Patent search cpc:"H01L2224/0311" Page 1

1.

发明授权
具有用于接触厚布线或条片的金属成型体的功率半导体芯片及其制造方法有权

公开(公告)号：CN103890924B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280050678.X

申请日：2012-09-10

Applicant: 丹佛斯硅动力股份有限公司

Inventor： 马丁·贝克尔 , 罗纳德·艾西尔 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 杰克·鲁兹基

IPC: H01L21/60 , H01L23/485

CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/6835 , H01L23/4924 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2221/68372 , H01L2224/03013 , H01L2224/0311 , H01L2224/04042 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/0603 , H01L2224/2908 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/48491 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/786 , H01L2224/83801 , H01L2224/8382 , H01L2224/8384 , H01L2224/85001 , H01L2924/00015 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/1203 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/2076 , H01L2924/00 , H01L2924/00011

Abstract: 本发明涉及功率半导体芯片（10），其具有至少一个上侧电势面且接触厚布线（50）或条片，该功率半导体芯片包括：处于所述电势面上的结合层（1），以及处于所述结合层上的至少一个金属成型体（24、25），所述成型体的面对电势面的下方平坦侧基于结合工艺设有涂覆物以被涂覆至结合层（1），并且根据尺寸选择所述成型体的材料成分以及根据本方法用于接触的、布置在成型体上侧的相关厚布线（50）或条片的厚度。

2.

发明公开
具有用于接触厚布线或条片的金属成型体的功率半导体芯片及其制造方法有权

公开(公告)号：CN103890924A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280050678.X

申请日：2012-09-10

Applicant: 丹佛斯硅动力股份有限公司

Inventor： 马丁·贝克尔 , 罗纳德·艾西尔 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 杰克·鲁兹基

IPC: H01L21/60 , H01L23/485

CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/6835 , H01L23/4924 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2221/68372 , H01L2224/03013 , H01L2224/0311 , H01L2224/04042 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/0603 , H01L2224/2908 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/48491 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/786 , H01L2224/83801 , H01L2224/8382 , H01L2224/8384 , H01L2224/85001 , H01L2924/00015 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/1203 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/2076 , H01L2924/00 , H01L2924/00011

Abstract: 本发明涉及功率半导体芯片（10），其具有至少一个上侧电势面且接触厚布线（50）或条片，该功率半导体芯片包括：处于所述电势面上的结合层（1），以及处于所述结合层上的至少一个金属成型体（24、25），所述成型体的面对电势面的下方平坦侧基于结合工艺设有涂覆物以被涂覆至结合层（1），并且根据尺寸选择所述成型体的材料成分以及根据本方法用于接触的、布置在成型体上侧的相关厚布线（50）或条片的厚度。

3.

发明公开
半导体装置及其制造方法有权

公开(公告)号：CN103855124A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310597577.0

申请日：2013-11-22

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 金钟薰 , 裴弼淳

IPC: H01L23/498 , H01L21/48

CPC classification number: H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/02379 , H01L2224/03003 , H01L2224/0311 , H01L2224/03312 , H01L2224/0332 , H01L2224/03334 , H01L2224/03462 , H01L2224/0348 , H01L2224/03505 , H01L2224/03845 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05026 , H01L2224/05073 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05169 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/0579 , H01L2224/05839 , H01L2224/05847 , H01L2224/11464 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：半导体结构，在其一个表面上形成有用于暴露焊盘的开口；第一导电层，形成在开口中以使半导体结构的一个表面更加均匀；以及导电图案，形成在半导体结构的部分的一个表面上，该一个表面包括第一导电层。

4.

发明公开
元件装配用基板及其制造方法、半导体模块和便携式设备无效

公开(公告)号：CN101916750A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200910246346.9

申请日：2009-11-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 斋藤浩一 , 山本哲也

IPC: H01L23/498 , H01L23/12 , H01L25/00 , H01L21/48

CPC classification number: H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02319 , H01L2224/02331 , H01L2224/02351 , H01L2224/02377 , H01L2224/0311 , H01L2224/0312 , H01L2224/03436 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05647 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552 , H01L2924/00

Abstract: 一种半导体模块，其是具有把设置在配线层的突起电极与设置在半导体元件的元件电极连接的结构，其中，提高突起电极与元件电极连接的可靠性。在半导体元件与配线层之间设置绝缘树脂层。与配线层形成一体且从配线层向绝缘树脂层侧突出的突起电极与设置在半导体元件的元件电极电连接。突起连接区域端部侧的配线层的局部的高度比向端部侧相反侧延伸的配线层区域的配线层高度低。

5.

