金属络合物及含有其的发光元件

    公开(公告)号:CN114174311A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202080053450.0

    申请日:2020-05-26

    Abstract: 提供对长期劣化得到抑制的发光元件的制造有用的金属络合物等。式(1)所示的金属络合物、含有上述金属络合物和选自空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料、抗氧化剂和溶剂中的至少1种材料的组合物、以及含有上述金属络合物的发光元件。[式中,Ya和Yb中的一者为单键,另一者为式(C‑1)所示的基团。环RA、环RB1、环RB2、环RC1和环RC2中的至少一个环具有式(D‑A)、式(D‑B)或式(D‑C)所示的基团作为取代基。]

    电子设备、高分子化合物、有机化合物及高分子化合物的制备方法

    公开(公告)号:CN103460428A

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201280015865.4

    申请日:2012-03-27

    Abstract: 本发明提供成为高亮度发光的电致发光元件的电子设备等。具体地,本发明提供具备下述层来作为电荷注入层和/或电荷传输层的电子设备等,所述层含有具有选自式(1)所表示的结构单元及式(7)所表示的结构单元中的1种以上的结构单元的高分子化合物。(在式(1)中,R1表示规定的基团,R2表示规定的基团,m1表示0以上的整数。有多个R2时其可相同或不同。式(1)中的氢原子可以被除了R1、R2以外的取代基取代。)(在式(7)中,R6表示规定的基团,R7表示规定的基团,m5表示0以上的整数。有多个R7时其可相同或不同。式(7)中的氢原子可以被除了R6、R7以外的取代基取代。)

    组合物和使用了该组合物的发光元件

    公开(公告)号:CN110574497B

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN201880027274.6

    申请日:2018-04-20

    Abstract: 提供对于发光效率优异的发光元件的制造有用的组合物。一种组合物,其含有式(C-1)所示的化合物和式(1)所示的磷光发光性化合物。式(C-1)中,环R1C~环R4C表示芳香族烃环或芳香族杂环。RC表示碳原子、硅原子、锗原子、锡原子或铅原子。式(1)中,M1表示铑原子、钯原子、铱原子或铂原子。n1表示1以上的整数,n2表示0以上的整数。其中,n1+n2为2或3。环R1A表示三唑环。环R2表示芳香族烃环或芳香族杂环。E1、E2和E11A~E13A表示氮原子或碳原子。R11A~R13A表示氢原子、烷基、芳基等。A1-G1-A2表示阴离子性的二齿配体。

    组合物和使用了该组合物的发光元件

    公开(公告)号:CN110574497A

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201880027274.6

    申请日:2018-04-20

    Abstract: 提供对于发光效率优异的发光元件的制造有用的组合物。一种组合物,其含有式(C-1)所示的化合物和式(1)所示的磷光发光性化合物。式(C-1)中,环R1C~环R4C表示芳香族烃环或芳香族杂环。RC表示碳原子、硅原子、锗原子、锡原子或铅原子。式(1)中,M1表示铑原子、钯原子、铱原子或铂原子。n1表示1以上的整数,n2表示0以上的整数。其中,n1+n2为2或3。环R1A表示三唑环。环R2表示芳香族烃环或芳香族杂环。E1、E2和E11A~E13A表示氮原子或碳原子。R11A~R13A表示氢原子、烷基、芳基等。A1-G1-A2表示阴离子性的二齿配体。

    电子设备、高分子化合物、有机化合物及高分子化合物的制备方法

    公开(公告)号:CN103460428B

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201280015865.4

    申请日:2012-03-27

    Abstract: 本发明提供成为高亮度发光的电致发光元件的电子设备等。具体地,本发明提供具备下述层来作为电荷注入层和/或电荷传输层的电子设备等,所述层含有具有选自式(1)所表示的结构单元及式(7)所表示的结构单元中的1种以上的结构单元的高分子化合物。(在式(1)中,R1表示规定的基团,R2表示规定的基团,m1表示0以上的整数。有多个R2时其可相同或不同。式(1)中的氢原子可以被除了R1、R2以外的取代基取代。)(在式(7)中,R6表示规定的基团,R7表示规定的基团,m5表示0以上的整数。有多个R7时其可相同或不同。式(7)中的氢原子可以被除了R6、R7以外的取代基取代。)

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