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    发光装置
    1.
    发明授权
    发光装置 失效

    公开(公告)号：CN102474935B

    公开(公告)日：2014-11-05

    申请号：CN201080033529.3

    申请日：2010-07-28

    Applicant: 住友化学株式会社

    Inventor： 小野善伸

    IPC: H05B33/22 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12

    CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3223 ,  H01L27/3283 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22

    Abstract: 该发光装置是具有支撑基板、在支撑基板上设置的多个有机EL元件和将多个有机EL元件分隔的隔壁的发光装置，隔壁具有以将设置多个有机EL元件的区域包围的方式配置的外周部和在由外周部包围的区域中配置为条状、长度方向的一端和另一端分别与外周部连接的多根间隔部，将有机EL元件配置在彼此相邻的间隔部间，在外周部的、间隔部的长度方向的延长线上设置有朝向支撑基板的凹陷部。

    三族氮化物半导体发光元件及其制造方法
    6.
    发明公开
    三族氮化物半导体发光元件及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN101421858A

    公开(公告)日：2009-04-29

    申请号：CN200780013435.8

    申请日：2007-02-13

    Applicant: 住友化学株式会社

    Inventor： 笠原健司 ,  上田和正 ,  小野善伸

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

    Abstract: 本发明提供三族氮化物半导体发光元件及其制造方法。三族氮化物半导体发光元件，依次包含(a1)、(b1)及(c1)，即：(a1)N电极；(b1)半导体多层膜；(c1)透明导电性氧化物P电极，在此，半导体多层膜依次包含N型半导体层、发光层、P型半导体层、n型杂质浓度为5×1018cm－3～5×1020cm－3的高浓度N型半导体层，N型半导体层与N电极接触，且半导体多层膜具有凸部。另外，三族氮化物半导体发光元件包含(a2)、(b2)及(c2)，即：(a2)透明导电性氧化物N电极；(b2)半导体多层膜；(c2)P电极，在此，半导体多层膜依次包含n型杂质浓度为5×1018cm－3～5×1020cm－3的高浓度N型半导体层、N型半导体层、发光层、P型半导体层，P型半导体层与P电极接触，且半导体多层膜具有凸部。

    有机电致发光元件及其制造方法
    7.
    发明公开
    有机电致发光元件及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN104205397A

    公开(公告)日：2014-12-10

    申请号：CN201380018361.2

    申请日：2013-04-04

    Applicant: 住友化学株式会社

    Inventor： 美马祥司 ,  小野善伸

    IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10

    CPC classification number: H01L51/5036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/56

    Abstract: 本发明提供一种有机电致发光元件，其可以简便且准确地设定元件的发光色，并且能够对白色区域的发光色进行微调整。本发明的电致发光元件具有一对电极和设置于该电极间的发光层、并且在CIE1931色度坐标系中呈现坐标Ao(Xo，Yo)的发光色，上述发光层的同一层中含有在CIE1931色度坐标系中呈现坐标A1(x1，y1)的发光色的白色发光材料A1和在CIE1931色度坐标系中呈现与坐标A1(x1，y1)不同的坐标A2(x2，y2)的发光色的白色发光材料A2，CIE1931色度坐标系中的坐标A1(x1，y1)与坐标A2(x2，y2)的距离LA1-A2满足LA1-A2＜0.13。

    有机电致发光元件的制造方法
    8.
    发明公开
    有机电致发光元件的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN103120020A

    公开(公告)日：2013-05-22

    申请号：CN201180045248.4

    申请日：2011-07-15

    Applicant: 住友化学株式会社

    Inventor： 佐佐修一 ,  小野善伸

    IPC: H05B33/10 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04

    CPC classification number: H01L51/0003 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/56

    Abstract: 本发明提供一种有机电致发光元件的制造方法，所述有机电致发光元件具有阳极(32)、阴极(34)、以及夹持于阳极与阴极之间且层叠有包括与阴极相接设置的电子注入层(44)在内的多个有机层的层叠结构体，所述有机电致发光元件的制造方法包括：准备只有所述阳极设置于第一基材(22)上的第一结构体(12)，或者所述阳极与构成所述层叠结构体的多个有机层中的至少一部分这两者设置于第一基材(22)上的第一结构体(12)的工序；准备只有所述阴极设置于第二基材上的第二结构体(24)，或者所述阴极与构成所述层叠结构体的除了设置于所述第一结构体的部分之外的剩余部分这两者设置于第二基材(24)上的第二结构体(14)的工序；以及贴合所述第一结构体与所述第二结构体，形成夹持于所述阳极与所述阴极间的层叠结构体的贴合工序，在所述准备第一结构体的工序或所述准备第二结构体的工序中，形成包含离子性聚合物的所述电子注入层。

    化合物半导体基板的制造方法
    9.
    发明授权
    化合物半导体基板的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1871699B

    公开(公告)日：2012-06-27

    申请号：CN200480031316.1

    申请日：2004-10-25

    Applicant: 住友化学株式会社

    Inventor： 秦雅彦 ,  小野善伸 ,  上田和正

    IPC: H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/2003

    Abstract: 提供化合物半导体基板的制造方法，包含以下的工序(a)～(e)。(a)在基板(1)上，通过外延生长形成化合物半导体功能层(2)；(b)在化合物半导体功能层(2)上接合支撑基板(3)；(c)通过研磨除去基板(1)、与基板(1)接触一侧的化合物半导体功能层(2)的一部分；(d)在通过工序(c)露出的化合物半导体功能层(2)的表面接合具有比基板(1)大的热传导率的高热传导性基板(4)，取得多层基板；(e)从多层基板分离支撑基板(3)。

    发光装置
    10.
    发明公开
    发光装置 失效

    公开(公告)号：CN102474935A

    公开(公告)日：2012-05-23

    申请号：CN201080033529.3

    申请日：2010-07-28

    Applicant: 住友化学株式会社

    Inventor： 小野善伸

    IPC: H05B33/22 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12

    CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3223 ,  H01L27/3283 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22

    Abstract: 该发光装置是具有支撑基板、在支撑基板上设置的多个有机EL元件和将多个有机EL元件分隔的隔壁的发光装置，隔壁具有以将设置多个有机EL元件的区域包围的方式配置的外周部和在由外周部包围的区域中配置为条状、长度方向的一端和另一端分别与外周部连接的多根间隔部，将有机EL元件配置在彼此相邻的间隔部间，在外周部的、间隔部的长度方向的延长线上设置有朝向支撑基板的凹陷部。

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