公开(公告)号：CN103890924B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280050678.X

申请日：2012-09-10

Applicant: 丹佛斯硅动力股份有限公司

Inventor： 马丁·贝克尔 ,  罗纳德·艾西尔 ,  弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  杰克·鲁兹基

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/786 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00011

Abstract: 本发明涉及功率半导体芯片（10），其具有至少一个上侧电势面且接触厚布线（50）或条片，该功率半导体芯片包括：处于所述电势面上的结合层（1），以及处于所述结合层上的至少一个金属成型体（24、25），所述成型体的面对电势面的下方平坦侧基于结合工艺设有涂覆物以被涂覆至结合层（1），并且根据尺寸选择所述成型体的材料成分以及根据本方法用于接触的、布置在成型体上侧的相关厚布线（50）或条片的厚度。

公开(公告)号：CN103890924A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280050678.X

申请日：2012-09-10

Applicant: 丹佛斯硅动力股份有限公司

Inventor： 马丁·贝克尔 ,  罗纳德·艾西尔 ,  弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  杰克·鲁兹基

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/786 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00011

Abstract: 本发明涉及功率半导体芯片（10），其具有至少一个上侧电势面且接触厚布线（50）或条片，该功率半导体芯片包括：处于所述电势面上的结合层（1），以及处于所述结合层上的至少一个金属成型体（24、25），所述成型体的面对电势面的下方平坦侧基于结合工艺设有涂覆物以被涂覆至结合层（1），并且根据尺寸选择所述成型体的材料成分以及根据本方法用于接触的、布置在成型体上侧的相关厚布线（50）或条片的厚度。