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公开(公告)号：CN119317279A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411137281.5
申请日：2024-08-19
Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
IPC: H10H29/14 , H10H20/831 , H10H20/84 , H10H20/857
Abstract: 本公开实施例提供了一种提高电流扩展能力的发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括发光结构、第一钝化层、连接电极层、第二钝化层和焊盘电极层，连接电极层包括在第一方向上交替间隔布置的条状的多个第一连接电极和条状的多个第二连接电极，第一连接电极和第二连接电极的长度方向均为第二方向，第一方向和第二方向相交；每个第一连接电极通过贯穿第一钝化层的多个第一通孔与多个凹槽中的第一半导体层电连接，每个第二连接电极通过贯穿第一钝化层的多个第二通孔与第二半导体层电连接。本公开实施例能提高LED的发光效率和可靠性，并降低LED的驱动电压。
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公开(公告)号：CN119730505A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411566588.7
申请日：2024-11-05
Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
IPC: H10H20/84 , H10H20/855 , H10H20/01
Abstract: 本公开提供了一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括依次叠设的衬底、键合层和外延层；键合层的折射率大于或者等于衬底的折射率。本公开可以提高倒装发光二极管芯片的发光角度。
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公开(公告)号：CN119153601A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411023603.3
申请日：2024-07-29
Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种提高发光效率的发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括依次层叠的N型半导体层、发光层、P型半导体层、第一P型电流扩展层和P型窗口层，第一P型电流扩展层的掺杂浓度小于P型窗口层的掺杂浓度。本公开实施例能提高载流子注入的均匀性，提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN118825163A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410808043.6
申请日：2024-06-21
Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种提高发光角度的倒装发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该倒装发光二极管包括依次层叠的透明衬底、填平层、键合层和外延层；透明衬底的第一表面具有多个第一图形结构，透明衬底的第二表面具有多个第二图形结构，第一表面和第二表面为透明衬底的相反的两表面；填平层覆盖第一表面。本公开实施例能提高倒装LED的发光角度和出光效率。
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公开(公告)号：CN118825162A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410807942.4
申请日：2024-06-21
Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种倒装发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该倒装发光二极管包括依次层叠的蓝宝石衬底、填平层、键合层和外延层；蓝宝石衬底包括本体和多个凸起，多个凸起位于本体的表面；填平层覆盖多个凸起，并且填平层的远离蓝宝石衬底的表面为平面。本公开实施例能提高倒装LED的出光效率和发光角度。
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公开(公告)号：CN222106754U
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202323343564.9
申请日：2023-12-08
Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
IPC: H01L33/38
Abstract: 本公开公开了一种具有电流扩展的发光二极管，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括外延片、N一次电极和P一次电极；外延片包括相对的第一侧边和第二侧边；N一次电极包括第一主电极和多个第一支电极，第一主电极沿外延片的第一侧边延伸，各第一支电极的一端与第一主电极相连，另一端朝向外延片的第二侧边延伸；P一次电极包括第二主电极和多个第二支电极，第二主电极沿外延片的第二侧边延伸，各第二支电极的一端与第二主电极相连，另一端朝向外延片的第一侧边延伸；第一支电极和第二支电极并排间隔布置。本公开通过合理设计N一次电极和P一次电极的结构和分布位置，使发光二极管整体发光分布均匀且发光效率更高。
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