属成形体(6)安排在经处理半导体晶圆上，同时形成安排在该半导体晶圆与这些金属成形体(6)之间的具有第一连接材料(4)和第二连接材料(5)的层，以及在不对该第二连接材料(5)进行处理的情况下，对用于将这些金属成形体(6)连接到该半导体晶圆上的该第一连接材料(4)进行处理，其中，这些半导体芯片(2，3)或者在将这些金属成形体(6)安排在该半导体晶圆上之前或者在对该第一连接材料(4)进行处理之后被分离开。

公开(公告)号：CN107851620A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680043293.9

申请日：2016-07-04

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  罗纳德·艾泽勒 ,  霍尔格·乌利齐

IPC: H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块，该功率半导体模块包括：基板；半导体，该半导体设置在该基板的顶侧上；以及封装体，该封装体形成于该半导体和该基板上，其中，该封装体在其顶侧具有开口，该半导体和该基板的端子触点通过这些开口暴露于外部并且可从外部触及。

公开(公告)号：CN107851620B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201680043293.9

申请日：2016-07-04

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  罗纳德·艾泽勒 ,  霍尔格·乌利齐

IPC: H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块，该功率半导体模块包括：基板；半导体，该半导体设置在该基板的顶侧上；以及封装体，该封装体形成于该半导体和该基板上，其中，该封装体在其顶侧具有开口，该半导体和该基板的端子触点通过这些开口暴露于外部并且可从外部触及。

公开(公告)号：CN111902931B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN201980019985.3

申请日：2019-03-18

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  霍尔格·乌利齐

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L21/603 ,  H01L21/48 ,  H01L21/67 ,  H01L23/31 ,  H01L23/049 ,  H01L23/053 ,  H01L23/24 ,  H01L23/46

Abstract: 描述了一种组装半导体功率模块部件(30)的方法和一种用于制造半导体功率模块部件的制造系统，该制造系统包括这种半导体功率模块部件和压制设备(20)。该半导体功率模块部件(30)至少包括以堆叠(10)布置的第一元件(1)(例如，半导体芯片)、第二元件(2)(例如，基板，诸如DCB基板)和第三元件(3)(例如，底板)。该第一元件(1)和该第二元件(2)通过在烧结区域(4)中进行烧结而接合，并且该第二元件(2)和该第三元件(3)通过在钎焊区域(6)中进行钎焊而接合。该烧结和该钎焊是同时执行的，其中，该钎焊区域(6)被加热到钎焊温度，并且该烧结区域(4)被加热到烧结温度，该钎焊温度和该烧结温度彼此协调。将压力施加至包括该至少一个钎焊区域(6)和该至少一个烧结区域(4)的该堆叠(10)，其中，稳定装置(7)被布置在该钎焊区域(6)中，该稳定装置诸如该第二元件(2)或该第三元件(3)的表面上的突起、并入焊料预制件(8)中的固态间隔件装置或并入焊料预制件(8)中的丝网。与该堆叠(10)的烧结和钎焊同时，可以将附加的部件部分(14，15)烧结到该第一元件和/或该第二元件上。可以通过围绕该模块(30)的部件部分(1，2，3，14，15)的软垫状元件(23)来施加压力。

公开(公告)号：CN107851632B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201680044355.8

申请日：2016-07-26

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  马汀·贝克尔 ,  霍尔格·乌利齐 ,  罗纳德·艾思勒 ,  加赛克·鲁茨基

IPC: H01L23/492

Abstract: 一种用于制造半导体芯片(2，3)的方法，这些半导体芯片具有安排在其上的金属成形体(6)，该方法具有以下步骤：将多个金属成形体(6)安排在经处理半导体晶圆上，同时形成安排在该半导体晶圆与这些金属成形体(6)之间的具有第一连接材料(4)和第二连接材料(5)的层，以及在不对该第二连接材料(5)进行处理的情况下，对用于将这些金属成形体(6)连接到该半导体晶圆上的该第一连接材料(4)进行处理，其中，这些半导体芯片(2，3)或者在将这些金属成形体(6)安排在该半导体晶圆上之前或者在对该第一连接材料(4)进行处理之后被分离开。

公开(公告)号：CN111902931A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980019985.3

申请日：2019-03-18

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  霍尔格·乌利齐

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L21/603 ,  H01L21/48 ,  H01L21/67 ,  H01L23/31 ,  H01L23/049 ,  H01L23/053 ,  H01L23/24 ,  H01L23/46

Abstract: 描述了一种组装半导体功率模块部件(30)的方法和一种用于制造半导体功率模块部件的制造系统，该制造系统包括这种半导体功率模块部件和压制设备(20)。该半导体功率模块部件(30)至少包括以堆叠(10)布置的第一元件(1)(例如，半导体芯片)、第二元件(2)(例如，基板，诸如DCB基板)和第三元件(3)(例如，底板)。该第一元件(1)和该第二元件(2)通过在烧结区域(4)中进行烧结而接合，并且该第二元件(2)和该第三元件(3)通过在钎焊区域(6)中进行钎焊而接合。该烧结和该钎焊是同时执行的，其中，该钎焊区域(6)被加热到钎焊温度，并且该烧结区域(4)被加热到烧结温度，该钎焊温度和该烧结温度彼此协调。将压力施加至包括该至少一个钎焊区域(6)和该至少一个烧结区域(4)的该堆叠(10)，其中，稳定装置(7)被布置在该钎焊区域(6)中，该稳定装置诸如该第二元件(2)或该第三元件(3)的表面上的突起、并入焊料预制件(8)中的固态间隔件装置或并入焊料预制件(8)中的丝网。与该堆叠(10)的烧结和钎焊同时，可以将附加的部件部分(14，15)烧结到该第一元件和/或该第二元件上。可以通过围绕该模块(30)的部件部分(1，2，3，14，15)的软垫状元件(23)来施加压力。