包含Cu-Ga合金的溅射靶的制造方法

    公开(公告)号:CN102049578A

    公开(公告)日:2011-05-11

    申请号:CN201010539266.5

    申请日:2010-09-21

    Abstract: 本发明涉及包含Cu-Ga合金的溅射靶的制造方法。本发明的一种方法,是包含Cu-Ga合金的溅射靶的制造方法,通过电火花线加工,将Cu-Ga合金锭切断成想得到的溅射靶的厚度,对得到的Cu-Ga合金切断片的面中的至少成为溅射面的平面进行粗研磨,通过电火花线加工,将得到的粗研磨后的切断片切断,加工成溅射靶的形状,接着,将溅射靶形状的切断片的成为溅射面的平面进研磨至期望的表面平滑度。

    锂二次电池用负极及锂二次电池
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117099226A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202280025436.9

    申请日:2022-02-28

    Abstract: 本发明的锂二次电池用负极由包含Al、选自由C、Si、Ge、Sn及Pb构成的组中的1种以上的元素M1和选自由Sr、Na、Sb、Ca、Te、Ba、Li及K构成的组中的1种以上的元素M2的铝合金形成,上述元素M1的质量相对于上述铝合金的总质量的比例为0.01质量%以上且8质量%以下,上述元素M2的总质量相对于上述铝合金的总质量的比例超过0.001质量%且为1.0质量%以下。

    铜镓合金及其制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102206770A

    公开(公告)日:2011-10-05

    申请号:CN201110079953.8

    申请日:2011-03-31

    Abstract: 本发明涉及铜镓合金及其制造方法,提供即使是通过例如熔解铸造制造的Ga的组成比较大的铜镓合金块,也能减少合金块内部Ga浓度的不均、难以产生裂纹的适于溅射靶材的铜镓合金。该合金通过将镓浓度以摩尔浓度计为20%-40%、残余部分包括铜和不可避免的杂质的用熔解铸造法得到的铜镓合金块,切断加工为期望的溅射靶形状后,在500℃-650℃的温度下加热处理后,从该加热处理的温度至300℃以30℃/分以下的速度进行冷却而得。

    Cu-Ga合金的切断方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102198546A

    公开(公告)日:2011-09-28

    申请号:CN201110073650.5

    申请日:2011-03-25

    Inventor: 熊谷俊昭

    Abstract: 本发明的课题是提供一种即使是例如通过熔化铸造制造出的Ga的组成比较大的Cu-Ga合金块、也能够不发生裂纹、或产生破裂或缺口而切断、切断(加工)为希望的形状的Cu-Ga合金的切断方法。在本发明的一实施方式中,使作为加工对象物(13)的Cu-Ga合金块与刀片(11)沿相互交叉的方向相对移动,对Cu-Ga合金块遍及其全长进行片锯加工(参照图1)。在切断前的Cu-Ga合金块的形状是长方体的情况下,将该Cu-Ga合金块切断,以使长方体的最短的边与切断面交叉。

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