发明授权
在金属成型体和结合到厚布线或条片用的功率半导体间形成连接的方法有权

公开(公告)号：CN103875067B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201280050150.2

申请日：2012-09-10

Applicant: 丹佛斯硅动力股份有限公司

Inventor： 马丁·贝克尔 , 罗纳德·艾西尔 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 加赛克·鲁兹基

IPC: H01L21/683 , H01L23/485 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 , H01L21/6835 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L2221/68322 , H01L2221/68363 , H01L2221/68372 , H01L2221/68377 , H01L2224/03003 , H01L2224/03013 , H01L2224/0311 , H01L2224/0312 , H01L2224/03438 , H01L2224/03505 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29144 , H01L2224/29339 , H01L2224/29399 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48491 , H01L2224/83801 , H01L2224/8382 , H01L2224/8384 , H01L2224/94 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/12042 , H01L2924/1304 , H01L2924/35 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2224/03 , H01L2924/2076 , H01L2924/00 , H01L2924/00015

Abstract: 本发明涉及将具有上侧电势面的功率半导体芯片连接到厚布线或条片的方法，该方法包括以下步骤：提供与上侧电势面的形状相对应的金属成型体；将连接层涂覆到上侧电势面或金属成型体上；在厚布线结合到成型体的非被添加的上侧之前，布置金属成型体并且添加适合的材料、电导通的化合物到电势面。

6.

发明授权
半导体装置及其制造方法有权

公开(公告)号：CN103855124B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201310597577.0

申请日：2013-11-22

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 金钟薰 , 裴弼淳

IPC: H01L23/498 , H01L21/48

CPC classification number: H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/02379 , H01L2224/03003 , H01L2224/0311 , H01L2224/03312 , H01L2224/0332 , H01L2224/03334 , H01L2224/03462 , H01L2224/0348 , H01L2224/03505 , H01L2224/03845 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05026 , H01L2224/05073 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05169 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/0579 , H01L2224/05839 , H01L2224/05847 , H01L2224/11464 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：半导体结构，在其一个表面上形成有用于暴露焊盘的开口；第一导电层，形成在开口中以使半导体结构的一个表面更加均匀；以及导电图案，形成在半导体结构的部分的一个表面上，该一个表面包括第一导电层。

7.

发明授权
晶圆内的柔性互连有权

公开(公告)号：CN103339725B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201180066989.0

申请日：2011-12-07

Applicant: 德塞拉股份有限公司

Inventor： 瓦格·奥甘赛安 , 贝勒卡西姆·哈巴 , 伊利亚斯·默罕默德 , 皮尤什·萨瓦利亚 , 克雷格·米切尔

IPC: H01L23/485 , H01L25/065 , H01L21/60 , H01L23/31

CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02123 , H01L2224/0215 , H01L2224/0311 , H01L2224/0332 , H01L2224/03466 , H01L2224/03602 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05013 , H01L2224/05014 , H01L2224/05015 , H01L2224/05022 , H01L2224/05073 , H01L2224/05186 , H01L2224/05191 , H01L2224/05548 , H01L2224/05551 , H01L2224/05552 , H01L2224/05555 , H01L2224/05564 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05578 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/06181 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06544 , H01L2225/06548 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15165 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/81805 , H01L2924/06

Abstract: 微电子单元(12)包括基板(20)和导电元件(40)。基板(20)可具有小于10 ppm/℃的热膨胀系数，主表面(21)具有未贯穿基板而延伸的凹陷(30)，弹性模量小于10GPa的材料(50)沉积在凹陷内。导电元件(40)可包括覆盖凹陷(30)并从被基板(20)支撑的锚部分(41)延伸的接合部分(42)。接合部分(42)可至少部分地在主表面(21)暴露，用于与微电子单元(12)外部的元器件(14)连接。

8.

发明公开
晶片封装体及其制造方法有权

公开(公告)号：CN105742254A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201511016598.4

申请日：2015-12-29

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 温英男 , 刘建宏 , 李士仪 , 姚皓然

IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/56

CPC classification number: H01L24/02 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/31127 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76 , H01L21/76802 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L27/14678 , H01L2221/68327 , H01L2221/68372 , H01L2224/0235 , H01L2224/02372 , H01L2224/02377 , H01L2224/02381 , H01L2224/03002 , H01L2224/0311 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05647 , H01L2224/13 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/94 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/488

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含：一晶片，该晶片具有一导电垫、以及相对的一第一表面与一第二表面，其中导电垫位于第一表面上；一第一穿孔，自第二表面朝第一表面延伸，并暴露出导电垫；一激光阻挡结构，位于第一穿孔中的导电垫上，且激光阻挡结构的一上表面位于第二表面上；一第一绝缘层，位于第二表面与激光阻挡结构上，并具有相对于第二表面的一第三表面；一第二穿孔，自第三表面朝第二表面延伸，并暴露激光阻挡结构；以及一导电层，位于第三表面上与第二穿孔中，并接触激光阻挡结构。本发明不仅可省略化学气相沉积绝缘层与图案化绝缘层的制程，还能缩小穿孔的孔径，且可提升晶片封装体侦测时的准确度。